一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法

    公开(公告)号:CN107482062A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710781876.8

    申请日:2017-09-02

    Abstract: 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件,包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区,减小了栅极与漏极的耦合,因而降低了器件栅电荷;第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区,并且能够有效传输电流,因而可以降低器件导通电阻,本发明还公开了其制备方法。

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