旋转型电机及转子的制造方法

    公开(公告)号:CN114465382A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202111275785.X

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 本发明提供旋转型电机以及转子的制造方法,该旋转型电机不易产生磁铁的位置偏离引起的磁特性的劣化且容易组装,根据该转子的制造方法,不易产生磁铁的位置偏离引起的磁特性的劣化且作业性优良。旋转型电机的特征在于,具备定子;以及绕旋转轴旋转的转子,其中,所述转子具备:框架,具有面对所述定子的第一面、以及沿着绕所述旋转轴的周向排列且在所述第一面上开口的多个第一凹部,所述框架呈圆环状;主磁铁,配置于所述第一凹部内以及所述第一凹部之间中的一方;以及副磁铁,配置于所述第一凹部内以及所述第一凹部之间中的另一方。

    传感器元件、电子设备、以及移动体

    公开(公告)号:CN104166013B

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN201410206151.2

    申请日:2014-05-15

    Inventor: 高木成和

    Abstract: 本发明提供一种传感器元件、电子设备、以及移动体,其能够抑制可动体与基板、或可动体与固定电极的抵接。传感器元件设有:检测电极部;可动体,其与检测电极部对置设置;突起部,在从垂直方向俯视检测电极部时,所述突起部被设置在设有所述检测电极部的区域中,并朝向所述可动体而突出,所述突起部的表面的至少一部分为绝缘材料。

    惯性传感器的制造方法以及惯性传感器

    公开(公告)号:CN105628973B

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201510770845.3

    申请日:2015-11-12

    Abstract: 提供能够抑制密封材料附着在可动体上的惯性传感器的制造方法以及惯性传感器。在本发明所涉及的惯性传感器的制造方法中,惯性传感器包括被配置在由基体与盖体形成的空腔内的可动体,在基体上形成有配线的配线槽,配线槽与空腔连通,配线与可动体电连接,惯性传感器的制造方法包括:通过湿蚀刻而在盖体上形成未贯穿的第一开口部的工序(S4);对基体与盖体进行接合从而将可动体收纳在空腔中的工序(S6);在对可动体进行收纳的工序之后,形成对配线槽进行密封的第一密封材料的工序(S8);在形成第一密封材料的工序之后,通过干蚀刻而使第一开口部贯穿从而形成与空腔连通的贯穿孔的工序(S10);形成对贯穿孔进行密封的第二密封材料的工序(S12)。

    惯性传感器的制造方法以及惯性传感器

    公开(公告)号:CN105628973A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201510770845.3

    申请日:2015-11-12

    Abstract: 提供能够抑制密封材料附着在可动体上的惯性传感器的制造方法以及惯性传感器。在本发明所涉及的惯性传感器的制造方法中,惯性传感器包括被配置在由基体与盖体形成的空腔内的可动体,在基体上形成有配线的配线槽,配线槽与空腔连通,配线与可动体电连接,惯性传感器的制造方法包括:通过湿蚀刻而在盖体上形成未贯穿的第一开口部的工序(S4);对基体与盖体进行接合从而将可动体收纳在空腔中的工序(S6);在对可动体进行收纳的工序之后,形成对配线槽进行密封的第一密封材料的工序(S8);在形成第一密封材料的工序之后,通过干蚀刻而使第一开口部贯穿从而形成与空腔连通的贯穿孔的工序(S10);形成对贯穿孔进行密封的第二密封材料的工序(S12)。

    光源装置及具有该光源装置的投影机

    公开(公告)号:CN101300903A

    公开(公告)日:2008-11-05

    申请号:CN200680040566.0

    申请日:2006-11-01

    Abstract: 本发明提供一种采用微波来实现小型化及长寿命化的光源装置及具有该光源装置的投影机。本发明的光源装置具有输出高频信号的固体高频振荡部、将从该固体高频振荡部输入的高频信号作为微波发射的导波部、以及通过从该导波部发射的微波发光的发光部。另外,该导波部的容器在内部具有容纳天线并且被作为使从天线发射的微波收敛的反射面的微波反射面包围的空间。投影机具有:该光源装置;根据图像信息调制由光源装置的发光部发出的光束而形成光学像的光调制部;以及投影由光调制部形成的光学像的投影部。

    半导体装置及振荡器

    公开(公告)号:CN1905361A

    公开(公告)日:2007-01-31

    申请号:CN200610107873.8

    申请日:2006-07-27

    Inventor: 高木成和

    CPC classification number: H01L2924/14

    Abstract: 提供一种Q值大、相位噪声特性良好的半导体装置。半导体装置(1)具有:半导体基板(10),其包括作为有源元件的集成电路(12)和与集成电路(12)电连接的多个连接电极(14、15);第1树脂层(70),其形成于半导体基板(10)的形成有连接电极(14、15)的面上,并且避开了连接电极(14、15);连接布线层(25、26),其形成于半导体基板(10)和第1树脂层(70)之间,连接多个连接电极中的一个;由铜布线层构成的旋涡形状的螺旋电感器(40、50),该铜布线层形成于第1树脂层的表面上,其一端与连接布线层(25、26)连接;覆盖螺旋电感器(40、50)的表面的第2树脂层(75);外部端子(81~86),其与多个连接电极中的一些电连接,一部分从第2树脂层(75)突出。

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