公开(公告)号：CN101719510B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN200910177796.7

申请日：2009-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申在光 ,  徐顺爱 ,  金钟燮 ,  洪起夏 ,  郑现钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66977

Abstract: 本发明公开了一种量子干涉晶体管及其制造和操作方法。一种量子干涉晶体管可以包括：源极；漏极；N个沟道(N≥2)，位于源极和漏极之间，并具有N-1个在源极和漏极之间的路径差；至少一个栅极，设置在N个沟道中的一个或多个沟道处。N个沟道中的一个或多个沟道可以形成在石墨烯片中。一种制造所述量子干涉晶体管的方法可以包括利用石墨烯片形成N个沟道中的一个或多个沟道。一种操作所述量子干涉晶体管的方法可以包括将电压施加到至少一个栅极。电压可以使穿过形成有所述至少一个栅极的沟道的电子波的相位移位。

公开(公告)号：CN103915488A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410120822.3

申请日：2010-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪起夏 ,  金钟燮 ,  申在光

IPC: H01L29/66 ,  H01F10/193 ,  H01F10/32 ,  B82Y25/00

CPC classification number: H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254

Abstract: 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上；第一漏极，被构造为输出从源极传输的电子；输出电极，被构造为输出从源极传输的电子；第二沟道，在第一沟道上，第一栅电极和第一漏极在第二沟道上，在第二沟道上的第一栅电极被构造为控制第二沟道的磁化方向；第三沟道，在第一沟道上；第二栅电极，在第三沟道上，第二栅电极被构造为控制第三沟道的磁化方向；第二漏极，在第三沟道上；第一电压源，并联地连接到第一漏极和第二漏极，其中，源极、第二沟道和第三沟道分开，输出电极连接在第一电压源和第一漏极之间。

公开(公告)号：CN103311289A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210427387.X

申请日：2012-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  金钟燮 ,  申在光 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT）和制造HEMT的方法，该HEMT的封装是容易的，该HEMT包括：缓冲层；沟道层，形成在缓冲层上并包括二维电子气（2DEG）沟道；沟道提供层，形成在沟道层上；源电极、漏电极和栅电极，形成在沟道提供层上；源极接触垫，连接到源电极；漏极接触垫，连接到漏电极；以及栅极接触垫，连接到栅电极，其中源极接触垫、漏极接触垫和栅极接触垫中的一个或两个设置在缓冲层的外表面上，其余接触垫设置在不同方向上。

公开(公告)号：CN102916044A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210256482.8

申请日：2012-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  崔赫洵 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  金钟燮 ,  洪起夏 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/373 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。HEMT包括：基板；以及形成在基板上的HEMT层叠，其中所述HEMT层叠包括：包括2维电子气（2DEG）的化合物半导体层；上化合物半导体层，具有比所述化合物半导体层的极化指数高的极化指数；以及设置在所述上化合物半导体层上的源电极、漏电极和栅极，其中所述基板是具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的氮化物基板。所述基板可以包括具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的绝缘层、设置在所述绝缘层上的金属层、以及附接到所述金属层的板。

公开(公告)号：CN102855932A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210094767.6

申请日：2012-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁亨洙 ,  金镐正 ,  申在光 ,  崔贤植

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

Abstract: 一种以高速操作的逻辑器件。为了通过生成与输入信号相关的输出信号来执行操作，所述逻辑器件包括用于存储与输入信号相关的全部可能输出结果的多个非易失性存储单元。通过基于输入信号选择和访问所述多个非易失性存储单元中的一个来生成所述输出信号。

公开(公告)号：CN102194867A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110051882.0

申请日：2011-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  金钟燮 ,  崔赫洵 ,  洪起夏 ,  申在光 ,  吴在浚

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了表现双耗尽的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。HEMT包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极。双耗尽区域存在于源极和漏极之间。多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。

公开(公告)号：CN102065247A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010525974.3

申请日：2010-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  郑佑仁 ,  申在光 ,  金善日 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  田尚勋

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/341 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N9/045 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3745

Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。

公开(公告)号：CN101325088A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810110171.4

申请日：2008-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪起夏 ,  李晟熏 ,  玄在雄 ,  申在光 ,  陈暎究 ,  朴星一 ,  金钟燮

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/16 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法，所述操作方法为可靠地操作可高度集成的非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括在位线和共源线之间的串选择晶体管、多个存储晶体管和地选择晶体管。在非易失性存储装置中，可以通过将擦除电压施加到位线或共源线来从存储晶体管擦除数据。

公开(公告)号：CN101320755A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810086763.7

申请日：2008-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  洪起夏 ,  朴允童 ,  申在光 ,  金锡必

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/0416 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 示例性实施例公开了非易失性存储装置及其操作方法。所述非易失性存储装置具有优良的操作性能并可以被制成高度集成的结构。示例性实施例的非易失性存储装置的包括：基底电极；半导体沟道层，在基底电极上；浮置栅电极，在基底电极上，其中，浮置栅电极的一部分面对半导体沟道层；控制栅电极，在浮置栅电极上，其中，在其间发生电荷隧穿的浮置栅电极的一部分和基底电极之间的距离小于半导体沟道层和基底电极之间的距离。

公开(公告)号：CN1518401A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310118192.8

申请日：2003-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安德烈·佩特林 ,  许智贤 ,  申在光

IPC: H05H1/46 ,  C23F4/04 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32678 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供了一种等离子体发生系统。该等离子体发生系统包括：一个微波发生器，用于产生微波；一个折射器，它通过改变上述微波的传播方向以平面波的形式传送上述微波；一个电磁单元，用以对上述微波形成的等离子体施加磁场并使之产生电子回旋谐振。