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公开(公告)号:CN109087933B
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN201810776022.5
申请日:2014-05-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H10K59/123 , H10K59/121 , H10K59/124 , H10K59/131 , H10K59/80
Abstract: 本发明提供一种电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备。电光装置具有第一像素、第二像素。第一像素、第二像素包含反射层、绝缘层、功能层、以及对置电极。绝缘层包含第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层。在第二绝缘层设置第一开口。在第一开口中将第一像素电极设置在第一绝缘层上。在第三绝缘层设置有第二开口。在第二开口中将第二像素电极设置在第二绝缘层上。本发明能够按照每个像素取出所希望的共振波长的光,并具有优良的光学特性。
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公开(公告)号:CN114447087A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202210110733.5
申请日:2017-02-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明涉及电光学装置以及电子设备。即使在沿横(左右)向排列至少一个颜色的子像素的情况下,也防止来自发光层的光照射到晶体管且防止各扫描线的选择时间变短。与作为沿行方向延伸的第一导电层的扫描线以及作为沿列方向延伸的第二导电层的数据传输线对应地具备R、G、B的子像素。各色的子像素中的多个晶体管沿列方向配置,至少一个颜色的子像素中的反射层以与各显示色的子像素的任意一个晶体管重叠的方式沿行方向配置。在反射层与晶体管之间以与晶体管重叠的方式沿行方向配置作为第四导电层的电源配线。作为将反射层与各显示色的子像素的任意一个晶体管连接的第五导电层的中继电极形成在形成有电源配线的层与反射层之间的层。
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公开(公告)号:CN106652900B
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN201610806125.2
申请日:2016-09-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及电光学装置、电子设备以及电光学装置的驱动方法。防止由伴随着数据信号的变动的噪声引起的显示品质的降低。与驱动晶体管121的栅极层GTdr连接的第二数据传输线14-2与栅极层GTdr相比形成在上层,传输电容133与第二数据传输线14-2相比形成在上层。被供给数据信号的第一数据传输线14‑1与传输电容133相比形成在上层。
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公开(公告)号:CN109119443A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810908904.2
申请日:2014-08-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明提供一种发光装置以及电子设备。该发光装置包括:晶体管;光反射层;第一绝缘层,其具有第一层厚的部分、第二层厚的部分以及第三层厚的部分;像素电极,其设置在第一绝缘层上;第二绝缘层,其覆盖像素电极的周边部;发光功能层;对置电极;以及导电层,其设置在第一层厚的部分上。像素电极具有设置在第一层厚的部分的第一像素电极、设置在第二层厚的部分的第二像素电极、以及设置在第三层厚的部分的第三像素电极。第一像素电极、第二像素电极以及第三像素电极经由导电层与晶体管连接。
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公开(公告)号:CN104282716B
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201410290988.X
申请日:2014-06-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L51/5206 , H01L51/5253 , H01L51/5271 , H01L2251/301 , H01L2251/303
Abstract: 本发明提供一种发光装置,该发光装置在基体上形成有:第1发光元件以及第2发光元件,其具有使来自发光功能层的射出光在夹着上述发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构;以及像素定义层,其在上述反射层与上述半透光反射层之间用绝缘材料形成,且形成有与上述第1发光元件以及上述第2发光元件的各个对应的开口部。上述第1发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第1间隔与上述第2发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第2间隔不同。上述像素定义层的膜厚小于上述第1间隔与上述第2间隔的差量。
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公开(公告)号:CN104576688B
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201410513790.3
申请日:2014-09-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供发光装置以及电子设备,其中,发光装置具备:发光元件,其配置在基体的显示区域内,并包含第一电极以及第二电极以及发光功能层;第一导电体;第一绝缘层,其覆盖第一导电体;第二导电体;以及第二绝缘层,其覆盖第二导电体。第二电极形成在第一绝缘层的面上,并经由该第一绝缘层的第一导通孔与第一导电体导通,第一导电体形成在第二绝缘层的面上,并经由该第二绝缘层的第二导通孔与第二导电体导通,第一导通孔与第二导通孔在俯视时相互不重叠。
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公开(公告)号:CN103000656B
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:CN201210336748.X
申请日:2006-11-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F1/134336 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/3248 , H01L27/326 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3279 , H01L29/78645 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种发光装置及电子设备,在基板(10)的面上形成有驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)。驱动晶体管(Tdr)控制向发光元件(E)供给的电流量。电容元件(C1)与驱动晶体管(Tdr)的栅电极电连接,设定、保持栅极电位(Vg)。在覆盖驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)的第一绝缘层(L1)的面上,形成有经由接触孔(Ha3)与驱动晶体管(Tdr)导通的元件导通部(71)。元件导通部(71)与发光元件E的第一电极(21)连接。从垂直于基板(10)的方向观察,元件导通部(71)隔着驱动晶体管(Tdr)配置在与电容元件(C1)相反的一侧的区域。由此,可抑制对发光元件的发光造成影响的寄生电容的产生。
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公开(公告)号:CN104241545A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201410268410.4
申请日:2014-06-16
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 野泽陵一
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L2251/5392 , H01L2251/558 , H05B33/0896
Abstract: 本发明提供发光装置以及电子设备。上述发光装置具备形成在基体上的第一发光元件以及第二发光元件、和覆盖上述第一发光元件以及上述第二发光元件的密封层,上述第一发光元件与上述第二发光元件的间隔、上述第一发光元件与上述第二发光元件的节距、以及上述发光元件的宽度中的至少一个为上述密封层的膜厚以下。
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公开(公告)号:CN104241538A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201410242625.9
申请日:2014-06-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 野泽陵一
CPC classification number: H01L51/524 , H01L27/3276 , H01L51/5246
Abstract: 本发明涉及电光学装置、电光学装置的制造方法以及电子设备。作为电光学装置的有机EL装置的特征在于,具有:基板;设置在上述基板上的第1区域的发光元件;以包围上述第1区域的方式设置的保护线;以及覆盖上述第1区域并且到达上述保护线的密封膜或者密封结构。
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公开(公告)号:CN103000659A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201210336771.9
申请日:2006-11-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F1/134336 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/3248 , H01L27/326 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3279 , H01L29/78645 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种发光装置及电子设备,在基板(10)的面上形成有驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)。驱动晶体管(Tdr)控制向发光元件(E)供给的电流量。电容元件(C1)与驱动晶体管(Tdr)的栅电极电连接,设定、保持栅极电位(Vg)。在覆盖驱动晶体管(Tdr)和电容元件(C1)的第一绝缘层(L1)的面上,形成有经由接触孔(Ha3)与驱动晶体管(Tdr)导通的元件导通部(71)。元件导通部(71)与发光元件E的第一电极(21)连接。从垂直于基板(10)的方向观察,元件导通部(71)隔着驱动晶体管(Tdr)配置在与电容元件(C1)相反的一侧的区域。由此,可抑制对发光元件的发光造成影响的寄生电容的产生。
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