公开(公告)号：CN107731923A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710781886.1

申请日：2017-09-02

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张安平 ,  田凯 ,  祁金伟 ,  杨明超 ,  陈家玉 ,  王旭辉 ,  曾翔君 ,  李留成

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型柱状区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻。

公开(公告)号：CN107731894A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710781881.9

申请日：2017-09-02

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张安平 ,  田凯 ,  祁金伟 ,  杨明超 ,  陈家玉 ,  王旭辉 ,  曾翔君 ,  李留成

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、多晶硅、栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第二导电类型浮空区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第二导电类型栅氧保护区下移，引入的空间电荷区对电子的阻碍减小，因此器件的导通电阻减小；第二导电类型浮空区在漂移区中引入新的电场峰，同时对器件栅氧电场起到屏蔽作用，因此提升器件击穿电压。

公开(公告)号：CN107658340A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710781888.0

申请日：2017-09-02

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张安平 ,  田凯 ,  祁金伟 ,  杨明超 ,  陈家玉 ,  王旭辉 ,  曾翔君 ,  李留成

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极；本发明第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。

公开(公告)号：CN107522191A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710712230.4

申请日：2017-08-18

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张安平 ,  杨明超 ,  陈家玉 ,  赵炎 ,  魏葳 ,  张晓东

IPC: C01B32/186 ,  C25D3/12 ,  C23C14/16

CPC classification number: C23C14/16 ,  C01B2204/32 ,  C25D3/12

Abstract: 本发明涉及一种基于自限制形核生长的大尺寸高质量石墨烯制备方法，具体包括制备覆盖镍的铜衬底，在真空的保护气氛中快速升温，到达特定的生长温度后，通入工艺气体进行石墨烯生长。生长初期金属表面为镍，可以有效控制石墨烯的形核点。生长过程中，铜逐步扩散至镍层形成富镍的铜镍合金，可以促进形核点快速生长。随着表面层中铜组份的不断增加，可有效单层石墨烯的大尺寸单晶形成，同时保持单晶的快速生长，实现大尺寸高质量的连续石墨烯薄膜。