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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN213071068U
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202021109584.3
申请日：2020-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本实用新型属于半导体领域，公开了一种石墨烯掩膜法生长氮化镓的半导体结构，包括氮化镓层、石墨烯掩膜层、衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹，石墨烯掩膜层上通过金属有机物化学气相沉积生长氮化镓层。有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯是二维材料，可以降低掩膜层带来的低角度晶界缺陷；同时也利用石墨烯散热性好的特点，从而大幅提高氮化镓器件的散热性能；石墨烯掩膜层与氮化镓层由弱的范德华力结合的特点也使得氮化镓层易于剥离。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN205898672U
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201620656373.9
申请日：2016-06-29
Applicant: 苏州大学卫生与环境技术研究所
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本实用新型涉及一种土壤总有机碳检测装置，包括：依次管道连接的搅拌分离器、反应器和二氧化碳收集器，其特征在于，所述二氧化碳收集器衔接非分散红外检测器，所述搅拌器内设有滤网、搅拌棒以及驱动的搅拌棒旋转的电机，所述反应器内设置有紫外线灯和臭氧发生器，所述反应器还设有排废管道。通过搅拌分离器的充分搅拌，使得取样的土壤充分溶解分散到水中，保证土壤中大块的固形物能够被打散，且含有有机碳的固形物能够被打散成较小颗粒，以便后道反应分解，同时搅拌作用可以分离出土壤中的砂砾石块等等。
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公开(公告)号：CN214898480U
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202121313390.X
申请日：2021-06-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请提供一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置，该单体器件包括蓝光外延片、层叠于蓝光外延片上的Micro‑LED晶粒阵列、P电极及N电极，所述P电极与所述N电极皆配置于所述Micro‑LED晶粒阵列的外侧，且所有M icro‑LED晶粒配置成共用所述P电极与所述N电极。该单体器件利用氧化物对阵列结构进行绝缘与钝化，降低了刻蚀工艺带来的侧壁损伤问题以及漏电流问题；利用高透过率的电流扩展层全覆盖P型GaN，降低P型GaN电流扩展能力差，电流积聚问题，实现特定区域内的M i cro‑LED晶粒的同步调控，并且解决了电极挡光的问题，增加了发光面积，有效提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN214797333U
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202120651499.8
申请日：2021-03-31
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/32 , H01L21/3205
Abstract: 本实用新型公开了一种石墨烯掩膜生长氮化镓的衬底，包括基底层与石墨烯掩膜层，所述石墨烯掩膜层沉积于基底层上；石墨烯掩膜层刻蚀有光栅状条纹结构，光栅状条纹结构的凹槽部为用于生长氮化镓层的窗口区域，光栅状条纹结构的凸起部为掩膜区域。本实用新型的有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯掩膜层在生长过程分解消失，降低了掩膜给氮化镓带来的应力和小角度晶界缺陷。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN207866548U
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201820153054.5
申请日：2018-01-30
Applicant: 苏州大学卫生与环境技术研究所
IPC: G01N1/08
Abstract: 本实用新型涉及一种固体废物采样器，包括外管和插设在所述外管内的内管，所述外管的侧壁上设置有第一刻度和至少一组第一通孔，所述外管的一端螺纹连接有第一加长管，所述第一加长管上设置有第二刻度，所述内管的侧壁上设置有至少一组第二通孔，所述内管的另一端螺纹连接有第二加长管，所述外管的另一端或内管的另一端封闭。本实用新型的采样长度能够快速切换，适用不同深度的固体废物的采样，采样范围广，通过第一刻度和第二刻度及时了解采样深度，不需要重新测量，采样量足够，采样操作简单，省时省力，采样效率高。
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