公开(公告)号：CN117939897A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410049109.8

申请日：2024-01-12

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李亮 ,  闵亮亮 ,  孙浩轩

IPC: H10K30/60 ,  H10K85/50 ,  H10K71/00 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明公开了一种频率选择性响应光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括依次设置的透明导电基底、底层空穴传输层、多维钙钛矿活性层、顶部空穴传输层以及电极，所述多维钙钛矿活性层在垂直方向上具有二维到三维再到二维的相组分分布。上述多维钙钛矿活性层由以下方法制备得到：将金属卤化物、三维铵盐及二维铵盐溶于极性溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液，以热铸法旋涂于底层空穴传输层上，得到垂直方向上具有相组分分布的多维钙钛矿活性层。上述光电探测器的钙钛矿活性层中二维钙钛矿自发相分离，对称的反向内建电场使得光电探测器在不同频率下呈现差异性响应，可屏蔽环境光的影响，实现频率选择性响应，极大地简化了光通讯系统的结构。

公开(公告)号：CN116437782A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202111662897.0

申请日：2021-12-30

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孙浩轩 ,  郭林奇 ,  李亮

IPC: H10K85/30 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/12 ,  G01J3/28

Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿半导体的单点谱分辨光探测器及其光谱测量方法，通过在钙钛矿活性层中引入小半径碱金属卤素盐以减小半导体材料中离子迁移活性能，促进钙钛矿在外场作用下的离子再分布，使钙钛矿在不同外场下表现出非线性响应，从而构筑得到一种单点谱分辨光探测器；所述光谱测量方法包括以下步骤：①标定器件在不同偏压V下，对不同波长的响应度，得到响应率标定矩阵R(V,λ)；②在未知光源下，对器件施加不同偏压调制，得到在不同偏压下未知光源所产生的光电流矩阵I(V)；③解线性方程组R(V,λ)x(λ)＝I(V)，求解未知光谱x(λ)。通过上述光探测器和测量方法可实现单点探测光谱，大大简化了该类型光谱仪的器件结构，有利于器件小型化、降低成本。

公开(公告)号：CN115216801A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210741097.6

申请日：2022-06-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李亮 ,  孟林兴

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/067 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明涉及一种基于助催化剂的光阳极及其制备方法，属于光电化学技术领域。本发明所述的光阳极，包括导电基底，所述导电基底表面设有n型金属硫化物纳米阵列；所述n型金属硫化物纳米阵列表面依次设有氧化锌薄膜和二氧化钛薄膜，所述n型金属硫化物纳米阵列中的S与所述氧化锌薄膜、二氧化钛薄膜结合得到助催化剂；所述助催化剂为ZnTiOxSy。本发明通过热处理辅助的ALD工艺形成高质量光阳极/助催化剂界面，并在n型金属硫化物纳米片阵列的表面构建高效的助催化剂，使得n型金属硫化物纳米片阵列的PEC性能显着提高，在1.23VRHE时的光电流密度(J)为1.97mAcm‑2和起始电位(Von)为0.21VRHE。

公开(公告)号：CN115133109A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210689373.9

申请日：2022-06-17

Applicant: 苏州大学

Inventor： 倪江锋 ,  张金澍 ,  李亮

IPC: H01M10/054

Abstract: 本发明属于水系电池领域，具体涉及一种水系铜离子电池。其中以单质碲复合电极为正极，以铜离子盐的水溶液为电解液，以金属铜片为负极。其中碲复合正极是将单质碲粉末与导电剂、粘结剂充分混合，采用压制或涂布方式制备电极片而成。电池充放电过程涉及载流子金属铜离子与碲的氧化还原反应，单位电子转移数可以高达4个，因此该电池具有高容量、高能量的特点。本水系铜离子电池原材料成本低，制备过程简单易操作，电极的单位面积负载量高，适合大规模生产和应用。

公开(公告)号：CN115044930A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210582598.4

申请日：2022-05-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 田维 ,  许卫卫 ,  李亮

IPC: C25B11/052 ,  C25B11/091 ,  C25B1/55 ,  C25B1/04 ,  C03C17/34 ,  C01G15/00 ,  C01G41/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种基于界面化学键的光阳极及其制备方法，涉及光电化学技术领域。本发明所述的基于界面化学键的光阳极，包括导电基底，所述导电基底表面设有过渡金属硫化物纳米阵列；所述过渡金属硫化物纳米阵列表面设有氧化膜，所述过渡金属硫化物纳米阵列和所述氧化膜在界面处形成界面化学键；所述氧化膜为Bi2WO6。本发明所述的光阳极在光电流密度上显著提高，优化样品在1.23VRHE偏压下光电流密度可达5.19mA/cm2，分离效率可达96.86％，注入效率可达64.88％，具有较高的光电化学性能。

公开(公告)号：CN114937743A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210515626.0

