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公开(公告)号：CN102855927A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210296626.2
申请日：2012-08-20
Applicant: 西北工业大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射SRAM时序控制电路及时序处理方法，用于解决现有抗辐射SRAM时序控制电路在辐射环境下可靠性差的技术问题。技术方案是在存储器阵列中增加一行一列存储单元来跟踪存储器关键信号线包括字线和位线的状态，每次存储器读写操作都选中跟踪单元的行和列，将跟踪单元的字线和位线的状态反馈给时序控制单元。时序控制单元依据反馈信号及输入时钟产生SRAM的内部时序控制信号，实现数据的写入和读出。由于采用存储单元跟踪技术，整个时序完全依赖于存储器自身的速度变化自动调节。基于SRAM时序控制电路的时序处理方法使得SRAM在受辐射影响内部电路工作速度的情况下仍然能够产生正确的时序信号，避免了误操作。
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公开(公告)号：CN118381497A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410326580.7
申请日：2024-03-21
Applicant: 西北工业大学
IPC: H03K19/00 , H03F3/181 , H03F1/26 , H03K19/094 , H03K19/173 , H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种辐射探测器前端读出电路，涉及大动态范围前端读出电路技术领域，包括：前置放大器用于接收输入的入射粒子的电荷，并对电荷进行前置放大，获得放大信号；高速比较器输入端连接前置放大器输出端，用于在接收的放大信号超过设定阈值时，输出增益调节信号；增益可调成形器由前级结构和后级结构构成；前级结构输入端与前置放大器输出端连接，用于对前置放大器输出波形进行滤波，并对滤波后的波形施加延迟；后级结构输入端与前级结构输出端、高速比较器输出端分别连接，用于在施加延迟的波形到达后级结构之前，通过增益调节信号调节后级结构的增益，并在施加延迟的波形到达后级结构时对波形进行调节，获得增益变化后的输出信号。本发明电路结构利用成形器本身产生的延迟效果，且不需要数字电路配合完成功能，没有引入时钟、复位等控制信号，仅靠比较器就能实现增益控制切换的功能，不会给模拟电路带来高频串扰，提高了电路的噪声性能。
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公开(公告)号：CN117289332A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311076793.0
申请日：2023-08-24
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01T5/00
Abstract: 本发明公开了一种CMOS像素探测器片上集成的簇搜索方法及电路，涉及簇搜索技术领域，该方法包括以下步骤：获取CMOS像素探测器上的多个初始像素；判断每个初始像素为空白像素、着火像素或潜在种子像素；若该像素为潜在种子像素，则判断该潜在种子像素是否为3×3窗口下的种子像素；若3×3窗口下的种子像素的相邻的多个像素都是3×3窗口中的虚拟种子像素，则该3×3种子像素为5×5窗口的种子像素；标记所有5×5窗口的种子像素的相邻着火像素，完成对探测器芯片中簇的搜索。本发明可以实现片上集成以及实时搜索，可以实现簇搜索窗口下着火像素之间空白像素的间隙的定位。
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公开(公告)号：CN113794449A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111087544.2
申请日：2021-09-16
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种静态功耗自动配置的低功耗前端读出电路及设计方法，属于低功耗前端读出集成电路结构领域。通过设计静态功耗可配置的前置放大器和全自动配置自动配置逻辑，根据不同情况下设定的阈值电压来实现前端读出ASIC的模拟前端电路静态功耗的动态管理，从而实现了在不同探测能量下限的条件下，前端读出ASIC工作在最低的功耗且满足触发率的目标。通过本发明中数字辅助的方法实现了模拟前端静态功耗的全自动管理，使前端读出ASIC可以获得更低的功耗并且适合工艺尺寸缩小的低功耗设计趋势。
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公开(公告)号：CN109180070B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201811156708.0
申请日：2018-09-30
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B26/14 , C01B32/158 , C01G49/08 , C09K3/00
