公开(公告)号：CN110246693B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201910171089.0

申请日：2019-03-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 熊谷道广 ,  吉川和弘 ,  吉田健一 ,  中本淳己 ,  松坂则彦

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/08

Abstract: 本发明提供一种薄膜电容器的制造方法，该薄膜电容器具备将至少一个电介质层夹持于多个电极层中包含的一对电极层的电容部，该制造方法包括：层叠工序，将多个电极层和成为电介质层的电介质膜交替层叠而形成成为电容部的层叠体；第一蚀刻工序，形成层叠体中沿层叠方向延伸的开口，在开口的底面，使层叠于多个电极层中的一个电极层的正上方的电介质膜露出；第二蚀刻工序，在开口的底面使一个电极层露出。在第二蚀刻工序中，一个电极层的蚀刻速率比电介质膜的蚀刻速率低。

公开(公告)号：CN104070294B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410123211.4

申请日：2014-03-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 吉田健一 ,  堀川雄平 ,  阿部寿之

IPC: B23K33/00

CPC classification number: H01R4/02 ,  B23K35/00 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2924/01322 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有优异的接合强度的电子器件用的接合构造。本发明的一个侧面所涉及的电子器件用的接合构造（10）具备包含镍的第1金属层（11）、以及形成在第1金属层（11）之上且包含金、锡和镍的第2金属层（12），第2金属层（12）包含AuSn共晶相。

公开(公告)号：CN104070294A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410123211.4

申请日：2014-03-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 吉田健一 ,  堀川雄平 ,  阿部寿之

IPC: B23K33/00

CPC classification number: H01R4/02 ,  B23K35/00 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2924/01322 ,  H05K3/3463 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有优异的接合强度的电子器件用的接合构造。本发明的一个侧面所涉及的电子器件用的接合构造（10）具备包含镍的第1金属层（11）、以及形成在第1金属层（11）之上且包含金、锡和镍的第2金属层（12），第2金属层（12）包含AuSn共晶相。

公开(公告)号：CN102545401A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110446340.3

申请日：2011-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 吉田健一 ,  高桥茂也 ,  绳和明

IPC: H02K1/06 ,  H02K33/18

CPC classification number: H02K41/0358

Abstract: 本发明涉及音圈马达用永久磁铁部件及音圈马达，能更加稳定地控制从磁盘上转离后的磁头。将具有从长边缘相对于圆周中心向相反侧突出的凸部的VCM用永久磁铁部件(10)放置于磁轭(15)之上的情况下，厚度之和(P1+P2)为最大值的端部P侧，也就是凸部侧的磁铁素体(111)的上表面侧比其他区域的磁铁素体的上表面侧都高。因此，凸部的磁铁素体(111)靠近锁销，锁销(21)和VCM用永久性磁铁部件(10)的磁吸引力变强，可以在磁头从磁盘上转离后(锁上时)，使锁止更加稳固，提高稳定性。

公开(公告)号：CN115769324A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202080102555.0

申请日：2020-12-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石井大基 ,  矢野义彦 ,  山下由贵 ,  吉田健一 ,  高桥哲弘

IPC: H01G9/048

Abstract: 本发明提供相对于电路基板的密合性高的薄膜电容器。薄膜电容器(1)具备：金属箔(10)，其上表面(11)被粗面化；电介质膜(D)，其覆盖金属箔(10)的上表面(11)，具有使金属箔(10)局部露出的开口部；第一电极层，其经由开口部与金属箔(10)相接；第二电极层，其不与金属箔(10)相接而与电介质膜(D)相接。第一及第二电极层不覆盖金属箔(10)的上表面(11)的外周区域(15)，而形成于被外周区域(15)包围的区域。这样，金属箔(10)的粗面化的上表面(11)的外周区域(15)露出，因此，与电路基板的密合性上升。

公开(公告)号：CN113053667B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202011550264.6

申请日：2020-12-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大桥武 ,  户田慎一郎 ,  楠大辉 ,  大塚隆史 ,  吉川和弘 ,  吉田健一

