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公开(公告)号：CN104767011B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510172112.X
申请日：2015-04-13
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种基于导电橡胶材料的温度可调带阻滤波器，用于解决现有带阻滤波器无法实现温度调控的技术问题。技术方案是包括基底和至少一个开口环，所述开口环的任意一边有开口，所述基底上表面正中开有凹槽，凹槽长边与基底长边平行，凹槽短边与基底短边平行，凹槽长边和凹槽短边的尺寸分别与开口环的边长和厚度相同，凹槽里嵌有开口环，开口环的开口朝上。开口环面与入射电磁波平行时，在平行电磁波的激励下开口环中产生感应电流，开口环等效为谐振电路。在谐振点附近频域，开口环对外部电磁场表现出带阻滤波特性。由于导电橡胶的电阻率会随着温度的升高而变大，从而实现对滤波器性能的调控，同时多单元阵列也能实现温度调控的滤波功能。
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公开(公告)号：CN106018289A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610511413.5
申请日：2016-07-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01N21/17 , G01N21/3581 , G01B11/02
CPC classification number: G01N21/17 , G01B11/02 , G01N21/3581
Abstract: 本方法提出一种利用古斯‑汉欣位移测量石墨烯载流子浓度的方法，通过测量引入石墨烯后古斯‑汉欣位移的改变量，来测量石墨烯的光导，并进而测量石墨烯的载流子浓度。该方法具体地由在近零折射率超材料上覆盖单层石墨烯并且通过太赫兹光束斜入射到石墨烯表面，检测反射光古斯‑汉欣位移，依据标定的古斯‑汉欣位移与石墨烯载流子浓度或费米能级的关系，标定石墨烯的载流子浓度或费米能级。本方法采用光学测量古斯‑汉欣位移的方法，不需直接接触石墨烯样品，为非接触无损伤的测量方法。因而没有额外的影响因素。
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公开(公告)号：CN102013545B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010289516.4
申请日：2010-09-20
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于液晶的电场可调负磁导率器件，还公开了这种基于液晶的电场可调负磁导率器件的制作方法，用于解决现有的负磁导率材料工作频段窄的技术问题。技术方案是在覆铜板与U型压条形成的液晶注射腔注入液晶，从而使液晶成为负磁导率器件的基板；一个覆铜板上的引出电极接直流电源的正极，另一个覆铜板上的引出电极接直流电源的负极，利用液晶介电性能易受外场调控的特性，通过施加电场改变液晶的等效介电常数，实现了负磁导率器件工作频率的动态可调，最大调节幅度可达1.20GHz。
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公开(公告)号：CN103124003A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310026067.8
申请日：2013-01-18
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电磁波垂直入射S型负折射材料，用于解决现有的基于S型负折射材料对于垂直入射电磁波无法形成磁偶极矩和负折射效应的技术问题。技术方案是电磁波垂直入射S型负折射材料由位于介质基板正反面的覆铜片和穿过介质基板的覆铜过孔构成S型结构，相邻两个S型结构成反对称排列，组成S型负折射率材料的基本单元。这种负折射率材料平面在与入射波磁场方向垂直时，在电磁波磁场激励下，S型结构形成环形电流产生磁偶极矩，进而产生负折射率。本发明S型负折射材料的负折射率产生取决于基本单元自身的谐振，不依赖基本单元间的耦合作用。
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公开(公告)号：CN102074801A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110005179.6
申请日：2011-01-06
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开一种基于铁电介质谐振器覆层的微带天线，用于解决现有的微带天线增益低的技术问题。技术方案是采用厚度小于底面尺寸的介质谐振器实现对垂直入射和侧向辐射电磁波响应频率的分离，将其置于天线覆层内实现对天线侧向辐射的抑制，特别是介质谐振器的底面为正方形或圆形，具有高度的结构对称性，对侧向辐射波进行全面抑制进而大幅改善天线的方向性，天线的增益最大程度提高了4.8dB。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102064373A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010527621.7
申请日：2010-10-28
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于液晶的温度可调负磁导率器件，还公开了这种基于液晶的温度可调负磁导率器件的制作方法，用于解决现有的负磁导率材料工作频率固定、工作频段窄的技术问题。技术方案是在覆铜板与U型压条形成的液晶注射腔注入液晶，从而使液晶成为负磁导率器件的基板；利用液晶介电性能易受环境温度调控的特性，通过温控装置调节温度改变液晶的等效介电常数，实现了负磁导率器件工作频率的动态可调，最大调节幅度可达800MHz。
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公开(公告)号：CN116629104A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310515040.9
申请日：2023-05-08
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于神经伴随算法的超表面吸波器设计方法及系统，包括以下步骤：随机生成超表面吸波器的结构参数，通过电磁仿真模拟计算得到相应的频谱响应，构建正向预测数据集；正向预测数据集中划分出训练集，搭建正向神经网络模型，使用训练集对正向神经网络模型进行训练；以训练好的正向神经网络模型为基础，利用伴随算法构建逆设计流程，将目标频谱响应输入逆设计流程进行迭代计算，确定超表面吸波器的结构参数。本发明采用伴随算法结合神经网络求导计算的优势，实现训练一个正向神经网络模型同时完成正向和逆向两种预测目标。
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公开(公告)号：CN116609952A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310343066.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件及方法，包括金属层、相变材料GST介质层和衬底层；所述金属层设置有超构表面基元，所述超构表面基元呈周期性阵列结构分布在衬底层上，所述相变材料GST介质层设置在衬底层中的第一衬底层和第二衬底层之间。本发明结构设计简单，易于器件整体简单化和小型化，实现了波束调控器件的大宽带和简单化，且中红外发射率调控性能极佳。
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公开(公告)号：CN102569975A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210019816.X
申请日：2012-01-21
Applicant: 西北工业大学
IPC: H01P7/00
Abstract: 本发明公开了一种频率可调的开口谐振环，用于解决现有的开口谐振环工作频段窄的技术问题。技术方案是开口谐振环(1)固定在介质基板(2)上，介质基板(2)的长边与矩形波导窄边(32)长度相同，介质基板(2)置于矩形波导(3)内，开口谐振环(1)开口边与矩形波导宽边(31)平行，与矩形波导窄边(32)垂直，开口谐振环(1)开口边与矩形波导宽边(31)的间距d可调。由于利用市售的开口谐振环，不改变开口谐振环的构型和尺寸，使用方便快捷；通过改变开口谐振环与矩形波导宽边的间距d，实现了开口谐振环谐振频率的有效调节。测试结果表明，当间距d由0.1mm增大到7.00mm，开口谐振环的谐振频率由8.98GHz增加至12.0GHz，频率调节幅度超过25％。
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公开(公告)号：CN102053405A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010588584.0
申请日：2010-12-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于液晶的宽频电场可调负折射率器件，还公开了这种基于液晶的宽频电场可调负折射率器件的制作方法，用于解决现有的负折射率器件工作频段窄的技术问题。技术方案是在覆铜板与U型压条形成的液晶注射腔使液晶成为负折射率器件的基板，从而最大限度改变负折射率器件的工作频率。利用液晶介电性能易受外场调控的特性，通过施加电场改变液晶的等效介电常数，实现负折射率器件工作频率的动态可调，最大调节幅度可达10.4％。
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