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公开(公告)号：CN119648669A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411779954.7
申请日：2024-12-05
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
Abstract: 本发明公开一种基于光学检测的Mini LED背光功能测试方法及系统。包括如下步骤：在实验环境下控制工业相机CMOS拍摄Mini LED背光灯珠高分辨率灰度图像；通过连通区域标记算法对输入灰度图像中拍摄抓取的背光灯珠目标进行标记，同时提取目标像素位置、外接矩形尺寸、平均灰度等特征信息，并获取平均亮度特征信息；根据标记提取的目标集合与目标特征信息，结合异常判断阈值处理判断，提取出亮度异常的目标；采用目标自适应定位算法，对异常Mini LED灯珠目标进行定位输出；采用基于像素空间和目标对象的双标签检测修正算法，检测出LED Open/Short并进行定位输出。本发明可针对任一款大尺寸背光灯珠阵列的Mini LED背光板实现快速的背光灯珠光学质量检测，提高检测效率与检测精度。
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公开(公告)号：CN119630155A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411724431.2
申请日：2024-11-28
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
Inventor： 潘江涌 , 陆佳 , 沈润杰 , 丁文浩 , 高正浩 , 魏宇炀 , 陈名湛 , 汪丽茜 , 吕俊鹏 , 苏志成 , 张宇宁 , 苏玉民 , 沈忠文 , 苏中方 , 周玮琦 , 梅泽 , 何乃龙
IPC: H10H29/30 , H10H29/851 , H10K59/90 , H10K59/80 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于界面修饰的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法。Micro‑LED的结构包括分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成，并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜，用于将蓝光转换为所需颜色，实现更广泛的色域。其中，在电子传输层上添加了双官能团醚进行优化。本研究不仅能够解决传统技术中存在的多个问题，还可显著提升器件的发光效率和环境稳定性，为下一代高性能Micro‑LED的开发提供了新颖而有前景的技术解决方案。
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公开(公告)号：CN119317289A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411406461.9
申请日：2024-10-10
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
IPC: H10H29/851 , H10H20/84 , H10H29/01 , H01L25/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开一种基于双配体策略的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法，Micro‑LED的结构包括：分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成，并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含：玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜，用于将蓝光转换为所需的颜色，实现更广泛的色域。钙钛矿量子点层的发光材料为CsPbX3+PEABr+含氟取代苯基酮，其中X为卤素元素Br、I、Cl。本发明不仅可以解决传统技术中的诸多问题，还能够显著提升器件的发光效率和环境稳定性，为下一代高性Micro‑LED的开发提供新的技术解决方案和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN119194384A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411340430.8
申请日：2024-09-25
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能Micro‑LED表面介质薄膜的制备方法，针对未经处理的Micro‑LED玻璃盖板表面反射率高和影响对比度的问题，利用光学薄膜模拟分析，对Micro‑LED表面膜层的结构进行优化，并在不同工艺参数下制备结构相同的多层膜，使用可见光分光光度计、原子力显微镜和显微硬度计对实验制备的膜层进行表征。本发明方法进一步对多层减反射膜的制备工艺进行优化，得到最优工艺参数并对其进行验证，制备出硬度较高的多层减反射膜，从而实现提高Micro‑LED的发光亮度和对比度的同时还具备保护其表面的效果，该方法在Micro‑LED显示和投影应用上提供巨大的帮助。
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公开(公告)号：CN118968929A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411018571.8
申请日：2024-07-29
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室
