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公开(公告)号：CN110526200A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910683513.X
申请日：2019-07-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纯轴向变形敏感梁的面外压阻式加速度计芯片及其制备方法，该芯片包括两个对称设置的质量块，两个质量块的外端面各自和芯片外框连接，内端面通过两组敏感梁连接；四个敏感梁组成惠斯通全桥电路；质量块用于直接感测面外加速度信号，当芯片受到Z方向的加速度时，两质量块同步运动，与其固定的敏感梁也保持同步运动，从而满足敏感梁的纯轴向形变。
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公开(公告)号：CN107907710A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201710919747.0
申请日：2017-09-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式两轴加速度传感器芯片及其制备方法，包括四组相同的子结构，四个子结构均匀对称分布于固定岛周围。固定岛与质量块之间通过内支撑梁连接，质量块与外框之间通过外支撑梁连接。敏感梁对称分布于外支撑梁两侧，敏感梁的一端与质量块的一端连接，另一端与外框连接。关于固定岛相对的两组子结构为一组，构成了测量一个加速度方向的完整工作结构两组子结构能够分别测量X轴和Y轴方向的加速度。每个子结构的两个敏感梁上具有压敏电阻，并通过金属引线和焊盘连接组成半开环惠斯通全桥电路。该传感器芯片可实现200g以下两轴加速度的分离测量，固有频率达到20kHz以上，灵敏度大于0.5mV/g/3V，具有较高的谐振频率和灵敏度。
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公开(公告)号：CN107817364A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710916278.7
申请日：2017-09-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明公开了一种MEMS直拉直压式两轴加速度计芯片及其制备方法，加速度计芯片采用SOI硅片制造，由四个相同的传感器子单元绕芯片中心旋转布置而成，每个子单元包括质量块、支撑梁、敏感梁、铰链梁、导线和焊盘，质量块通过支撑梁与芯片外框连接，两质量块通过铰链梁连接，两根敏感梁对称分布于铰链梁两侧，导线与焊盘连接组成半开环惠斯通全桥电路；芯片外框键合于底层玻璃板上。一组传感器子单元为一组测量x方向的加速度，另一组测量y方向的加速度。该加速度计芯片能够实现100g以下两轴加速度的分离测量，其固有频率大于25kHz，在无放大条件下灵敏度大于0.9mV/g/3V，具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN118858695A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410960806.9
申请日：2024-07-17
Applicant: 西安交通大学 , 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开了一种加速度传感器测试装置及测试方法，属于电动离心转台技术领域，所述加速度传感器测试装置包括基座和光电测速传感模组，所述基座上转动连接有转盘，所述转盘上端与光轴连接，所述光轴通过联轴器连接于动力装置的主轴；所述光轴与滑环的活动内圈固定连接，滑环的外圈与滑环固定座固定连接，滑环固定座与上板固定连接；所述上板与基座通过若干支撑柱连接；所述转盘通过底部伸出的轴颈与固定在基座上的轴承内圈过盈配合，通过轴肩与轴承内圈端面配合进行定位。具有振动小、精度高等特点。
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公开(公告)号：CN116022723A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211604516.8
申请日：2022-12-13
Applicant: 西安交通大学 , 明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司 , 山东明石微纳技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种双腔MEMS碱金属气室及其制备方法，P型(100)晶面双面抛光硅片上设有工作腔室、辅助腔室以及连接通道，第一玻璃片和第二玻璃片分别键合于P型(100)晶面双面抛光硅片的背面和正面并将工作腔室、辅助腔室和连接通道密封，工作腔室、辅助腔室、连接通道表面、第一玻璃片上与工作腔室和辅助腔室对应的区域以及第二玻璃片上与工作腔室、辅助腔室和连接通道对应的区域表面均设有HF型派瑞林薄膜；辅助腔室内设有碱金属化学反应物，工作腔室、辅助腔室和连接通道内填充有保护气体。与传统碱金属气室相比，本发明双MEMS碱金属气室具有体积小、气室间一致性好，以及批量制造等优点。
