-
公开(公告)号：CN118091354A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410236625.1
申请日：2024-03-01
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种MOS管测试电路，该电路包括触发模块、采样模块及放大模块，通过触发模块产生的驱动信号，通过驱动信号控制采样模块的工作状态，当采样模块使能启动时，通过采样模块内部的多个采样电阻对待测MOS管进行采样，得到采样电压；通过放大模块对采样电压进行放大，得到目标电压。本申请通过多个采样电阻的方式对MOS管的参数进行采样再放大，不仅避免对电流探头的依赖，降低了测试成本，还提高了测试MOS管的精度和准确度。
-
公开(公告)号：CN109786465B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201811544082.0
申请日：2018-12-17
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司 , 嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，包括半导体层、体区、源区、载流子吸收区、栅极机构及及导体连接结构，所述导体连接结构分别与所述载流子吸收区和所述源区接触，使所述载流子吸收区与所述源区电连接。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。本发明的功率半导体器件及其制造方法可提高功率半导体器件的抵抗单粒子烧毁效应(Single Event Burnout，SEB)及单粒子栅穿效应(Single Event Gate Rupture，SGER)的能力。
-
公开(公告)号：CN106711234B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710028828.1
申请日：2017-01-16
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种高频吸收二极管芯片及其生产方法，该芯片包括衬底，衬底的上表面形成有外延层，外延层上设有基区窗口，基区窗口包括压点区以及位于压点区外围的分压区，外延层将压点区与分压区隔开，基区窗口上形成有第一离子扩散层，第一离子扩散层上设有发射区窗口，发射区窗口上形成有第二离子扩散层，压点区内的第一离子扩散层、第二离子扩散层的上表面设有钝化层，分压区内的第一离子扩散层上表面形成有氧化层，氧化层、钝化层均延伸至外延层的上表面。采用本发明的芯片特别适宜于RCD电路中尖峰吸收，同时，该工艺形成的芯片在125℃下的高温漏电流比传统扩散型二极管芯片小50%以上，缺陷率低，而且本工艺简单，易于实现批量化生产。
-
-
公开(公告)号：CN108206640A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711461280.6
申请日：2017-12-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种同步整流模块、整流方法及其制造方法，同步整流模块包括MOS管、控制芯片和电容；制造方法包括以下步骤：S1，使用软焊料工艺对MOS管进行粘片；S2，使用点胶工艺对控制芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；S3，使用铝带焊接工艺对MOS管进行连接，使用铜线焊接工艺对控制芯片和电容进行连接；S4，使用低应力、耐高温塑封料进行塑封，然后烘烤固化；S5，烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成同步整流模块的制造。本发明能够有效的降低器件功率损耗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104907262B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410656712.9
申请日：2014-11-18
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Inventor： 李春来
Abstract: 本发明公开了一种轴向电子元器件混料自动检测及分料装置，包括基体、光电开关、电控阀、控制器和收料筒，基体的上表面中部设有用于通过轴向电子元器件的凹槽形通道；凹槽形通道的中段的底部设有竖直向上的吹料孔，吹料孔通过吹料风道外接由电控阀控制开、关的高压气源，收料筒安装于基体的上方；凹槽形通道中位于吹料孔的入料侧的一段的一个侧壁上设有多个用于向另一个侧壁方向吹气的定位吹气孔，定位吹气孔通过定位风道外接高压气源；光电开关安装于基体内并位于吹料孔旁边的位置，光电开关和电控阀分别与控制器对应连接。本发明所述自动检测及分料装置能实现轴向电子元器件混料的自动检测和分料，检测准确、效率高。
-
公开(公告)号：CN106129107A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610522196.X
申请日：2016-07-01
Applicant: 电子科技大学 , 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种半导体结构、半导体组件及功率半导体器件，半导体结构包括：P型半导体材料层；N型半导体材料层，与所述P型半导体材料层相邻接，与所述P型半导体材料层共同形成PN结；多层绝缘材料层，位于所述PN结的外侧，且沿所述P型半导体材料层与所述N型半导体材料层叠置的方向分布，相邻所述绝缘材料层的相对介电常数不同。本发明的半导体结构显著优化了器件耐压时的电场分布，大幅提高了器件的击穿电压；避免了结边缘电场集中效应而导致的器件耐压下降，防止了器件提前击穿；本发明避免使用场环和金属场板结构，从而减小了芯片面积，降低了器件的成本，提高了器件的可靠性。
-
公开(公告)号：CN106098565A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610516692.4
申请日：2016-07-04
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2224/37124 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2224/83801 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L21/4842 , H01L21/4825 , H01L21/4882 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3677 , H01L23/4952 , H01L23/49537 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49579
Abstract: 本发明公开了一种双面散热带引脚薄型扁平封装功率半导体器件的生产方法，包括(1)划片、(2)软焊料上芯、(3)第二管脚与芯片的连接键合、(4)塑封等步骤，在步骤(3)中，采用焊接劈刀在芯片上压出长条形带有菱形花纹的焊接点，将铝带的一端与芯片焊接；再用焊接劈刀在第二管脚上压出长条形带有菱形花纹的焊接点，将铝带的另一端与芯片焊接；铝带除焊接点外，其余部位均向上拱起，铝带向上拱起的高度不超过420um；在步骤(4)中，塑封后，铝带拱起部位的顶面距离塑封料的顶面厚度为100um‑200um。采用双面散热两排内嵌式引脚扁平封装方法，能够迅速将热量传导到器件表面，达到迅速散热从而保护产品的目的。
-
公开(公告)号：CN105241540A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510645186.0
申请日：2015-10-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS振幅测量方法，该方法包括步骤：S1，获取一幅MEMS器件的运动模糊图像；S2，在模糊图像中选取感兴趣区；S3，对感兴趣区的模糊图像进行图像处理，具体是通过小波分解，对高频信号进行增强，低频信号进行减弱；S4，将步骤S3中增强变换后的图像进行分形插值；S5，获取分形插值后的感兴趣区域的特征曲线；S6，对S5获得的特征曲线计算其分形维数；S7，根据分形维数与振幅的拟合曲线，利用拟合公式计算出器件的振幅值。本发明可以获得亚像素级的MEMS器件振幅测量精度。
-
公开(公告)号：CN104916737A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410745589.8
申请日：2014-12-09
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/048
Abstract: 本发明公开了一种新型光伏旁路模块的封装工艺，包括以下步骤：使用软焊料工艺对MOSFET进行粘片，使用超声波压焊工艺对MOSFET进行粗铝丝压焊；使用点胶工艺对智能控制电路芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；使用金丝压焊工艺对智能控制电路芯片、电容和MOSFET进行连接；使用低应力、高导热的塑封材料进行塑封，然后烘烤固化；烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成所述光伏旁路模块的封装。本发明通过对封装工艺优化，有效降低了MOSFET的导通电阻，提高了抗浪涌电流冲击能力，降低了压焊金丝的成本，提高了光伏旁路模块的导热性能，使光伏旁路模块能够满足太阳能接线盒内使用的要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
255
records
(took 0.062 seconds)
