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公开(公告)号：CN110010639B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201811338483.0
申请日：2014-06-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H10K59/35 , H10K50/852 , H10K59/12
Abstract: 本发明提供一种发光装置，该发光装置在基体上形成有：第1发光元件以及第2发光元件，其具有使来自发光功能层的射出光在夹着上述发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构；以及像素定义层，其在上述反射层与上述半透光反射层之间用绝缘材料形成，且形成有与上述第1发光元件以及上述第2发光元件的各个对应的开口部。上述第1发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第1间隔与上述第2发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第2间隔不同。上述像素定义层的膜厚小于上述第1间隔与上述第2间隔的差量。
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公开(公告)号：CN104282716B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201410290988.X
申请日：2014-06-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L51/5206 , H01L51/5253 , H01L51/5271 , H01L2251/301 , H01L2251/303
Abstract: 本发明提供一种发光装置，该发光装置在基体上形成有：第1发光元件以及第2发光元件，其具有使来自发光功能层的射出光在夹着上述发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构；以及像素定义层，其在上述反射层与上述半透光反射层之间用绝缘材料形成，且形成有与上述第1发光元件以及上述第2发光元件的各个对应的开口部。上述第1发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第1间隔与上述第2发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第2间隔不同。上述像素定义层的膜厚小于上述第1间隔与上述第2间隔的差量。
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公开(公告)号：CN110010639A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811338483.0
申请日：2014-06-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光装置，该发光装置在基体上形成有：第1发光元件以及第2发光元件，其具有使来自发光功能层的射出光在夹着上述发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构；以及像素定义层，其在上述反射层与上述半透光反射层之间用绝缘材料形成，且形成有与上述第1发光元件以及上述第2发光元件的各个对应的开口部。上述第1发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第1间隔与上述第2发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第2间隔不同。上述像素定义层的膜厚小于上述第1间隔与上述第2间隔的差量。
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公开(公告)号：CN104282716A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410290988.X
申请日：2014-06-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L51/5206 , H01L51/5253 , H01L51/5271 , H01L2251/301 , H01L2251/303
Abstract: 本发明提供一种发光装置，该发光装置在基体上形成有：第1发光元件以及第2发光元件，其具有使来自发光功能层的射出光在夹着上述发光功能层的反射层与半透光反射层之间共振的共振结构；以及像素定义层，其在上述反射层与上述半透光反射层之间用绝缘材料形成，且形成有与上述第1发光元件以及上述第2发光元件的各个对应的开口部。上述第1发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第1间隔与上述第2发光元件中的上述反射层以及上述半透光反射层的第2间隔不同。上述像素定义层的膜厚小于上述第1间隔与上述第2间隔的差量。
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