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公开(公告)号：CN105461754B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201510628122.X
申请日：2015-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及有机金属化合物、包括其的有机发光器件和制造有机发光器件的方法。所述有机金属化合物由式1表示，其中M选自铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铥(Tm)、和铑(Rh)，和其中L1为由式2A表示的配体且L2为由式2B表示的配体，和其中式1中的L1和L2彼此不同。
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公开(公告)号：CN110289360A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910207073.0
申请日：2019-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了电致发光器件、包括其的显示设备、及其形成方法，所述电致发光器件包括第一电极、设置在所述第一电极上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上并且包括其上附着具有空穴传输性质的第一配体的第一发光颗粒的第一发射层、设置在所述第一发射层上并且包括其上附着具有电子传输性质的第二配体的第二发光颗粒的第二发射层、设置在所述第二发射层上的电子传输层、和设置在所述电子传输层上的第二电极，其中所述第一配体和所述第二配体具有不同的溶剂选择性。
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公开(公告)号：CN109817772A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811207676.2
申请日：2018-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括阳极、在所述阳极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点层、和在所述量子点层上的阴极，其中所述量子点层的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于或等于约5.6电子伏(eV)，所述空穴传输层的HOMO能级与所述量子点层的最高占据分子轨道能级之间的差值小于约0.5eV，所述空穴注入层具有接触所述阳极的第一表面和接触所述空穴传输层的第二表面，和所述空穴注入层的第一表面的HOMO能级不同于所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级。
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公开(公告)号：CN110875433B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201910813544.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , C09K11/88 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 公开量子点和包括其的电致发光器件。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层。所述量子点包括：包括铟(In)和磷(P)的半导体纳米晶体芯；设置在所述半导体纳米晶体芯上的第一半导体纳米晶体壳，所述第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上的第二半导体纳米晶体壳，所述第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，其中所述量子点不包括镉。所述电致发光器件具有大于或等于约9％的外量子效率和大于或等于约10,000坎德拉/平方米(cd/m2)的最大亮度。
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公开(公告)号：CN110858628B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201910789697.8
申请日：2019-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K71/00 , H10K59/10
Abstract: 公开发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备。所述发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，所述发射层包括量子点；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电荷辅助层，其中所述发射层包括面对所述电荷辅助层的第一表面和相反的第二表面，所述量子点在其表面上包括第一有机配体，在所述发射层中，在邻近于所述第一表面的部分中的所述第一有机配体的量大于在邻近于所述第二表面的部分中的所述第一有机配体的量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817772B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201811207676.2
申请日：2018-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括阳极、在所述阳极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点层、和在所述量子点层上的阴极，其中所述量子点层的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于或等于约5.6电子伏(eV)，所述空穴传输层的HOMO能级与所述量子点层的最高占据分子轨道能级之间的差值小于约0.5eV，所述空穴注入层具有接触所述阳极的第一表面和接触所述空穴传输层的第二表面，和所述空穴注入层的第一表面的HOMO能级不同于所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级。
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公开(公告)号：CN107768541B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201710710708.X
申请日：2017-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种电子器件以及包括该电子器件的显示装置。一种电子器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；包含多个量子点的发射层，其中发射层设置在第一电极和第二电极之间；第一电荷辅助层，设置在第一电极和发射层之间；以及光学功能层，设置在第二电极上且在与发射层相反的一侧，其中第一电极包括反射电极，其中第二电极是光透射电极，其中光学功能层和第一电极之间的区域包括微腔结构，并且光学功能层的折射率大于或等于第二电极的折射率。
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公开(公告)号：CN113764592A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110510733.X
申请日：2021-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种量子点器件和包括其的量子点显示装置，该量子点器件包括：阳极，设置在基板上并包括反射层；空穴辅助层，设置在阳极上并包括空穴注入层、空穴传输层或其组合；量子点层，设置在空穴辅助层上并包括量子点；电子辅助层，设置在量子点层上；和设置在电子辅助层上的阴极，阴极是能够透射从量子点层发射的光的至少一部分的光透射电极，其中，量子点层配置为发射第一波长谱的光，第一波长谱是蓝色波长谱、绿色波长谱和红色波长谱之一，空穴辅助层具有使量子点器件的共振波长落入第一波长谱内的厚度，量子点层的峰值发射波长和穿过阴极的光的峰值发射波长共同属于第一波长谱，穿过阴极的光的发射谱的半峰全宽比量子点层的发射谱的半峰全宽窄。
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公开(公告)号：CN113410403A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110284603.9
申请日：2021-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点器件和电子设备，所述量子点器件包括：第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层，其中所述电子辅助层包括无机纳米颗粒和添加剂的混合物，所述无机纳米颗粒包括碱土金属，所述添加剂选自碱金属、碱金属化合物、或其组合，所述电子设备包括所述量子点器件。
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公开(公告)号：CN110875433A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910813544.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点和包括其的电致发光器件。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发射层。所述量子点包括：包括铟(In)和磷(P)的半导体纳米晶体芯；设置在所述半导体纳米晶体芯上的第一半导体纳米晶体壳，所述第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上的第二半导体纳米晶体壳，所述第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，其中所述量子点不包括镉。所述电致发光器件具有大于或等于约9％的外量子效率和大于或等于约10,000坎德拉/平方米(cd/m2)的最大亮度。
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