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公开(公告)号：CN114573642A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210187207.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 许昌学院
IPC: C07F15/04 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物，有良好的耐空气水分稳定性，较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，以及良好的成膜性能，可用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出良好的Ni基薄膜。同时本发明合成方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本。
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公开(公告)号：CN113717233A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111171426.X
申请日：2021-10-08
Applicant: 许昌学院
IPC: C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种新型的信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，合成方法简单、合成条件温和。该氨基吡啶基氯化Co(II)化合物具有良好的耐空气水分稳定性，有良好的挥发性和热稳定性，具有良好的成膜性能。本发明以氨基吡啶基氯化Co(II)化合物作为CVD/ALD的前驱体，通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺，制备Co基薄膜如Co金属薄膜等，大大降低了前驱体材料的成本；该前驱体材料所具有的良好耐空气水分稳定性使得前驱体材料操作性、运输、输送以及加工过程变得简单易操作。
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公开(公告)号：CN112326748A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011003681.9
申请日：2020-09-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供一种溶菌酶蛋白质变性过程的监测方法，包括以下基本步骤：电解池的构建；溶菌酶蛋白分子折叠过程检测；数据处理；溶菌酶蛋白分子变性前后脉冲信号对比分析，本发明可实现天然蛋白质的折叠中间态以及展开态的检测与区分，可揭示变性剂作用于蛋白分子的方式，进而有助于深入理解蛋白质折叠方式以及蛋白质相关疾病药物的研发，相比于传统技术，本发明所提供的方法具有简单、快速、低成本、高灵敏度、数据重现性好的优点，可广泛用作生物学和临床医学关于蛋白质相关研究的辅助分析手段。
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公开(公告)号：CN112300400A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011003684.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明提供一种镉基金属有机骨架Cd‑MOF材料的制备方法及其应用，其特征在于，所述Cd‑MOF材料的制备方法为：步骤一：将硝酸镉溶解在水中，将配体5‑(双(4‑羧基苄基)氨基)‑间苯二甲酸溶解到N,N‑二乙基甲酰胺中，并将两者与乙醇混合；步骤二：将混合后的溶液倒入聚四氟乙烯反应釜内衬中进行超声处理；步骤三：将反应釜放入鼓风干燥箱中进行加热；步骤四：将反应釜冷却至室温后，将反应液过滤，得到黄色花瓣状的Cd‑MOF晶体。本发明合成的述Cd‑MOF荧光材料的合成方法简单，且产量和纯度较高，通过单晶衍射可解析出MOF的准确结构，且本发明合成的Cd‑MOF荧光材料在区分检测α，β－不饱和醛和饱和醛时，具有操作简单、耗时少、成本低的特点。
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公开(公告)号：CN106549162A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510607684.6
申请日：2015-09-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种复合电极材料、其制备方法及其在全钒液流电池中的应用。该制备方法包括以下步骤：将有机碳源前驱体溶于水或有机溶剂或其混合物中；加入一定量的微纳米球形颗粒材料作为硬模板；将三维碳基底材料置于悬浮液中充分浸渍，然后将其置于管式炉里进行碳化，最后将材料酸洗以除去作为硬模板的颗粒，并进行反复水洗、干燥。该复合电极材料的表面呈均匀多孔的形貌，孔道贯通，孔径尺寸为微纳米级别，具有较高的比表面积和孔隙率，同时表面含有一定数量的含氧官能团如羟基、羧基、内酯基等。该复合电极材料可同时用作全钒液流电池电极材料，具有较强的电催化活性，明显降低了VO2+/VO2+氧化还原电对电极反应的电荷传递阻抗及由此产生的极化过电位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106299394A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610836567.1
