公开(公告)号：CN114270531A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059351.3

申请日：2020-08-19

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 河原克明 ,  大岛祐一 ,  冲川满

IPC: H01L29/24 ,  C30B23/04 ,  C30B25/04

Abstract: 一种结晶膜，其包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，通过第一横向晶体生长在基板上形成第一横向晶体生长层，并在所述第一横向晶体生长层上配置掩模，进而通过第二横向晶体生长形成第二横向晶体生长层，从而得到位错密度为1×107cm‑2以下且表面积为10mm2以上的结晶膜。

公开(公告)号：CN108474115B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201680075857.7

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 香取重尊 ,  广木一亮 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: B05D1/02

Abstract: 为了提供具有工业优势质量的薄膜的目的，本发明提出了一种成膜方法。本发明的方法的实施方式包括：将含有非质子溶剂(可以是内酯或内酰胺)的原料溶液变成雾或液滴(雾化步骤)，将雾或液滴携带至设置在成膜室的基体上(雾的运送步骤)，以及优选在250℃或以下的温度使雾或液滴反应，从而在基体上成膜(成膜步骤)。

公开(公告)号：CN112424950A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046763.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝 ,  雨堤耕史

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H02M3/28

Abstract: 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，在n型半导体层(例如，将氧化物半导体作为主成分包含的n型半导体层等)与电极之间设置有一个或两个以上的p型半导体(例如，经p型掺杂的结晶性氧化物半导体等)，所述半导体装置的特征在于，所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中，并且从所述n型半导体层向所述电极内突出。

公开(公告)号：CN112151387A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010607561.3

申请日：2020-06-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 高桥勋

IPC: H01L21/465 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻处理方法、半导体装置制法、产品制法及蚀刻处理装置。本发明提供了一种能够在工业上有利地对蚀刻对象物进行蚀刻处理的蚀刻处理方法以及蚀刻处理装置。本发明涉及一种对蚀刻对象物(例如α‑Ga2O3、α‑Al2O3等)使用包含蚀刻液(例如氢溴酸等)的雾化液滴进行蚀刻处理的方法，通过在高于200℃的温度下进行蚀刻处理，从而对所述蚀刻对象物进行蚀刻处理。

公开(公告)号：CN110310996B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201910634597.8

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体以及半导体装置。所述结晶性层叠结构体包括：底层基板；和刚玉结构的结晶性氧化物半导体薄膜，直接或介由其他层设置于所述底层基板上，其中所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，所述结晶性氧化物半导体薄膜的厚度为1μm以上。

公开(公告)号：CN110804728A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911118630.8

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN110612579A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201880030994.8

申请日：2018-04-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳生慎悟 ,  佐佐木贵博 ,  人罗俊实

IPC: H01C7/04 ,  C01G53/00 ,  H01C17/20 ,  G01K7/22

Abstract: 本发明提供一种热敏电阻特性优异且机械强度也强的热敏电阻膜及其成膜方法。通过在规定的成膜条件下使热敏电阻膜的原料溶液雾化或液滴化，对得到的雾滴或液滴供给载气，将所述雾滴或液滴运送至基体之后，使所述雾滴或液滴在所述基体上热反应而进行成膜，分别得到热敏电阻特性优异的外延膜、膜厚为1μm以下的热敏电阻膜、膜厚为50nm以上且5μm以下并且所述膜厚在膜宽5mm下的分布小于±50nm的范围内的热敏电阻膜、以及膜厚为50nm以上且5μm以下并且膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下的热敏电阻膜。

公开(公告)号：CN110299414A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910634324.3

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明的目的是提供结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置，所述结晶性氧化物半导体薄膜用于形成半导体特性出色的结晶性层叠结构体。所述结晶性氧化物半导体薄膜具有刚玉结构，所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，膜厚为1μm以上，并且至少含有镓。

公开(公告)号：CN110112220A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910452653.6

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/477 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。

公开(公告)号：CN104205296A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380002360.9

申请日：2013-09-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  平尾孝

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/40 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥作为绝缘膜的功能，而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构，由此，在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。