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公开(公告)号：CN1607467A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410092383.6
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN1198171C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02141390.8
申请日：2002-07-09
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L21/3105
CPC classification number: G02F1/134363 , B05D3/107 , G02F2201/48
Abstract: 将有机薄膜被覆在绝缘基片上，并使有机溶剂渗透进入该有机薄膜中，引起有机薄膜溶解，以平坦化有机薄膜。之后，在100-180℃的温度下对该平坦化有机薄膜进行热处理，以蒸发包含在有机薄膜中的有机溶剂。在相对低的温度，即100-180℃下蒸发包含在有机薄膜中的有机溶剂，可降低有机薄膜被覆的布线层上的热应力，并提供绝缘基片表面的平坦度。
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公开(公告)号：CN1599026A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410082408.4
申请日：2004-09-17
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0273 , H01L21/67069 , H01L21/6708 , H01L21/67173
Abstract: 提供一种可适用于半曝光工艺，药液溶解回流工艺的基板处理装置以及处理方法。整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、用于对基板实施药液处理的药液处理单元(21)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。或整体性配置进行基板传送的基板传送机构(12)、调整基板温度的温度调整处理单元(19)、用于对基板实施气体气氛处理的气体气氛处理单元(22)。
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公开(公告)号：CN1555085A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200410071265.7
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN1555083A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200410071262.3
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100514191C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410092383.6
申请日：2002-08-28
Applicant: NEC液晶技术株式会社
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/6715 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68764
Abstract: 一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。
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公开(公告)号：CN101344716A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810136145.9
申请日：2008-07-10
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Abstract: 一种用于形成具有不同膜厚度的不同抗蚀图案的半色调掩模，所述半色调掩模包括：用于形成第一抗蚀图案的第一掩模图案；用于形成具有小于第一抗蚀图案的膜厚度的第二抗蚀图案的第二掩模图案；以及形成第二掩模图案的至少部分边缘区域的第三掩模图案。第三掩模图案用于形成具有大于第二抗蚀图案的膜厚度的第三抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN1892444A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610093729.3
申请日：2004-09-20
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
Abstract: 本发明提供处理衬底上形成的有机膜图案的方法，其包括：第一步骤(步骤S11)，去除有机膜图案表面上形成的变质层或沉积层；和第二步骤(步骤S12和S13)，将有机膜图案的至少一部分缩小，或去除所述有机膜图案的一部分。
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公开(公告)号：CN1605942A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410082500.0
申请日：2004-09-20
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
IPC: G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/425 , G02F1/1303 , H01L21/0273 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供处理衬底上形成的有机膜图案的方法，其包括：第一步骤(步骤S11)，去除有机膜图案表面上形成的变质层或沉积层；和第二步骤(步骤S12和S13)，将有机膜图案的至少一部分缩小，或去除所述有机膜图案的一部分。
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公开(公告)号：CN1599039A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410082501.5
申请日：2004-09-20
Applicant: NEC液晶技术株式会社
Inventor： 城户秀作
IPC: H01L21/3213 , H01L21/00
CPC classification number: C07C239/10 , C07D213/04 , G03F7/40 , G03F7/425 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/0273 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/32138 , H01L21/67161 , H01L21/67207
Abstract: 本发明提供衬底处理方法，该方法包括对衬底31上形成的有机膜图案(32)进行处理的步骤，所述处理步骤依次包括：去除步骤，去除有机膜图案(32b)上形成的变质层(32a)；溶解变形处理，将有机膜图案(32)溶解变形，其中去除步骤的至少一部分通过对有机膜图案(32)实施药液处理来进行。
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