公开(公告)号：CN110890119A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910813280.0

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐宁焄 ,  赵胜晛 ,  申昌昊 ,  李龙宰

IPC: G11C11/4094 ,  G11C7/12

Abstract: 公开电压产生电路、存储器装置和产生位线预充电电压的方法。一种存储器装置包括电压产生电路，电压产生电路包括偏移补偿器，偏移补偿器被配置为：接收参考电压和偏移代码，并将偏移代码链接到参考电压。电压产生电路包括比较器，比较器被配置为：将链接到偏移代码的参考电压与位线预充电电压进行比较并输出驱动控制信号。电压产生电路包括驱动器，驱动器被配置为：响应于驱动控制信号输出处于参考电压的目标电平的位线预充电电压。电压产生电路包括背景校准电路，背景校准电路被配置为：产生用于执行控制的偏移代码，使得目标短路电流流过输出位线预充电电压的驱动器的输出节点。

公开(公告)号：CN110148434A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910039886.3

申请日：2019-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐宁焄 ,  朴光一 ,  裴升浚 ,  车相彦

IPC: G11C29/42

Abstract: 提供了一种半导体存储器件、一种存储系统和一种操作半导体存储器件的方法。所述半导体存储器件包括纠错码(ECC)引擎、存储单元阵列、输入/输出(I/O)选通电路和控制逻辑电路。存储单元阵列包括正常单元区域和奇偶校验单元区域，正常单元区域被配置为存储主数据，奇偶校验单元区域被配置为选择性地存储由ECC引擎基于主数据生成的奇偶校验数据和从半导体存储器件的外部接收到的子数据。控制逻辑电路控制ECC引擎对主数据选择性地执行ECC编码和ECC解码，并且控制I/O选通电路将子数据存储在奇偶校验单元区域的至少一部分中。

公开(公告)号：CN103578559B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201310306175.0

申请日：2013-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张敏洙 ,  徐宁焄 ,  李燦勇

IPC: G11C17/16

Abstract: 公开了多电平反熔丝存储器装置及其操作方法。本发明提供了一种反熔丝存储器装置，该反熔丝存储器装置包括反熔丝存储器单元、基准电流产生部件和比较部件。反熔丝存储器单元包括反熔丝。基准电流产生部件提供从多个基准电流中选择的基准电流。比较部件将流过反熔丝的单元电流的强度与基准电流的强度比较并且提供与比较结果对应的输出信号。