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公开(公告)号：CN108022928A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710983668.6
申请日：2017-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11563
Abstract: 本公开涉及垂直存储器件及制造其的方法。一种垂直存储器件包括具有下半导体图案结构和上半导体图案的第一结构以及围绕第一结构的侧壁的多个栅电极，下半导体图案结构填充衬底上的凹陷并在基本上垂直于衬底的上表面的第一方向上从衬底的上表面突出，下半导体图案结构包括顺序堆叠的第一未掺杂半导体图案、掺杂半导体图案和第二未掺杂半导体图案，并且掺杂半导体图案的下表面低于衬底的上表面，上半导体图案在下半导体图案结构上在第一方向上延伸，所述多个栅电极分别在多个层处从而在第一方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN119072120A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410677864.0
申请日：2024-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：单元晶体管，在垂直于基底的上表面的第一方向上堆叠，其中，每个单元晶体管包括第一源/漏区、第二源/漏区和栅电极；位线，在第一方向上延伸，并且电连接到第一源/漏区；以及数据存储结构，电连接到第二源/漏区，其中，每个栅电极具有在平行于上表面的第二方向上延伸的线形，每个数据存储结构包括第一电极、第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的介电层，其中，第一电极电连接到第二源/漏区，其中，第二电极在第一方向上堆叠并且彼此间隔开，并且其中，每个第二电极包括具有在第二方向上延伸的线形的线路部分。
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公开(公告)号：CN118843321A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410025349.4
申请日：2024-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位线结构，位于所述衬底上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；沟道，接触所述位线结构的上表面并且在所述第一方向和所述第二方向上彼此间隔开；上栅极结构，在所述第二方向上延伸并且围绕沿所述第二方向设置的所述沟道，所述上栅极结构在所述第一方向上间隔开；以及电容器结构，所述电容器结构包括：第一电容器电极，分别位于所述沟道上；电介质层，位于所述第一电容器电极上，所述电介质层包括铁电材料或反铁电材料；第二电容器电极，位于所述电介质层上；以及电容器板电极，位于所述第二电容器电极上，所述电容器板电极均在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN117673024A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311146355.7
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/64
Abstract: 一种集成电路器件包括在衬底上的晶体管和电连接到晶体管的电容器结构，其中电容器结构包括：第一电极，包括具有第一功函数的第一导电材料；在第一电极上的电介质层，电介质层包括第一金属；第二电极，在第一电极上并且其间具有电介质层，并且包括具有小于第一功函数的第二功函数的第二导电材料；以及在电介质层和第二电极之间的界面层，其中相对于第二电极和电介质层之间的直接界面的电能势垒，界面层增加了第二电极和电介质层之间的电能势垒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117641893A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311013561.0
申请日：2023-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：下结构；下电极，在下结构上；上电极，覆盖下结构上的下电极；以及介电结构，设置在下电极和上电极之间。介电结构包括：第一介电膜，包括第一材料；以及第二介电膜，包括不同于第一材料的第二材料。第一介电膜包括与下电极接触或面对下电极的第一表面、以及与第一表面相对的第二表面。第二介电膜包括设置在第一介电膜的开口中并在从第二表面朝向第一表面的方向上延伸的第一部分。
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公开(公告)号：CN117222309A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310676241.7
申请日：2023-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括衬底、在衬底上的多个下电极、覆盖下电极的电介质层堆叠、以及覆盖电介质层堆叠的上电极。电介质层堆叠可以包括：在多个下电极上的第一电介质层，第一电介质层包括具有反铁电性或顺电性的材料；以及在第一电介质层和上电极之间的第二电介质层，第二电介质层包括具有铁电性的材料。上电极可以包括包含N型杂质的第一上电极层。
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公开(公告)号：CN117012766A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310055519.9
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社 , 釜山大学校产学协力团
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底；电容器接触结构，所述电容器接触结构与所述衬底电连接；底部电极，所述底部电极与所述电容器接触结构连接；电容器电介质层，所述电容器电介质层位于所述底部电极上；以及顶部电极，所述顶部电极位于所述电容器电介质层上。所述顶部电极包括位于所述电容器电介质层上的界面层和位于所述界面层上的电极层。所述界面层包括位于所述电容器电介质层上的第一层和位于所述第一层上的第二层。所述第一层包括钼和氧。所述第二层包括钼和氮。所述电极层包括钛和氮。所述界面层的厚度小于所述电容器电介质层的厚度和所述电极层的厚度。
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公开(公告)号：CN116411260A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211616325.3
申请日：2022-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/52
Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的方法。该方法包括：提供基板，第一层和第二层形成在基板上，第一层在第一频率下具有最大介电损耗值，第二层在与第一频率不同的第二频率下具有最大介电损耗值；从加热器向基板提供第一频率的波，以将第一层的温度加热到比第二层的温度高；以及在第一层的温度比第二层的温度高时，在加热的第一层上并且不在第二层上形成比第一层薄且比第二层薄的第三层。
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