申请日：2016-09-21
Applicant: 许昌学院
IPC: H01M4/90
CPC classification number: H01M4/9083
Abstract: 本发明公开了一种高活性碳纤维毡电极材料及其制备方法和应用。其制备方法如下：1)将碳纤维毡裁剪后放入盛有丙酮溶液的容器中，进行超声震荡，除去碳纤维毡表面的油污，取出后反复水洗，烘干备用；2)放入高浓度氢氧化钾水溶液中，室温下浸泡2～3小时，取出后进行真空干燥；3)将所得样品置入管式炉中，并通入保护气体，以恒定速率升至目标温度，保温2～4小时，然后自然冷却至室温；4)取出样品后，使用酸溶液进行酸洗，之后用去离子水反复水洗，然后烘干；5)对所得样品进行二次扩孔处理：重复步骤2)～4)，制得高活性碳纤维毡电极材料。本发明以一种较为简单易行的方法实现了碳纤维表面的多孔化，可将其用作全钒液流电池正极材料。
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公开(公告)号：CN104064781B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410270753.4
申请日：2014-06-18
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E60/528
Abstract: 本发明公开了一种用β-PbO2粒子修饰碳纤维的方法及其应用。本发明采用线性扫描电压的方法成功地将单一晶型的β-PbO2修饰在碳纤维表面，粒径均匀，沉积量可控，且制备工艺简单，成本低廉，适合大规模开发利用；修饰β-PbO2粒子改善了碳纤维的亲水性并增加了表面活性位，显著提高了对于VFB正极VO2+/VO2+氧化还原反应的电化学活性，使交换电流密度和反应速率常数明显增大；以β-PbO2粒子修饰的碳纤维织物为正极材料组装全钒液流电池，其性能与未修饰的碳纤维织物为电极材料组装的电池相比，能量转换效率和功率密度显著提高，且长时间循环性能稳定。
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公开(公告)号：CN106129425A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610838012.0
申请日：2016-09-21
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E60/528 , H01M4/96 , H01M4/8825 , H01M8/188
Abstract: 本发明公开了一种多孔碳电极材料及其制备方法和应用。其制备方法步骤如下：1)取少量可溶性淀粉溶于蒸馏水中，然后加入二氧化硅纳米球和无水乙醇，进行超声分散，得混合液；2)将上述混合液于70～90℃水浴磁力搅拌条件下使溶剂蒸发，直至溶液变成黏糊状为止；3)将得到的黏糊状混合物进行真空干燥，干燥后的固体研磨成粉末；4)将研磨所得粉末于炉中进行中温热解和高温炭化；5)将炭化后的产物，用过量的1～2mol/L的氢氟酸溶液进行充分洗涤，之后反复用去离子水洗涤，至洗涤后的水呈中性；6)将产物进行真空干燥，即得。本发明的多孔碳电极材料具有纳米介孔结构、高比表面积、表面富含活性官能团、成本较为低廉。
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公开(公告)号：CN104064781A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410270753.4
申请日：2014-06-18
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E60/528 , H01M4/8817 , H01M8/184
Abstract: 本发明公开了一种用β-PbO2粒子修饰碳纤维的方法及其应用。本发明采用线性扫描电压的方法成功地将单一晶型的β-PbO2修饰在碳纤维表面，粒径均匀，沉积量可控，且制备工艺简单，成本低廉，适合大规模开发利用；修饰β-PbO2粒子改善了碳纤维的亲水性并增加了表面活性位，显著提高了对于VFB正极VO2+/VO2+氧化还原反应的电化学活性，使交换电流密度和反应速率常数明显增大；以β-PbO2粒子修饰的碳纤维织物为正极材料组装全钒液流电池，其性能与未修饰的碳纤维织物为电极材料组装的电池相比，能量转换效率和功率密度显著提高，且长时间循环性能稳定。
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公开(公告)号：CN119241391A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411211569.2
申请日：2024-08-30
Applicant: 许昌学院
IPC: C07C251/08 , C23C16/18 , C23C16/455 , C07C249/02 , C07F7/10
Abstract: 本发明公开了一种磁性随机存储材料用前驱体α‑醛亚胺基Fe(II)化合物，属于功能材料和微电子材料技术领域。本发明所述的α‑醛亚胺基Fe(II)化合物的结构式如式Ⅰ；其有良好的挥发性和热稳定性，以及良好的成膜性能，可用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备得到连续均匀、纯度高的的Fe基薄膜。#imgabs0#
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