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公开(公告)号：CN114709259A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210313758.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管，包括自下而上依次层叠设置的衬底区、有源区和表面功能区；本发明在阳极侧集成肖特基势垒栅，并延申到器件内部的N缓冲区形成肖特基接触。当器件从导通态转变至关断态时，阳极加在辅助栅上的电压使得阳极侧打开一条额外的电子提取通路，过剩载流子的复合时间大大缩短，从而提升器件关断时的速度，降低关断损耗。正向导通时，通过调整阳极结构，使得阳极侧的电子提取通路在阳极P+开始向N区注入空穴后开启，可以解决正向导通时的负阻效应，从而实现无正向折回现象。
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