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公开(公告)号：CN113740786A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111022979.9
申请日：2021-09-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种单光束SERF原子磁强计及碱金属原子密度测量方法，所述方法包括以下步骤：首先，将单光束SERF原子磁强计中心位置三个方向的磁场强度补偿到零，加热碱金属气室，使碱金属原子达到SERF态；然后沿一个敏感轴方向施加恒定的直流磁场，沿另一个敏感轴方向施加带调制的偏置磁场，连续变化且过零点的偏置磁场，记录磁强计的输出信号，会得到具有色散线型的磁场共振曲线，进而得到沿X轴方向上不同直流磁场下的磁场共振线宽大小；通过二次函数拟合得到磁场共振线宽与直流磁场大小的关系；最后利用二次函数的二次项系数计算得到碱金属原子密度，从而实现碱金属原子密度的原位测量。
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公开(公告)号：CN111289155B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010121079.9
申请日：2020-02-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了基于电磁激励压阻检测的面内振动硅微谐振式压力传感器，基于双H型谐振梁对称耦合设计，包括谐振器和压力敏感膜，谐振器通过锚点与压力敏感膜连接，谐振器包括谐振梁和耦合梁、拾振梁，压力敏感膜受压力载荷后带动锚点运动，锚点将变形传递到谐振梁上，改变谐振梁的内应力，从而使谐振梁的固有频率发生变化。两侧谐振梁上布置有激励线路，激励线路内部通有交流电，在永磁场中产生方向相反的洛伦兹力，完成谐振梁驱动。拾振梁布置在耦合梁内侧，当谐振器处于工作模态时候，谐振梁产生相对运动，耦合梁带动拾振梁产生变形，从而改变拾振梁上压敏电阻的内应力，则压敏电阻阻值随之改变，通过检测电阻信号完成谐振频率拾取。
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公开(公告)号：CN112964905A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110150381.1
申请日：2021-02-03
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种压阻式双轴加速度传感器芯片及其制备方法，传感器芯片包括键合的传感芯片和玻璃衬底，传感芯片包括芯片外框架、固定半岛、质量块、支撑梁、压阻微梁和铰链梁；芯片外框架的内壁分别设置有一个固定半岛，芯片外框架内部设置有八个质量块，相邻的质量块之间设有运动间隙，连接至同一个固定半岛上的两个质量块之间通过铰链梁连接为一个整体；质量块与固定半岛之间连接有压阻微梁；每个压阻微梁上均制作有压敏电阻，八个压敏电阻通过金属引线与焊盘相连构成两个惠斯通全桥。本发明将支撑元件与敏感元件分离，降低了面内双轴加速度检测中的交叉灵敏度干扰，能够满足对加速度的高灵敏度和高谐振频率测量要求。
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公开(公告)号：CN110531114A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910683519.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种纯轴向变形的MEMS三轴压阻式加速度计芯片及其制备方法，该传感器中的X测量单元、Y测量单元和Z测量单元分别用于测量X方向、Y方向和Z方向的加速度，实现三个方向加速度的分离测量；每个测量单元包括质量块、支撑梁和敏感梁，无论是哪个测量单元，支撑梁和敏感梁均通过质量块分离设置，支撑梁支撑质量块运动，而应力主要集中于敏感梁，使得敏感梁上的压敏电阻条阻值发生变化，两者各司其职，极大地弱化了灵敏度与谐振频率之间的直接耦合关系；同时由于两质量块的同步运动，与其固定的敏感梁两端也同步运动，从而敏感梁始终满足纯轴向变形条件，在相同谐振频率下，传感器的灵敏度达到最优，使得该传感器芯片具有良好的性能指标。
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公开(公告)号：CN110371921A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910644481.2
申请日：2019-07-17
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种面内双轴压阻加速度传感器芯片及其制备方法，芯片采用SOI硅片制成，包括芯片外框架，芯片外框架每一侧中部设有固定岛，支撑梁为“L”型结构，其较长段的一端通过固定岛固定于芯片外框架，另外较短段依次与延伸梁和质量块相连，敏感压阻微梁设置于延伸梁末端与固定岛之间的间隙处；所有八个质量块通过铰链梁连接处正方形；敏感压阻微梁上的压敏电阻通过金属引线和焊盘连接构成惠斯通全桥电路；延伸梁作为连接敏感压阻微梁和支撑梁与质量块的中间结构，将质量块运动状态的改变传递给敏感压阻微梁；本发明将支撑元件与敏感元件进行了分离，提高了压阻式加速度传感器的动态性能和适用范围，制备方法简单，可靠性高。
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