公开(公告)号：CN113272969B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN201980088508.2

申请日：2019-03-06

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李昇宪 ,  金明花 ,  金宰范 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  林俊亨

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/131 ,  H10K50/844

Abstract: 一种有机发光显示装置可以包括：基板；设置在基板上的第一有源层；栅极绝缘层；第一栅电极；第一绝缘中间层和第二绝缘中间层；第一源电极，其设置在第二绝缘中间层上并经由通过去除栅极绝缘层、第一绝缘中间层和第二绝缘中间层的部分形成的接触孔接触第一有源层；保护绝缘层，设置在第一源电极上；第一漏电极，其设置在保护绝缘层上并经过有通过去除栅极绝缘层、第一绝缘中间层、第二绝缘中间层和保护绝缘层的部分的接触孔接触第一有源层；以及子像素结构，设置在第一漏电极上。

公开(公告)号：CN112599561B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202010979117.4

申请日：2020-09-17

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  金明镐 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  H10K59/131

Abstract: 公开了一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：基底；第一半导体图案；第一栅极绝缘膜，覆盖第一半导体图案；第一导电层和第二半导体图案，位于第一栅极绝缘膜上；第二栅极绝缘膜，位于第二半导体图案上；第三栅极绝缘膜，覆盖第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜；第二导电层，位于第三栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，覆盖第二导电层；以及第三导电层，位于层间绝缘膜上，其中，第一半导体图案和第二半导体图案分别形成第一晶体管和第二晶体管的半导体层，其中，第一导电层包括第一晶体管的栅电极和电容器的第一电极，其中，第二导电层包括第二晶体管的栅电极和电容器的第二电极。

公开(公告)号：CN118804635A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410402816.0

申请日：2024-04-03

Applicant: 三星显示有限公司 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 金恩贤 ,  金洸福 ,  林俊亨 ,  郑在景

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/123 ,  H10K59/124 ,  H10K59/12

Abstract: 公开了显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：基体基底；有机发光元件，设置在基体基底上；绝缘层，设置在基体基底上并且包含氧化硅；以及薄膜晶体管，设置在基体基底上并且电连接到有机发光元件，其中，薄膜晶体管包括设置在基体基底上并且包括与绝缘层接触的沟道区域的半导体图案、以及在平面上与沟道区域重叠的栅极电极，其中，半导体图案包含氧化铟镓锌锡。

公开(公告)号：CN110164918B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910111241.6

申请日：2019-02-12

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 孙暻锡 ,  金宰范 ,  文然建 ,  林俊亨

IPC: H10K59/124 ,  H10K59/131

Abstract: 有机发光显示设备，包括：基板、第一半导体元件、第二半导体元件、绝缘层结构、以及发光结构。基板具有第一区域和与第一区域邻接的第二区域。绝缘层结构设置在第二半导体元件的第二栅电极与第二有源层之间。绝缘层结构包括在相同蚀刻工艺中的具有第一蚀刻速率的第一绝缘层、设置在第一绝缘层上并具有大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率的第二绝缘层、以及设置在第二绝缘层上并具有小于第二蚀刻速率的第三蚀刻速率的第三绝缘层。发光结构设置在绝缘层结构上。

公开(公告)号：CN108511459B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN201810161546.3

申请日：2018-02-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 林俊亨 ,  金宰范 ,  孙暻锡 ,  林志勋

IPC: H01L27/12

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基体基底；第一薄膜晶体管(“TFT”)，设置在基体基底上；第二TFT，设置在基体基底上；以及多个绝缘层，设置在基体基底上，以限定至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔不与第一TFT和第二TFT叠置。第一TFT可以包括第一输入电极、第一输出电极、第一控制电极和包括晶体半导体材料的第一半导体图案，第二TFT可以包括第二输入电极、第二输出电极、第二控制电极和包括氧化物半导体材料的第二半导体图案。在平面图中，所述至少一个虚设孔和第二半导体图案之间的最短距离可以等于或小于5微米(μm)。

公开(公告)号：CN117374126A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310813426.8

申请日：2023-07-04

Applicant: 三星显示有限公司 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 李承俊 ,  金相植 ,  林俊亨 ,  赵庚娥 ,  孔熙盛

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L27/12

Abstract: 公开了一种晶体管，所述晶体管包括有源层和栅电极。有源层包括：第一导体层，包括金属原子；半导体材料层，设置在第一导体层上方；以及第二导体层，设置在半导体材料层上方，并且包括金属原子。栅电极与有源层的部分叠置，并且与有源层电绝缘。

公开(公告)号：CN107845641B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201710839142.0

申请日：2017-09-18

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  孙暻锡 ,  林志勋 ,  金亿洙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10K59/12

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基体基底；第一晶体管，包括均设置在基体基底上的第一半导体图案、第一控制电极、第一输入电极和第一输出电极；第二晶体管，包括第二半导体图案、第二控制电极、第二输入电极和第二输出电极；以及多个绝缘层。单个第一贯穿部分暴露第一控制电极和设置在第一控制电极的两侧处的第一半导体图案。

公开(公告)号：CN115881015A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211178595.0

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  金明镐 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/3233

Abstract: 提供了显示装置的像素。该像素包括发光元件、第一晶体管至第三晶体管、第六晶体管至第七晶体管、第九晶体管和第一电容器。第一晶体管连接在第一电力与第二节点之间，并且控制供给到发光元件的驱动电流。第一电容器包括连接到第一节点的一个电极和连接到第三节点的另一电极。第二晶体管连接在第三节点与数据线之间。第三晶体管连接在与第一晶体管的栅电极连接的第一节点与第二节点之间。第六晶体管连接在第一电力与连接到第一晶体管的一个电极的第五节点之间。第七晶体管连接在第二节点与连接到发光元件的阳极的第四节点之间。第九晶体管连接在第五节点与偏置电力之间。第六晶体管和第七晶体管以及第九晶体管的栅电极连接到相同的发射控制线。

公开(公告)号：CN115132924A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210152783.X

申请日：2022-02-18

Applicant: 三星显示有限公司 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 林俊亨 ,  鲁容泳 ,  具素英 ,  金亨俊 ,  朱慧慧

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括：栅极电极；绝缘层，设置在所述栅极电极上；以及有源层，设置在所述绝缘层上，其中，所述有源层包括由下式表示的钙钛矿化合物：AB(1‑u)C(u)[X(1‑v)Y(v)]3，其中，A是一价有机阳离子、一价无机阳离子或它们的任何组合，B是Sn2+，C是二价阳离子或三价阳离子，X是一价阴离子，Y是不同于X的一价阴离子，u是大于0且小于1的实数，并且v是大于0且小于1的实数。

公开(公告)号：CN114551526A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111353245.9

申请日：2021-11-16

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 全景辰 ,  具素英 ,  金亿洙 ,  金亨俊 ,  南润龙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 提供了一种显示装置。该显示装置包括：第一导电层，在基底上；钝化层，设置在第一导电层上，并且使第一导电层的至少一部分暴露；第二导电层，设置在钝化层上，并且覆盖钝化层的上表面；过孔层，在第二导电层上；第三导电层，包括第一电极、第二电极和连接图案，在过孔层上彼此间隔开；以及发光元件，具有分别设置在第一电极和第二电极上的端部。连接图案通过穿透过孔层的第一接触孔将第一导电层和第二导电层电连接。