申请日：2022-05-12

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李亮 ,  曹风人 ,  张鹏

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明涉及一种基于甲脒基有机/无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法。具体包括依次设置的导电基底、电子传输层、铅基钙钛矿薄膜、有机共轭聚合物层和电极层。其制备过程有以下步骤：在导电基底表面沉积一层电子传输层；然后用配好的碘化铅和有机粉末(溴化铅或甲胺铅溴)混合前驱体与碘化甲脒和氯化甲胺溶液混合前驱体两步反应制备高质量的钙钛矿层；最后在钙钛矿层上方依次制备有机共轭聚合物层和电极层。本发明的制备方法过程简单，通过种子溶液的方式大大增强了器件的稳定性，原材料廉价，效率高，有利于商业化大规模生产，存在巨大的应用价值。

公开(公告)号：CN113130668A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110411955.6

申请日：2021-04-16

Applicant: 苏州大学

Inventor： 邓楷模 ,  李亮

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有倒金字塔结构的荧光减反膜的制备方法，包括以下步骤：S1.将水、异丙醇和氢氧化钠混合，形成腐蚀液；将硅片浸泡于所述腐蚀液中进行刻蚀，从而得到具有金字塔结构的硅模板；S2.将PDMS溶液、固化剂和双叔丁基苯甲噻吩混合均匀，涂敷于所述硅模板上；接着将其放入烘箱中烘烤，固化后，将PDMS薄膜剥离，即得到所述具有倒金字塔结构的荧光减反膜。本发明还公开了由上述方法制备的荧光减反膜以及太阳能电池。本发明的荧光减反膜不仅能够降低玻璃表面光线的反射，提高进入电池内部可见光光线的比例，同时能够提高电池的紫外稳定性，而且赋予玻璃表面自清洁功能，降低电池运营成本。

公开(公告)号：CN110137300A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910401930.0

申请日：2019-05-15

Applicant: 苏州大学 ,  苏州苏大维格科技集团股份有限公司

Inventor： 李孝峰 ,  张程 ,  吴绍龙 ,  丁浩 ,  李亮 ,  乔文 ,  陈林森

IPC: H01L31/108 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种超薄膜红外宽带热电子光电探测器，超薄膜红外宽带热电子光电探测器由硅基底、金属薄膜、顶部导电电极和底部导电电极组成，硅基底上端为金属薄膜，金属薄膜与硅基底一侧分别设有顶部导电电极和底部导电电极。本发明的有益效果是：利用具有红外宽带吸收性质的金属材料作为吸光层，只需要几十纳米厚的平面薄膜即可吸收大于20％的光；采用的金属薄膜极薄，和热电子的平均自由程相当，极大地提高了热电子的输运效率和光电探测器的响应度；金属和半导体的肖特基势垒可以通过接触界面和器件工艺来调节，实现红外波段的宽带探测。所设计的光电探测器只有金属薄膜和半导体基底构成，结构相当简单，所以制备容易、适合量产、成品率高。

公开(公告)号：CN107488864B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201710618495.8

申请日：2017-07-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 李亮 ,  田维 ,  曹风人

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04 ,  C23C18/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种负载锌镍钴碱式碳酸盐的光电极的制备方法，包括以下步骤：在导电基底表面形成一层氧化钛纳米棒阵列；将锌有机盐、镍有机盐、钴有机盐和尿素在水中混匀，得到混合溶液；将处理过的导电基底浸入混合溶液中，在60‑90℃下反应，得到负载锌镍钴碱式碳酸盐催化剂的光电极。本发明的方法过程简单、原材料充足、成本低，有利于大规模生产，具有巨大的潜在应用价值。采用本发明的方法所制备的半导体光电极有效的增大了电极的比表面积，增加了与电解液充分接触面积；同时与传统单一半导体电极相比，共催化剂的引入有效的促进了空穴与电解液发生反应，有利于提高电子空穴对分离，有效的提高了光解水效率。

公开(公告)号：CN108389727A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810220254.2

申请日：2018-03-16

Applicant: 苏州大学

Inventor： 孟林兴 ,  田维 ,  李亮

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2027

Abstract: 本发明涉及一种半导体复合异质结光电极的制备方法：在负载钒酸铋纳米薄膜的导电基底上沉积厚度为10-60nm的氧化锌薄膜，其中，氧化锌薄膜由锌源和氧源在150℃-200℃下反应得来；将处理后的导电基底放入铜盐水溶液中，在60℃-100℃下发生置换反应，使氧化锌转变成氧化铜，然后在350℃-550℃下退火，形成负载有钒酸铋和氧化铜异质结的导电基底；然后在负载有钒酸铋和氧化铜异质结的导电基底的表面沉积二氧化钛薄膜，其中，二氧化钛薄膜由钛源和氧源在80℃-150℃下反应得来。本发明的异质结具有花瓣状形貌，增大了电极的比表面积，负载的TiO2作为助催化剂，促进了空穴与电解液发生反应，有效的提高了光解水效率。