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公开(公告)号：CN117012766A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310055519.9
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社 , 釜山大学校产学协力团
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底；电容器接触结构，所述电容器接触结构与所述衬底电连接；底部电极，所述底部电极与所述电容器接触结构连接；电容器电介质层，所述电容器电介质层位于所述底部电极上；以及顶部电极，所述顶部电极位于所述电容器电介质层上。所述顶部电极包括位于所述电容器电介质层上的界面层和位于所述界面层上的电极层。所述界面层包括位于所述电容器电介质层上的第一层和位于所述第一层上的第二层。所述第一层包括钼和氧。所述第二层包括钼和氮。所述电极层包括钛和氮。所述界面层的厚度小于所述电容器电介质层的厚度和所述电极层的厚度。
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