IPC: H01G4/40

Abstract: 防止下部电极和电感器图案与电介质膜的界面剥离且降低电感器图案的电阻值。电子部件(1)具有：包含为下部电极的导体图案(15)和为第一电感器图案的导体图案(16)的导体层(M1)；覆盖导体图案(15)的电介质膜(4)；隔着电介质膜(4)层叠于下部电极且为上部电极的导体图案(18)；覆盖导体层(M1)、电介质膜(4)和导体图案(18)的绝缘层(6)；设置于绝缘层(6)上且包含为第二电感器图案的导体图案(26)的导体层(M2)，导体图案(16)、(26)经由贯通绝缘层(6)设置的通孔导体并联连接。由于第一和第二电感器图案并联连接，可防止下部电极和电感器图案与电介质膜的界面剥离且降低电感器图案的电阻值。

公开(公告)号：CN113115509A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110022120.1

申请日：2021-01-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 奥山祐一郎 ,  大桥武 ,  桑岛一 ,  大塚隆史 ,  吉川和弘 ,  吉田健一

IPC: H05K1/02 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明在具有在基板上交替层叠有多个导体层和多个绝缘层的构造的电子部件中，提高从侧面的散热性。电子部件(1)具备基板(2)、在基板(2)上交替层叠的多个导体层(M1～M4)以及多个绝缘层(11～14)。多个绝缘层(11～14)的侧面(11s～14s)具有比基板(2)的侧面(2s)后退的凹部(11a～14a)和从凹部(11a～14a)突出的凸部(11b～14b)。这样，由于绝缘层(11～14)的侧面(11s～14s)具有凹凸形状，因此侧面(11s～14s)的露出面积增加。由此，能够提高从侧面(11s～14s)的散热性。

公开(公告)号：CN105282963B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510364402.4

申请日：2015-06-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 吉田诚 ,  吉田健一 ,  井上亨 ,  土门孝彰 ,  太田尚志 ,  小山内胜则

IPC: H05K1/02 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01P3/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y99/00 ,  H01P3/122 ,  H01P9/006 ,  H01Q1/368 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/40 ,  Y10S977/742

Abstract: 本发明的目的在于提供一种交流电阻小的高频传输线路、天线以及电子电路基板。高频传输线路(2)的特征在于：传输交流电信号，包含金属以及碳纳米管，碳纳米管偏在于垂直于交流电信号传输方向的高频传输线路(2)的截面的周缘部(8)。

公开(公告)号：CN105282963A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510364402.4

申请日：2015-06-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 吉田诚 ,  吉田健一 ,  井上亨 ,  土门孝彰 ,  太田尚志 ,  小山内胜则

IPC: H05K1/02 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01P3/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y99/00 ,  H01P3/122 ,  H01P9/006 ,  H01Q1/368 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/40 ,  Y10S977/742 ,  H05K1/024 ,  H01Q23/00 ,  H05K2201/09218

Abstract: 本发明的目的在于提供一种交流电阻小的高频传输线路、天线以及电子电路基板。高频传输线路(2)的特征在于：传输交流电信号，包含金属以及碳纳米管，碳纳米管偏在于垂直于交流电信号传输方向的高频传输线路(2)的截面的周缘部(8)。

公开(公告)号：CN102545401B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110446340.3

申请日：2011-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 吉田健一 ,  高桥茂也 ,  绳和明

IPC: H02K1/06 ,  H02K33/18

CPC classification number: H02K41/0358

Abstract: 本发明涉及音圈马达用永久磁铁部件及音圈马达，能更加稳定地控制从磁盘上转离后的磁头。将具有从长边缘相对于圆周中心向相反侧突出的凸部的VCM用永久磁铁部件(10)放置于磁轭(15)之上的情况下，厚度之和(P1+P2)为最大值的端部P侧，也就是凸部侧的磁铁素体(111)的上表面侧比其他区域的磁铁素体的上表面侧都高。因此，凸部的磁铁素体(111)靠近锁销，锁销(21)和VCM用永久性磁铁部件(10)的磁吸引力变强，可以在磁头从磁盘上转离后(锁上时)，使锁止更加稳固，提高稳定性。