公开(公告)号：CN100423199C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200480030494.2

申请日：2004-10-06

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 松木安生 ,  王道海 ,  酒井达也 ,  岩泽晴生

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  B05D3/00 ,  B32B15/01 ,  C01B33/04 ,  C07F17/02

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C07F17/02 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/14

Abstract: 本发明提供一种不需要高价的真空装置或高频发生装置、并且制造成本低的用于形成硅-钴膜的组合物和方法。所述用于形成硅-钴膜的组合物含有硅化合物和钴化合物。将该组合物涂布在基体上，通过热和光进行处理时，形成硅-钴膜。

公开(公告)号：CN100423197C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN03801435.1

申请日：2003-08-15

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 松木安生 ,  岩泽晴生 ,  加藤仁史

IPC: H01L21/208

CPC classification number: C23C24/10 ,  C23C26/02 ,  C30B7/005 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明提供含有硅粒子和分散介质的硅膜形成用组合物以及在基体上形成上述硅膜形成用组合物的涂膜，接着进行瞬间熔融、热处理或者光处理的硅膜的形成方法。采用该组合物和方法，能够高效率并且简便地形成用作为太阳能电池的硅膜那样的具有所要求的膜厚的多晶硅膜。

公开(公告)号：CN100355653C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200480000672.7

申请日：2004-06-11

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 岩泽晴生 ,  王道海 ,  松木安生 ,  加藤仁史

IPC: C01B33/04 ,  C01B33/021 ,  H01L21/208

CPC classification number: C09D183/16 ,  C01B33/08 ,  C09D4/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  C08G77/00

Abstract: 本发明提供从在基板上涂布时的浸润性、沸点和安全性的观点来看，分子量更大的硅烷聚合物。特别是提供可以容易地形成优质的硅膜的组合物。本发明还提供含有对具有光聚合性的硅烷化合物照射特定波长范围的光线进行光聚合得到的硅烷聚合物的硅膜形成用组合物，以及在基板上涂布该组合物，并进行热处理和/或光处理的硅膜形成方法。

公开(公告)号：CN1697781A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000672.7

申请日：2004-06-11

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 岩泽晴生 ,  王道海 ,  松木安生 ,  加藤仁史

IPC: C01B33/04 ,  C01B33/021 ,  H01L21/208

CPC classification number: C09D183/16 ,  C01B33/08 ,  C09D4/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  C08G77/00

Abstract: 本发明提供从在基板上涂布时的浸润性、沸点和安全性的观点来看，分子量更大的硅烷聚合物。特别是提供可以容易地形成优质的硅膜的组合物。本发明还提供含有对具有光聚合性的硅烷化合物照射特定波长范围的光线进行光聚合得到的硅烷聚合物的硅膜形成用组合物，以及在基板上涂布该组合物，并进行热处理和/或光处理的硅膜形成方法。