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公开(公告)号：CN118398747A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410332134.7
申请日：2024-03-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/58 , H01L25/075 , H01L33/54
Abstract: 本发明公开了一种曲面微结构阵列的制备方法，通过在柔性基底上设置柔性牺牲层，通过主动制冷技术在柔性牺牲层上制备微液滴阵列，然后将曲面光学透镜压入柔性牺牲层，实现将微液滴阵列转移复制到曲面光学透镜表面。这种方法能实现不同形状曲面表面排布紧密的微结构阵列制备，解决了传统光刻、模具压印方法无法在曲面上制备微结构阵列的难题。本发明还公开了一种金黄光LED封装模块，包括LED芯片、基板、固晶层、引线、曲面光学透镜和高透光聚合物层，高透光聚合物层表面设有由上述方法制备的排布紧密的微结构阵列，能实现金黄光LED封装模块不同颜色芯片出光的混光，提升空间颜色均匀性。
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公开(公告)号：CN118352442A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410558069.X
申请日：2024-05-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种LED封装方法及其封装结构，在采用点胶工艺制备LED塑料支架封装灯珠的过程中，通过调整点胶与加热固化工艺参数实现大体积光学透镜，同时采用特殊结构夹具和分段加热固化工艺实现特定形状一次光学透镜，同时保证了LED封装模块成品的高光提取效率。本发明技术方案具有工艺简单、灵活稳定和成本低的优点。
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公开(公告)号：CN117976794A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410076919.2
申请日：2024-01-19
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED的钝化层，所述Micro LED为具有金属反射镜的阵列结构，金属反射镜作用为改变出光路径，钝化层包覆金属反射镜并填充Micro LED阵列间沟槽，钝化层材料为有机物。本发明还公开了包含钝化层的Micro LED。有机物制备钝化层的过程处于常温、常压的大气环境中，最大程度的减小金属迁移及氧化现象；本发明公开的钝化层具有良好的绝缘性、热稳定性、粘结性、高透光率和较好的机械性能，适用于金属反射镜的隔离及绝缘钝化，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN117936665A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410121667.0
申请日：2024-01-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开一种垂直结构Micro LED显示器件制备方法，包括S1、半导体层制备；S2、将半导体层转移至Micro LED基板；S3、Micro LED阵列制备；S4、第一电极制备；S5第二电极制备。步骤S2采用面对面键合将半导体层转移至Micro LED基板，无需制备金属凸点，无需对准键合，避免了现有单片集成方案需要将金属凸点对准键合的难点，在键合前未采用刻蚀等工艺，半导体表面平整，无需采用电极垫高等工艺，减少了制备过程中光刻次数，降低了制备难度。在键合前未采用刻蚀等工艺，半导体表面平整，因此键合金属层的厚度较薄，降低了键合金属用量，能在一定程度上降低制造成本。
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公开(公告)号：CN117587379A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311585344.9
申请日：2023-11-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种用于提升MOCVD薄膜生长均匀性的装置。该装置通过设置气体屏蔽分流罩，在分流罩上开设规律分布的通气孔；利用通气孔通气面积及其分布的变化，调节气体通路各处的流导，从而促使MOCVD反应腔内气体在外延衬体表面流动时形成更为均匀稳定的层流，最终助力于MOCVD薄膜生长均匀性的提升。另外该气体屏蔽分流罩兼具热屏蔽功能，可以降低MOCVD反应腔内的温度梯度，同时可以减少MOCVD反应腔的热损耗，实现节能降耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119403313A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000250.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/812 , H10H20/811 , H10H20/825 , H10H20/01 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种LED量子阱的外延结构及其生长方法。包括有源层，有源层由多个单元结构周期性堆叠组成，每一单元结构包括依次生长的量子阱层、盖层和量子垒层，其中：量子阱层包括交替生长的铟镓氮层和处理层形成的超晶格结构。本发明的铟镓氮生长时间短，单层厚度为传统铟镓氮厚度的5%～15%，大幅减少了铟镓氮受到的压应力，提升了量子阱的晶体质量。并且，在短时间的铟镓氮生长后保持氨气和铟进行处理，可以减少氮空位缺陷，同时还能减少铟镓氮中铟的分解，减少了量子阱中的缺陷。本发明明显提升量子阱的晶体质量，显著提高了LED在小电流密度下的发光效率。
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公开(公告)号：CN118782592A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410108848.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用的TO型封装阵列式光电探测器，阵列式光电探测器的芯片是由所有的单元芯片通过预设的电极线以并联的方式汇聚在公共的N型触点上，单元芯片以阵列形式分布在阵列式光电探测器的基底上，单元芯片的外延层为N‑GaN、InGaN/GaN量子阱、P‑GaN、互补电极、金属反射镜、钝化层、N电极和硅衬底；所述阵列式光电探测器为TO型封装结构，该结构包括TO管座、2个与TO管座径向相平行的圆孔形状的接地引脚和导通引脚以及玻璃镜片光窗尺寸可调的TO管帽，接地引脚和N型触点之间通过金丝键合线相连接。阵列式光电探测器芯片结合TO型封装能够有效提高光电探测器的性能，并且保障信号在进行光电转换时尽可能减小干扰，提高可见光通信的通信速率。
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公开(公告)号：CN118501641A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410148569.6
申请日：2024-02-02
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于散射参数测量LED载流子寿命方法，实现方案是：测试目标LED在不同直流偏置下的散射参数；基于目标LED的正向传输系数S21获得电光带宽，通过拟合电光带宽与电流密度得到的函数关系式，计算得到载流子寿命和RC时间常数之和与电流密度的关系式；通过LED等效电路的阻抗函数对目标LED的输入反射系数S11进行拟合，获得LED等效电路中各元件电学参数，并计算得到RC带宽；通过拟合RC带宽与电流密度得到的函数关系式，计算得到RC时间常数与电流密度的关系式；最后联立求解得到得到目标LED载流子寿命与电流密度的关系式。本发明可以实现测量电致发光下LED载流子寿命，可对LED载流子复合行为及机理研究以及LED调制特性研究提供一定帮助。
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公开(公告)号：CN118258492A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410219206.7
申请日：2024-02-28
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本发明公开了一种单pn结多量子阱结构探测器信号处理方法。该方法针对单pn结多量子阱结构探测器，利用该探测器在光照下伏安特性曲线具有台阶或拐点的特性，结合台阶或拐点处的量子效率曲线，对探测器所测的伏安特性曲线进行数学处理，剥离重叠的光串扰信号，倒推出入射光的各波段信息，能够有效实现单色或多色探测。
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公开(公告)号：CN118167944A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410374245.4
申请日：2024-03-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: F21K9/20 , F21V19/00 , F21K9/69 , F21K9/90 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种多基色LED光源模块、配光方法、发光装置，该光源模块由若干颗多基色LED灯珠组成，每颗多基色LED灯珠包含一种或两种主波长的LED芯片，相同主波长的LED芯片对角分布；通过配光方法对不同颜色LED芯片的光通量进行配光计算，得出所需不同颜色LED芯片的数量，组合得到各种多基色LED灯珠的数量配比，最终得到2200K~2900K低色温光源；本发明所实现的低色温无荧光粉多基色LED发光装置不使用荧光粉，避免了荧光粉带来的光损失和蓝光泄露，具有低色温、高穿透力、高显指的优点，并采用单路恒流驱动，有利于提升可靠性和降低成本。
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