公开(公告)号：CN115044930A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210582598.4

申请日：2022-05-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 田维 ,  许卫卫 ,  李亮

IPC: C25B11/052 ,  C25B11/091 ,  C25B1/55 ,  C25B1/04 ,  C03C17/34 ,  C01G15/00 ,  C01G41/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种基于界面化学键的光阳极及其制备方法，涉及光电化学技术领域。本发明所述的基于界面化学键的光阳极，包括导电基底，所述导电基底表面设有过渡金属硫化物纳米阵列；所述过渡金属硫化物纳米阵列表面设有氧化膜，所述过渡金属硫化物纳米阵列和所述氧化膜在界面处形成界面化学键；所述氧化膜为Bi2WO6。本发明所述的光阳极在光电流密度上显著提高，优化样品在1.23VRHE偏压下光电流密度可达5.19mA/cm2，分离效率可达96.86％，注入效率可达64.88％，具有较高的光电化学性能。

公开(公告)号：CN115044930B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202210582598.4

申请日：2022-05-26

Applicant: 苏州大学

Inventor： 田维 ,  许卫卫 ,  李亮

IPC: C25B11/052 ,  C25B11/091 ,  C25B1/55 ,  C25B1/04 ,  C03C17/34 ,  C01G15/00 ,  C01G41/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种基于界面化学键的光阳极及其制备方法，涉及光电化学技术领域。本发明所述的基于界面化学键的光阳极，包括导电基底，所述导电基底表面设有过渡金属硫化物纳米阵列；所述过渡金属硫化物纳米阵列表面设有氧化膜，所述过渡金属硫化物纳米阵列和所述氧化膜在界面处形成界面化学键；所述氧化膜为Bi2WO6。本发明所述的光阳极在光电流密度上显著提高，优化样品在1.23VRHE偏压下光电流密度可达5.19mA/cm2，分离效率可达96.86％，注入效率可达64.88％，具有较高的光电化学性能。