公开(公告)号：CN116406227A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211688472.1

申请日：2022-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全寅铎 ,  朴瑛琳

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 本公开的半导体器件包括：衬底；电容器接触结构，所述电容器接触结构与所述衬底电连接；下电极，所述下电极与所述电容器接触结构连接；电容器绝缘层，所述电容器绝缘层覆盖所述下电极；以及上电极，所述上电极覆盖所述电容器绝缘层。所述上电极包括位于所述电容器绝缘层上的多层和位于所述多层上的覆盖层。所述多层包括第一电极层、第二电极层以及在所述第一电极层与所述第二电极层之间的第一金属硅化物层。所述第一金属硅化物层的功函数大于所述第一电极层的功函数和所述第二电极层的功函数。

公开(公告)号：CN112750950A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011153547.7

申请日：2020-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安敞茂 ,  姜相列 ,  朴瑛琳 ,  徐锺汎 ,  安世衡

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种半导体装置。半导体装置可以包括接地垫和下电极，下电极位于接地垫上且连接到接地垫并且包括外部部分和在外部部分内部的内部部分。外部部分包括第一区域和第二区域。半导体装置还可以包括下电极的外部部分的第一区域上的介电膜和位于介电膜上的上电极。下电极的外部部分的第一区域可以包括硅(Si)掺杂剂，介电膜不沿着外部部分的第二区域延伸。外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度不同于外部部分的第二区域中的硅掺杂剂的浓度并且比内部部分中的硅掺杂剂的浓度高。

公开(公告)号：CN109216328A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810705802.0

申请日：2018-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  曹圭镐 ,  林汉镇

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/76221 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/152 ,  H01L29/518 ,  H01L28/56 ,  H01L23/642

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括铪氧化物层和氧化籽晶层，铪氧化物层包含具有四方晶体结构的铪氧化物，氧化籽晶层包含氧化籽晶材料。氧化籽晶材料具有一晶格常数，该晶格常数与具有四方晶体结构的铪氧化物的水平晶格常数和垂直晶格常数中的一个拥有6％或更小的晶格失配。

公开(公告)号：CN108807345A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810369447.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L23/64 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L28/91 ,  H01L28/40 ,  H01G4/10

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。

公开(公告)号：CN101393965A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810135808.5

申请日：2008-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  安东浩 ,  林暎洙 ,  河龙湖 ,  张准荣 ,  林东源 ,  李玖瑞 ,  朴俊相 ,  高汉凤 ,  朴瑛琳

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/84 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

Abstract: 提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。