扫描电镜试样的高精度制备方法

    公开(公告)号:CN103293047B

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201310270745.5

    申请日:2013-06-28

    Applicant: 重庆大学

    Inventor: 张志清

    Abstract: 本发明公开了一种扫描电镜试样的高精度制备方法,包括以下步骤:S1)制备多个金属圆锥件,把多个金属圆锥件均匀设置在试样截面的周边;S2)磨削试样,测量试样断层截面上各个金属圆锥件椭圆形截面的长轴与短轴长度,通过不断磨削使最终各个金属圆锥件椭圆形截面的长轴与短轴之比达到1:1;S3)运用立体几何方法计算出其磨削的距离;S4)重复以上的磨削与测量计算,最终获得平整断层截面与特定距离层面的试样。本发明的扫描电镜试样的高精度制备方法,其制备过程的测量与计算简单方便,加工工艺简单,控制手段可靠有效。另外,本发明的方法中采用金属圆锥件代替具有菱形锥凹槽的L形钢块,降低了试样的制作成本。

    一种高纯钽溅射靶材的加工工艺

    公开(公告)号:CN102000702B

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201010599296.5

    申请日:2010-12-21

    Applicant: 重庆大学

    Abstract: 本发明公开了一种高纯钽溅射靶材的加工工艺,将锻造开坯后的钽溅射靶材圆坯进行轧制处理,其特征在于,在轧制过程中每轧制一道次将轧制方向旋转135°后进行轧制,且道次压下量的弧厚比控制在2~3。总轧制道次需与弧厚比及总的形变量配合,总形变量为90%。采用本发明提供的加工工艺,通过调整工艺参数,可将溅射面的晶粒尺寸控制在100±20μm,γ织构的含量可以控制在30-60%,随机织构含量可以控制在30-60%。溅射面心、中、边晶粒尺寸及织构分布皆可以达到以上标准,沿厚度方向晶粒尺寸可以控制在100±15μm。以上晶粒尺寸及织构分布可以完全满足工业生产需求,加工工艺简单,控制手段可靠有效。

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