公开(公告)号：CN100595670C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200510064902.2

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 畑光宏 ,  夏政焕 ,  金贤友 ,  禹相均

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明公开了用于半导体器件制造的掩膜图案，其包括在半导体衬底上形成的抗蚀图案、和在抗蚀图案上形成的共聚体复合膜，其中共聚体复合膜包括通过在质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键形成的网络。

公开(公告)号：CN1721986A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510064902.2

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 畑光宏 ,  夏政焕 ,  金贤友 ,  禹相均

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明公开了用于半导体器件制造的掩膜图案，其包括在半导体衬底上形成的抗蚀图案、和在抗蚀图案上形成的共聚体复合膜，其中共聚体复合膜包括通过在质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键形成的网络。

公开(公告)号：CN1637027A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410097396.2

申请日：2004-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贤友 ,  禹相均

IPC: C08F20/22 ,  C08F16/18 ,  G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0046 ,  C07D311/78 ,  C08F34/02 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/115

Abstract: 本发明提供多种单体，所述单体适用于通过包括至少一种多环烯基醚和一种α－氟化丙烯酸酯的自由基(阳离子)聚合制造光敏聚合物，所述光敏聚合物又可用于光致抗蚀剂组合物中。得到的光致抗蚀剂组合物表现出可接受的抗干法蚀刻性和透光率，其在光刻法中适用于多种光源，以制造精细的光致抗蚀剂图形，所述光源如KrF准分子激光器、ArF准分子激光器或F2准分子激光器。除了多环烯基醚和α－氟化丙烯酸酯之外，可向所述光敏聚合物引入另外的单体，所述单体包括一种或多种未取代的和取代的环状脂肪族化合物和杂环化合物，特别是二氢吡喃。然后可通过将这些不同的单体单元结合形成共聚物、三元共聚物和更多元的聚合物制造光敏聚合物，所述光敏聚合物的示例性实施方案通常由下式V表示。

公开(公告)号：CN1527359A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200310124851.9

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贤友 ,  禹相均

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  Y10S430/143

Abstract: 一种通过形成ArF抗蚀剂图形，然后通过在热处理期间将抗蚀剂图形暴露在VUV(真空紫外线)受激准分子激光器的辐射或E－束辐射中以减小图形开口的尺寸，在半导体器件上形成精细图形，特别是接触孔的方法，以临时减小抗蚀剂图形的Tg，并允许它流动，从而减小图形中的间隔和开口。

公开(公告)号：CN1456580A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN03110159.3

申请日：2003-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贤友 ,  禹相均 ,  郑明浩

IPC: C08F220/26 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0395 ,  G03F7/0397

Abstract: 光敏聚合物，其中具有均匀分布的疏水性和亲水性部分，及含有该光敏聚合物的光阻剂组合物。光敏聚合物具有如上通式，其中R1和R2独立地为氢原子或甲基，R3为酸不稳定C4～C20烃基，R4为亲水基团，a/(a+b+c+d+e)＝0.01～0.6，b/(a+b+c+d+e)＝0.05～0.7，c/(a+b+c+d+e)＝0.01～0.6，d/(a+b+c+d+e)＝0.1～0.5，和e/(a+b+c+d+e)＝0.01～0.5。