Abstract: 本发明公开了一种柔性杂化碳纳米吸波纸及其制备方法，制备步骤包括：制备Fe3O4/MWCNTs杂化颗粒；制备Fe3O4/MWCNTs碳纳米纸；采用真空抽滤法和环氧树脂辅助成膜法制备EP/Fe3O4/MWCNTs杂化碳纳米吸波纸，其中，EP/Fe3O4/MWCNTs杂化碳纳米吸波纸通过配制合适比例的Fe3O4/MWCNTs混合溶液，经超声分散、真空抽滤、浸渍法制得。本发明将EP加入碳纳米纸，一方面通过控制EP用量来改变碳纳米纸厚度，通过改变成膜方式来改变纳米纸的结构；另一方面，少量EP的加入可以得到韧性和拉伸强度大幅度提高的碳纳米纸，这种柔性杂化碳纳米纸可以为后期的工艺操作及生产规模化带来方便。
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公开(公告)号：CN105119596B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510454433.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于抗单粒子瞬态辐射效应的锁相环用压控振荡器延时单元，用于解决现有用于混合信号锁相环的抗辐射压控振荡器功耗大的技术问题。技术方案是包括MOS晶体管M0～M4构成的压控振荡器差分延时单元，还包括MOS晶体管M5～M8构成的检测电路，以及电压源V1和V2。所述的MOS晶体管M5、M6的栅极和漏极分别连接后接在差分延时单元的正向输出端Voutp，MOS晶体管M7、M8的栅极和漏极分别连接后接在差分延时单元的负向输出端Voutn，MOS晶体管M5和M7的源极连接到电压源V1，MOS晶体管M6和M8的源极连接到电压源V2。由于检测电路在延时单元正常工作时不工作，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN105068882B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510400267.4
申请日：2015-07-09
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F11/10
Abstract: 本发明公开了一种基于二维检错纠错编码的SRAM抗辐射加固方法，用于解决现有SRAM抗辐射方法SRAM抗单粒子翻转能力差的技术问题。技术方案是首先对写入数据进行横向正反码(16,8)编码，对同列数据进行纵向海明码(12,8)编码，即基于正反码和海明码交叉校验的二维检错纠错编码；然后当发生单粒子效应导致多位翻转问题时，利用二维检错纠错算法，依次对读出数据进行解码运算。本发明充分利用横向正反码、纵向海明码的交叉校验能力，有效地提高了SRAM检错纠错能力，使SRAM能纠正2位以上错码，即处理单粒子效应导致的多位翻转问题，从而进一步提高了SRAM抗单粒子翻转能力。
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公开(公告)号：CN104462679B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410705672.2
申请日：2014-11-26
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种辐射探测前端读出系统数字滤波成形电路设计方法，用于解决现有前端读出电路模拟成形电路设计困难的技术问题。技术方案是采用数字成形、梯形成形和峰值提取实现。首先根据模拟成形器的传输函数采用双线性变换法从S平面上转换到Z平面；然后根据梯形成形的输出函数和数字成形的输入函数，通过数字离散化以及Z变换得到其传输函数；对于梯形成形的输出结果，采取将平顶宽度上所有点的平均值作为最终的结果。与背景技术模拟单通道前端读出电路中模拟滤波成形相比，本发明采用数字化方法实现数字滤波成形电路，设计方法不再随着CMOS工艺尺寸缩小而使模拟成形器设计困难，而是采样数字化的方法实现。
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公开(公告)号：CN104023185B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410268171.2
申请日：2014-06-16
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器的多级RTS噪声自动实时重建方法，用于解决现有自动提取CMOS图像传感器中多级RTS噪声算法噪声信号探测与重建可信度差的技术问题。技术方案是首先将噪声信号全部转换为等振幅的三角形脉冲，对所有脉冲进行下降沿检测，对计算的标准差幅值进行采样，然后将滤波后的三角脉冲通过增益与采集到的标准差做比较，每当检测到一次RTS噪声跳变时，对平均值计算清零，重新计算，采样到的平均值信号即为该段RTS噪声跳变的幅值。本发明方法根据实时的高斯噪声的标准差作为判定RTS噪声的阈值，自动采集阈值并且重建RTS噪声信号，提高了整个RTS噪声信号探测与重建的可信度。
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