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公开(公告)号：CN111106449A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911165110.2
申请日：2019-11-25
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种基于非对称开口谐振环实现电调控法诺共振的装置及方法，两个开口谐振环中间分别嵌入一个变容二极管，同时在两个开口谐振环上方与下方分别添加馈电导线，馈电导线连接外部电源对变容二极管两端电压进行调节，馈电导线与开口谐振环之间分别添加一个电感用于隔绝馈电导线对超材料结构电磁响应的影响。利用馈电电压调节变容二极管的工作状态，进而调节两个开口谐振环的工作频率，以此实现法诺共振透射谱线的动态调制。两个开口谐振环大小不同，利用这样的非对称结构激励出磁四级模式，磁四级模式与电场激励的磁偶级模式发生相消干涉，从而使得透射谱线展现出法诺共振线型。
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公开(公告)号：CN111952697A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010719911.5
申请日：2020-07-23
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明涉及一种基于形状记忆合金超表面调控类电磁诱导透明谱线装置及制作方法，一个铜框和形状记忆合金内框组成的结构，入射电磁波波极化方向沿着竖直方向，由铜框引入一个明单元谐振，激发不同温度状态下的形状记忆合金结构的暗单元谐振，在波导环境中实现类电磁诱导透明效应。该装置内框采用形状记忆合金材料，利用形状记忆合金通过人工训练可以实现双程记忆效应的特点，在高低温状态下可逆变化形状，控制结构的谐振频率以及强弱，进而调控与铜框之间的耦合频率，实现对电磁诱导透明效应的精确调制。
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公开(公告)号：CN113285233B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110542444.8
申请日：2021-05-18
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于介质基超构材料的F‑P腔天线及电子设备，解决传统腔天线体积大、工作频率难以调节的问题。一种基于介质基超构材料的F‑P腔天线包括平行设置的上基板和下基板；上基板和下基板构成一个腔体，且两者之间的距离可调；上基板的上表面设置有近零折射结构覆层，下表面设置有介质基相位调控反射层；其中，介质基相位调控反射层包括周期性排列的介质基相位调控反射单元；下基板的上表面设置有馈源天线和金属基相位调控反射层，下表面设置有金属地板结构；馈源天线位于中部，金属基相位调控反射层位于馈源天线的外侧；金属基相位调控反射层包括周期性排列的金属贴片。
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公开(公告)号：CN111952697B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010719911.5
申请日：2020-07-23
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明涉及一种基于形状记忆合金超表面调控类电磁诱导透明谱线装置及制作方法，一个铜框和形状记忆合金内框组成的结构，入射电磁波波极化方向沿着竖直方向，由铜框引入一个明单元谐振，激发不同温度状态下的形状记忆合金结构的暗单元谐振，在波导环境中实现类电磁诱导透明效应。该装置内框采用形状记忆合金材料，利用形状记忆合金通过人工训练可以实现双程记忆效应的特点，在高低温状态下可逆变化形状，控制结构的谐振频率以及强弱，进而调控与铜框之间的耦合频率，实现对电磁诱导透明效应的精确调制。
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公开(公告)号：CN113285233A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110542444.8
申请日：2021-05-18
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于介质基超构材料的F‑P腔天线及电子设备，解决传统腔天线体积大、工作频率难以调节的问题。一种基于介质基超构材料的F‑P腔天线包括平行设置的上基板和下基板；上基板和下基板构成一个腔体，且两者之间的距离可调；上基板的上表面设置有近零折射结构覆层，下表面设置有介质基相位调控反射层；其中，介质基相位调控反射层包括周期性排列的介质基相位调控反射单元；下基板的上表面设置有馈源天线和金属基相位调控反射层，下表面设置有金属地板结构；馈源天线位于中部，金属基相位调控反射层位于馈源天线的外侧；金属基相位调控反射层包括周期性排列的金属贴片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112467331B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202011152479.2
申请日：2020-10-26
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC: H01P7/00
Abstract: 本发明涉及一种电可调三频带法诺谐振结构及实现谱线的方法，将四个变容二极管集成到结构设计中，通过外加反向偏压的方法，动态调控三频带法诺谐振的工作频率。三频带法诺谐振的出现是由于多个开口谐振环局域场模式在一定频率范围的相长或相消干涉，这导致了透射谱线连续的剧烈变化。通过外加反向偏压可以调控变容二极管。通过这种方法改变每一个开口谐振环的工作频率，进而对三频带法诺谐振谱线实现动态调制。发明所涉及到的器件结构简单，易于加工与实验操作，并且还可以通过控制金属结构的几何尺寸，使得器件工作于不同电磁波频段。
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公开(公告)号：CN112467331A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011152479.2
申请日：2020-10-26
Applicant: 西北工业大学深圳研究院 , 西北工业大学
IPC: H01P7/00
Abstract: 本发明涉及一种电可调三频带法诺谐振结构及实现谱线的方法，将四个变容二极管集成到结构设计中，通过外加反向偏压的方法，动态调控三频带法诺谐振的工作频率。三频带法诺谐振的出现是由于多个开口谐振环局域场模式在一定频率范围的相长或相消干涉，这导致了透射谱线连续的剧烈变化。通过外加反向偏压可以调控变容二极管。通过这种方法改变每一个开口谐振环的工作频率，进而对三频带法诺谐振谱线实现动态调制。发明所涉及到的器件结构简单，易于加工与实验操作，并且还可以通过控制金属结构的几何尺寸，使得器件工作于不同电磁波频段。
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公开(公告)号：CN118367357A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410493373.0
申请日：2024-04-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明属于电磁调制器件技术领域，公开了一种基于超材料的热可调电磁异常透射器件，包括基板和谐振单元；所述基板上开设有开口，所述谐振单元设置在开口内，所述谐振单元连接基板，所述基板和谐振单元均由形状记忆合金制成，所述谐振单元的角度可进行可逆变换。本发明结构简单、加工难度低，具有高效、微型等诸多优点，通过调节温度调控形状记忆合金的旋转角度，进而调节其电磁透射性质，可以实现更加智能化、精准化的电磁波信号调控，在微波信号调制和温度传感等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116629104A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310515040.9
申请日：2023-05-08
Applicant: 西北工业大学
IPC: G06F30/27 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于神经伴随算法的超表面吸波器设计方法及系统，包括以下步骤：随机生成超表面吸波器的结构参数，通过电磁仿真模拟计算得到相应的频谱响应，构建正向预测数据集；正向预测数据集中划分出训练集，搭建正向神经网络模型，使用训练集对正向神经网络模型进行训练；以训练好的正向神经网络模型为基础，利用伴随算法构建逆设计流程，将目标频谱响应输入逆设计流程进行迭代计算，确定超表面吸波器的结构参数。本发明采用伴随算法结合神经网络求导计算的优势，实现训练一个正向神经网络模型同时完成正向和逆向两种预测目标。
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公开(公告)号：CN116609952A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310343066.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GST相变材料的中红外发射率调制器件及方法，包括金属层、相变材料GST介质层和衬底层；所述金属层设置有超构表面基元，所述超构表面基元呈周期性阵列结构分布在衬底层上，所述相变材料GST介质层设置在衬底层中的第一衬底层和第二衬底层之间。本发明结构设计简单，易于器件整体简单化和小型化，实现了波束调控器件的大宽带和简单化，且中红外发射率调控性能极佳。
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