公开(公告)号：CN110718591B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201911097995.7

申请日：2019-11-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  宋秀峰 ,  赵胜雷 ,  朱丹 ,  张苇杭 ,  张雅超 ,  刘爽 ,  刘俊伟 ,  李仲扬 ,  郝跃

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种基于凹槽型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件及制作方法，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(7)和阴极(8)，势垒层(5)中的阳极下方刻有深度为10～15nm，宽度为1～3μm的凹槽，形成凹槽型保护环(6)，该阳极与阴极之间为钝化层(9)。本发明由于在势垒层中设有凹槽型保护环，降低了阳极下方边缘电场峰值，提高了击穿电压，且工艺简单、成品率高和可靠性好，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。

公开(公告)号：CN110707157B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201911097889.9

申请日：2019-11-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 赵胜雷 ,  宋秀峰 ,  张进成 ,  朱丹 ,  陈大正 ,  张春福 ,  张金风 ,  毛维 ,  郝跃

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种基于P+型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件及制作方法，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(7)和阴极(8)，势垒层(5)中的阳极下方1～3μm长度内注有Mg离子，形成P+型保护环(6)，该阳极与阴极之间为钝化层(9)。本发明由于在势垒层中设有P+型保护环，降低了阳极下方边缘电场峰值，提高了击穿电压，且工艺简单、成品率高和可靠性好，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。

公开(公告)号：CN101957984B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201010267501.8

申请日：2010-08-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 钟桦 ,  焦李成 ,  朱丹 ,  王爽 ,  侯彪 ,  王桂婷 ,  马文萍 ,  尚荣华

IPC: G06T5/00

Abstract: 本发明公开了一种基于非局部萎缩因子参数估计的图像去噪方法，主要克服自然图像原始自适应萎缩去噪中的边缘吉布斯效应明显、视觉质量不理想的问题。其实现过程是：(1)对输入的自然图像进行多尺度变换，得到需处理的子带系数；(2)对子带系数进行初始掩码估计；(3)依次计算子带系数的似然比、先验比和初始萎缩因子；(4)根据子带系数计算非局部滤波子带权重；(5)根据非局部滤波子带权重更新初始萎缩因子；(6)根据非局部权重萎缩因子更新子带系数；(7)用更新的子带系数进行多尺度反变换得到去噪结果。本发明能很好的减弱吉布斯效应，得到较高的PSNR值，可用于对自然图像的去噪处理中。