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公开(公告)号：CN103051302A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110308012.7
申请日：2011-10-12
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: H03H9/2436 , H03H3/0072 , Y10T29/49016
Abstract: 本发明涉及一种横向体声波谐振器、制备该横向体声波谐振器的方法以及应用该横向体声波谐振器的振荡器，属于微机电系统（MEMS）领域。本发明中所述的横向体声波谐振器通过固定端约束谐振体上下左右位移，通过将谐振体垂直设置，使谐振体与驱动电极组成的机-电耦合系统后，当该机-电耦合系统受到外力驱动时，谐振体仅在水平方向上收缩变形，从而使其振动模式单一稳定，故而通过应用此种结构的振荡器在工作时可以获得稳定的频率。而本发明中的谐振器的制备工艺则采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、键合工艺、湿法腐蚀等工艺形成悬浮谐振体，固定端，以及纳米级间距驱动电极，能够有效控制悬浮谐振体的高度，厚度，以及驱动电极间隙。
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公开(公告)号：CN102190284A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010261039.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/0376 , B81C1/00182 , B81C2201/0132 , B81C2201/0177 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0828
Abstract: 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN102056062A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910208492.2
申请日：2009-10-29
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 一种电容式微型硅麦克风及其制造方法，其包括用于作为电容的一极且具有导电功能的背极板、用于作为所述电容的另一极且具有导电功能的振动膜及支撑所述振动膜的绝缘支撑体，所述背极板设有若干与振动膜连通的声孔，所述振动膜为圆形且包括外端面及位于外端面内侧的若干圆弧槽，所述圆弧槽将振动膜分割成若干圆弧形的梁，所述绝缘支撑体的一端支撑所述梁。由此可使振动膜对残余应力不敏感且提高设计灵活性，同时在相同灵敏度情况下可减小芯片的面积。
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公开(公告)号：CN101355828A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710044323.0
申请日：2007-07-27
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 一种基于SOI硅片的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成方法及芯片，SOI基片上具有第一区域及第二区域，SOI基片上位于第二区域上的器件层作为电容的一极，首先在所述第一区域的器件层上生成集成电路，接着在所述第二区域的器件层上采用低于400℃的低温工艺生成牺牲层，并采用低温工艺在所述牺牲层上形成导电膜，最后将腐蚀液自所述导气孔进入以部分腐蚀所述牺牲层后形成由所述导电膜作为电容另一极的电容式微硅麦克风，如此可减小芯片尺寸，降低制造成本，同时可避免采用高温工艺来减小作为振动模的器件层的应力，也可避免采用工艺复杂且重复性不佳的复合振动模方式来减小应力。
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公开(公告)号：CN103974181B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201310030499.6
申请日：2013-01-28
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
IPC: H04R31/00
Abstract: 本发明涉及一种电容式微硅麦克风的制造方法，包括如下步骤：S1：提供衬底；S2：在衬底的正面淀积绝缘材料以形成第一绝缘层；S3：在第一绝缘层上淀积导电物质以形成可动敏感层，在所形成的可动敏感层上形成若干窄槽以定义振动体、围设在振动体的外围的框体以及连接框体和振动体的梁；S4：在可动敏感层上淀积绝缘材料以形成第二绝缘层，在第二绝缘层上淀积导电物质以制作背极板；S5：在背极板上形成若干声孔；S6：在所述可动敏感层和所述背极板上形成金属压焊点；S7：在衬底上形成背腔，背腔自衬底的背面朝正面延伸并贯穿衬底；以及，S8：去除部分第一绝缘层以于衬底背面露出振动体并使振动体和梁悬空，去除振动体、梁与背极板之间的第二绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104266781A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410527030.8
申请日：2014-10-09
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种压阻式压力传感器及其制造方法。所述压力传感器包括基片、键合在基片正面的第一层晶圆、以及形成在第一层晶圆和基片之间的真空腔体。所述基片具有衬底、设置在衬底正面的第一绝缘层和设置在第一绝缘层正面与第一层晶圆之间的可动敏感膜层。所述衬底形成有将可动敏感膜层背面向下暴露的背腔。
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公开(公告)号：CN103297907A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210041572.5
申请日：2012-02-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , H04R19/005 , H04R31/006
Abstract: 本发明属于基于硅工艺的微电子机械系统（MEMS）领域，具体涉及一种电容式微型硅麦克风及其制备方法。其通过对硅基片进行正面微细加工形成网状悬空结构的背极板和上空腔，然后再于硅基片背面形成下空腔，使上空腔和下空腔连通形成背腔，从而使得背极板的图形及尺寸可以不必考虑背腔的图形及尺寸进行独立优化，可充分利用硅片正面的面积,而不必增加芯片尺寸，从而也利于进一步的调节电容式硅麦克风的声学阻尼，使整体电容式硅麦克风达到一个高性能指标，此外，又由于背极板独立设计可增加器件信噪比。综上所述，本发明具有体积小、成本低、性能高、工艺简单、可制造性强的优点。
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公开(公告)号：CN103257007A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210036199.4
申请日：2012-02-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种压力传感器介质隔离封装结构及其封装方法。所述压力传感器介质隔离封装结构包括：衬底、由柔软的低弹性模量的材料所制成的盖体、及压力传感器芯片。所述盖体与衬底共同形成一个密闭腔体以容纳所述压力传感器芯片。当待测介质的压力作用于所述盖体上时，所述盖体发生变形从而压缩密闭腔体内的气体以达到内外压力平衡。在此过程中，所述待测介质的压力被传递到压力传感器芯片的压力敏感膜上，从而达到将压力传感器芯片以及待测介质的压力进行隔离的目的。本发明是通过压缩气体来进行压力的传递，从而避免了传统的充灌硅油不锈钢封装技术中复杂的充灌硅油的工序，大大的降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN103257005A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210039207.0
申请日：2012-02-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种可以用于压力测量的电容式压力传感器及其制造方法，该制造方法利用表面硅微细加工工艺，在硅衬底上淀积氧化硅牺牲层，随后在牺牲层上淀积多晶硅薄膜来作为压力敏感膜。通过多晶硅敏感膜上开的牺牲层释放孔将牺牲层部分腐蚀掉形成电容间隙。而多晶硅敏感膜上的牺牲层释放孔则又通过再次淀积多晶硅薄膜进行填充，从而形成密封腔体。最后，将多晶硅敏感膜上再次刻蚀出导气孔，并通过物理气相淀积(PVD)的方法用金属将此导气孔密封，从而在密封腔体内形成真空。
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公开(公告)号：CN101355828B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200710044323.0
申请日：2007-07-27
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
Abstract: 一种基于SOI硅片的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成方法及芯片，SOI基片上具有第一区域及第二区域，SOI基片上位于第二区域上的器件层作为电容的一极，首先在所述第一区域的器件层上生成集成电路，接着在所述第二区域的器件层上采用低于400℃的低温工艺生成牺牲层，并采用低温工艺在所述牺牲层上形成导电膜，最后将腐蚀液自所述导气孔进入以部分腐蚀所述牺牲层后形成由所述导电膜作为电容另一极的电容式微硅麦克风，如此可减小芯片尺寸，降低制造成本，同时可避免采用高温工艺来减小作为振动模的器件层的应力，也可避免采用工艺复杂且重复性不佳的复合振动模方式来减小应力。
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