Abstract: 本发明提供了一种Mini‑LED背光显示器的局部调光优化方法，将单帧图像分割成固定大小的块，根据图像块的亮度、环境光亮度、观看距离和人类视觉系统的对比灵敏度特性进行优化调光，对图像块进行亮度补偿后，对其进行边缘检测，如果存在堵塞伪影，基于对比灵敏度曲线峰值和边缘检测结果对图像块进行二次亮度补偿后将图像块重新合并为完整图像，否则直接将图像块重新合并为完整图像。本发明综合考虑了观看条件及人类视觉系统特性，将图像分割成固定块逐行扫描，提高了背光调光的准确性并减少能耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118818761A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411239081.0
申请日：2024-09-05
Applicant: 南京工业职业技术大学 , 新型显示与视觉感知石城实验室
Abstract: 本发明提供的一种非理想体全息光栅仿真模型的优化方法，包括体全息折射率公式的傅里叶展开，采样点的选取，采样点的非对称修正。本发明能够对在引入光栅倾斜偏差的非理想体全息光栅进行精确的模型计算和仿真，对目前针对理想光栅的计算公式进行优化，使仿真模型更贴合光栅实际参数指标，大大提高了光栅仿真的精度，从而提高了光栅仿真可靠性。
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公开(公告)号：CN118674687A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410661348.9
申请日：2024-05-27
Applicant: 苏州科技大学 , 新型显示与视觉感知石城实验室
IPC: G06T7/00 , G06N3/0464 , G06V10/82 , G06V10/774 , G06N3/08 , G06T7/10 , G06V10/40 , G06N3/048 , G06V10/80
Abstract: 本发明公开了基于卷积神经网络的无参考立体图像质量评价方法及系统。提出了基于卷积神经网络的无参考立体图像质量评价方法及系统。本发明旨在通过引入基于多任务CNN质量回归的方法解决现有技术中SIQA未探索多任务质量评估的概念，并同时考虑到人眼双目融合和竞争的感知机制，以增强相关特征提取能力，从而有效感知立体图像的质量。通过结合失真左右视图的融合和视差信息，同时利用结合左、右和立体图像的特征进行训练，使得特征融合更加充分，保持和人类主观评价较高的一致性，最终能够达到良好的准确度和预测性能。
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公开(公告)号：CN118609015A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410644380.6
申请日：2024-05-23
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
IPC: G06V20/40 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/0442
Abstract: 本发明公开了一种基于帧差卷积神经网络的视频重点区域分析方法，包括：利用SVM分类器对每个视频帧进行分类，确定视频帧所属类别；基于卷积神经网络和LSTM网络构建场景类别识别模型，用于对视频帧进行场景类别标记；根据场景类别设计热力图提取方案，对输入的图像数组数据生成灰度图作为热度权重；根据视频帧所属类别，利用热力图与加权矩阵相乘得到的结果，获取权值最大的区域作为截取部分的中心点；根据计算出的截取部分的中心点坐标对视频帧进行裁剪，将处理后的竖屏画面在前端进行显示。本发明能够准确地进行视频的裁剪，最后在前端显示出裁剪后视频画面的重点部分，提供更好的竖屏观看体验。
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公开(公告)号：CN118330877A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410535367.7
申请日：2024-04-30
Applicant: 东南大学 , 新型显示与视觉感知石城实验室
IPC: G02B27/00 , G02B5/18 , G02F1/1335
Abstract: 本发明公开了一种基于混合矩阵的多层变周期偏振体全息光栅衍射仿真方法，将待仿真的多层变周期偏振体全息光栅切分、使得切分后的每一层可被视为具有恒定纵向周期的单层偏振体全息光栅。对多层变周期偏振体全息光栅的全局混合矩阵进行初始化。对切分得到的每一层被视为具有恒定纵向周期的单层偏振体全息光栅，通过严格耦合波理论推导出其单层混合矩阵，并用此单层混合矩阵更新全局混合矩阵，重复该步骤遍历所用的光栅切层，完成对全局混合矩阵的计算。利用入射光信息与全局混合矩阵进行电磁场边界条件的匹配，从而计算出偏振体全息光栅对入射光的各级衍射效率，完成仿真。通过对偏振体全息光栅的结构设计，预先给出相应的衍射特性，指导工艺研发，提升产品良率。
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公开(公告)号：CN117976790A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410186329.5
申请日：2024-02-20
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室
Abstract: 本发明公开了一种提高光提取效率的LED芯片结构及制备方法，该结构基于GaN基半导体发光。整体结构包括P型GaN层、量子阱、N型GaN层、带有V型沟槽结构的衬底结构与底部金属反射膜。其中P型GaN层以及量子阱层经由光电激发后发射光子，衬底位于N‑GaN层上方，向下发射的光子经由金属反射膜反射后向上传播至衬底中。衬底下方经由蚀刻在其表面形成V型沟槽，在单个像素下组成了独立的微反射结构，原本发散的光子经由V型沟槽侧壁向发光方向反射，有效提高了单个像素的光输出效率。本发明通过蚀刻沟槽的方法，实现了LED芯片单个像素的亮度集中，提高了了显示芯片整体亮度，可应用于头戴式显示、车载抬头显示、微型投影等设备中作为微显示图像发光单元。
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