公开(公告)号：CN100373520C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN02824252.1

申请日：2002-12-05

Applicant: 先锋株式会社

Inventor： 根岸伸安 ,  山田高士 ,  吉川高正 ,  小笠原清秀 ,  佐藤英夫 ,  中马隆 ,  岩崎新吾 ,  酒村一到 ,  秦拓也

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022

Abstract: 电子发射器件及其制造方法以及使用该器件的显示装置。一种电子发射器件，其包括：由硅、含有硅作为主要成分的混合物以及非晶相的硅化合物中的至少一种制成的电子供应层；形成在所述电子供应层上的绝缘体层；以及形成在所述绝缘体层上的薄膜金属电极。一旦在所述电子供应层和所述薄膜金属电极之间施加电场就发射电子。所述绝缘体层具有构成电子发射部分的至少一个岛区，在该岛区中所述绝缘体层的膜厚逐渐减小。该电子发射器件还包括设置在岛区的顶部、底部和内部中的至少一个上的由碳和碳化合物之一制成的碳区。所述岛区具有在最小厚度部分或其邻近部分中的所述电子供应层内的结晶区，该结晶区由硅、含有硅作为主要成分的混合物以及硅化合物中的至少一种制成。

公开(公告)号：CN1801450A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510127553.4

申请日：2005-12-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边敏光 ,  甲展明 ,  铃木睦三 ,  佐川雅一

IPC: H01J31/12 ,  H01J1/30 ,  H01J1/312 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  G09F9/30

CPC classification number: G09G3/22 ,  B82Y10/00 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125

Abstract: 本发明提供一种可以在使用电子发射元件的图像显示装置中有效显示明亮图像的技术。为此，本发明的图像显示装置具备多个电子发射元件(206、216、207、217、208、218)、与该多个电子发射元件分别相对而设并通过该电子发射元件发出的电子而发光的多个荧光体(103～105)。上述电子发射元件是在二个金属层之间夹着绝缘层的电容性的电子发射元件。设置分别与多个荧光体对应，并相互电气串联连接的二个电容性的电子发射元件(206－216、207－217、208－218)。

公开(公告)号：CN1647226A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03808629.8

申请日：2003-04-17

Applicant: 惠普开发有限公司

Inventor： T·诺维特 ,  D·M·舒特

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  Y10S977/939

Abstract: 一种发射器(10)，包括电子提供层(16)，在电子提供层上定义发射区域的氧化层(15)，以及在发射区内并且与电子提供层接触的量子点沸石发射层(14)。量子点沸石发射层包括多个笼罩，并把半导体材料保持在这些笼罩内。

公开(公告)号：CN1537326A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN03800758.4

申请日：2003-05-14

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 渡部祥文 ,  相泽浩一 ,  菰田卓哉 ,  幡井崇 ,  本多由明

IPC: H01L21/316 ,  C25D11/32 ,  H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01L21/02238 ,  C25D11/32 ,  C25D21/12 ,  H01J9/025 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/0231 ,  H01L21/31675 ,  H01L21/31687

Abstract: 公开了用于半导体层的电化学氧化的方法。在用于作为电子器件之一的电子源10(场致发射类型电子源)的生产过程中的电化学氧化处理过程中，基于来自电阻检测部分35的检测电压，控制部分37预先测定由于电解溶液B的电阻导致的电压增量。然后，控制部分37控制电源以供应恒电流，以便引发对于在物体30上形成的半导体层的氧化处理。控制部分37通过从中减去电压增量来校正来自电压检测部分36的检测电压。当校正电压达到给定的上限电压值时，可以操作控制部分37来中断电源32的输出和终止氧化处理。本发明使得可以生产在其特性方面具有减小的变化的电子器件。

公开(公告)号：CN1533608A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN03800686.3

申请日：2003-03-07

Applicant: 松下电工株式会社 ,  越田信义

Inventor： 菰田卓哉 ,  越田信义 ,  栎原勉

IPC: H01L29/06 ,  H01L33/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  C09K11/59 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022

Abstract: 所公开的是一种电子源10，该电子源包括形成于绝缘基片1一侧表面上的电子源元件10a。电子源元件10a包括下电极2，复合纳米晶体层6和表面电极7。复合纳米晶体层6包括多个多晶硅晶粒51，在每个晶粒51表面上形成的氧化硅薄膜52，存在于相邻晶粒51之间的大量纳米晶体硅63，以及在每个纳米晶体硅63表面形成的氧化硅膜64。氧化硅膜64是厚度小于纳米晶体硅63晶粒大小的绝缘膜。表面电极7是由碳薄膜7a和金属薄膜7b形成，碳薄膜7a层压在复合纳米晶体层6上与其相接触，而金属薄膜7b层压在碳薄膜7a上。

公开(公告)号：CN1419703A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN01807112.0

申请日：2001-03-26

Applicant: 科学技术振兴事业团

Inventor： 越田信义

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02 ,  H01J1/62 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01J63/06 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J31/127

Abstract: 提供采用给半导体的纳米结构微晶层或半绝缘层加上电场，借助于多重隧道效应使之产生弹道电子或准弹道电子的办法以高的控制性产生弹道电子的方法，和具备实用性的材料构成的使用该方法的半导体元件。

公开(公告)号：CN109478485B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201780043766.X

申请日：2017-07-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 足立克己 ,  平川弘幸 ,  岩松正

IPC: H01J1/312

Abstract: 电子释放元件(20)具备：相互对置地配置的第一电极(30a)以及第二电极(40)、设置于第一电极(30a)与第二电极(40)之间的中间层(50)、在基板(30)之上以厚度d1形成的绝缘层(60)。绝缘层(60)与第一电极(30a)的阶差小于绝缘层(60)的厚度d1。

公开(公告)号：CN109478485A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043766.X

申请日：2017-07-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 足立克己 ,  平川弘幸 ,  岩松正

IPC: H01J1/312

Abstract: 电子释放元件(20)具备：相互对置地配置的第一电极(30a)以及第二电极(40)、设置于第一电极(30a)与第二电极(40)之间的中间层(50)、在基板(30)之上以厚度d1形成的绝缘层(60)。绝缘层(60)与第一电极(30a)的阶差小于绝缘层(60)的厚度d1。

公开(公告)号：CN104795296B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201410024482.4

申请日：2014-01-20

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  李德杰 ,  张春海 ,  周段亮 ,  杜秉初 ,  范守善

IPC: H01B1/04 ,  H01J1/312 ,  H01J29/04 ,  H01J29/18 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01B1/04 ,  H01J1/312 ,  H01J29/18 ,  H01J31/127

Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，包括：多个条形第一电极，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸；多个条形第二电极，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，所述多个条形第一电极和多个条形第二电极交叉且间隔设置，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极定义一电子发射单元，每一电子发射单元进一步包括位于条形第一电极与条形第二电极之间且依次层叠设置的一绝缘层、一电子收集层以及一半导体层，所述电子收集层为一导电层。本发明还提供一种电子发射显示器。

公开(公告)号：CN104795294A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410024369.6

申请日：2014-01-20

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  李德杰 ,  张春海 ,  周段亮 ,  杜秉初 ,  范守善

IPC: H01J1/312 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J31/12 ,  H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J29/02 ,  H01J29/18 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0478 ,  H01J2329/0484

Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述第一电极为一碳纳米管层，每一电子发射单元中的半导体层具有多个间隔设置的孔洞，对应孔洞位置处的碳纳米管层悬空设置。