传感器芯片、传感器盒及分析装置

    公开(公告)号:CN102072879A

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN201010551069.5

    申请日:2010-11-18

    Abstract: 本发明提供了一种传感器芯片、传感器盒以及分析装置。该传感器芯片包括:基体部件,具有平面部;以及衍射光栅,具有由金属形成的表面,形成在所述平面部上,且目标物质配置在所述衍射光栅上,所述衍射光栅包括:多个第一突起,沿与所述平面部平行的第一方向,按大于等于100nm小于等于1000nm的周期周期性地排列;多个基底部分,位于相邻的两个所述第一突起之间,构成所述基体部件的底部;以及多个第二突起,形成在多个所述第一突起的上表面。

    传感器芯片、传感器盒及分析装置

    公开(公告)号:CN102072878A

    公开(公告)日:2011-05-25

    申请号:CN201010550127.2

    申请日:2010-11-18

    Abstract: 本发明提供了一种传感器芯片、传感器盒及分析装置。该传感器芯片包括:基底部件,具有平面部;以及衍射光栅,具有由金属形成的表面并形成在所述平面部上,目标物质配置在所述衍射光栅上,所述衍射光栅包括:多个第一突起,沿与所述平面部平行的第一方向按100nm以上且1000nm以下的周期周期性地排列;多个基底部分,位于相邻的两个所述第一突起之间,构成所述基底部件的基底;多个第二突起,形成在所述多个第一突起的上面;以及多个第三突起,形成在所述多个基底部分上。

    分光方法及分析装置
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102608823B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201110107698.3

    申请日:2011-04-27

    CPC classification number: G01N21/658 G01N21/554

    Abstract: 本发明公开了一种分光方法及分析装置,其中,该光器件具有第一突起群,第一突起群通过将导电体的突起沿与假想平面平行的方向以第一周期排列而成。在使光入射至以第一周期排列的第一突起群时的表面等离子体共振分别在第一共振峰波长和第二共振峰波长产生,光是沿相对于朝向假想平面的垂线倾斜的方向前进的光。此时,包含第一共振峰波长的第一共振峰值波段包括表面增强拉曼散射中的激发波长λ1。包含第二共振峰波长的第二共振峰值波段包括表面增强拉曼散射中的拉曼散射波长λ2。

    传感器芯片、传感器盒及分析装置

    公开(公告)号:CN102072878B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201010550127.2

    申请日:2010-11-18

    Abstract: 本发明提供了一种传感器芯片、传感器盒及分析装置。该传感器芯片包括:基底部件,具有平面部;以及衍射光栅,具有由金属形成的表面并形成在所述平面部上,目标物质配置在所述衍射光栅上,所述衍射光栅包括:多个第一突起,沿与所述平面部平行的第一方向按100nm以上且1000nm以下的周期周期性地排列;多个基底部分,位于相邻的两个所述第一突起之间,构成所述基底部件的基底;多个第二突起,形成在所述多个第一突起的上面;以及多个第三突起,形成在所述多个基底部分上。

    光器件、分析装置及分光方法

    公开(公告)号:CN102608823A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201110107698.3

    申请日:2011-04-27

    CPC classification number: G01N21/658 G01N21/554

    Abstract: 本发明公开了一种光器件、分析装置及分光方法,其中,该光器件具有第一突起群,第一突起群通过将导电体的突起沿与假想平面平行的方向以第一周期排列而成。在使光入射至以第一周期排列的第一突起群时的表面等离子体共振分别在第一共振峰波长和第二共振峰波长产生,光是沿相对于朝向假想平面的垂线倾斜的方向前进的光。此时,包含第一共振峰波长的第一共振峰值波段包括表面增强拉曼散射中的激发波长λ1。包含第二共振峰波长的第二共振峰值波段包括表面增强拉曼散射中的拉曼散射波长λ2。

    光器件及分析装置
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102297853A

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:CN201110124500.2

    申请日:2011-05-13

    CPC classification number: G01N21/658 G01N21/554

    Abstract: 本发明提供了光器件及分析装置。该光器件包括沿着与假想平面平行的方向排列导电体突起而成的突起群。突起群中的突起的排列周期至少包括第一周期及与第一周期不同的第二周期。第一周期及第二周期是比入射光的波长短的周期。

    激光加工方法、激光加工装置、电子仪器

    公开(公告)号:CN100540204C

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:CN200510092154.9

    申请日:2005-08-23

    Inventor: 尼子淳

    Abstract: 本发明提供一种顶帽状分布的激光光束来进行加工时,提高光利用效率可能的技术。本发明的激光加工方法包括:第一过程,其产生能量强度分布为高斯分布(a)的激光光束(LB);第二过程,其对激光光束的波面,施加规定的相位调制来整形相应激光光束,以便越是中心其相位相对提前,越是离开中心,相位相对延迟;第三过程,其对经过第二过程已经整形的激光光束波面,施加规定的相位调制来整形相应的激光光束,以便越是中心其相位相对延迟,越是离开中心其相位相对提前;和第四过程,其将经过第二和第三过程而能量强度分布近似变为平坦分布(b)的激光光束,照射在被加工体(100)而加工被加工体。

    微细结构体的制造方法、曝光装置、电子仪器

    公开(公告)号:CN100480863C

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200510075901.8

    申请日:2005-06-02

    Abstract: 提供一种可以以低成本实现比可见光波长还短的数量级的微细加工的技术。一种微细结构体的制造方法,包括:感光膜形成工序,在被加工体(100)的上侧形成感光膜;曝光工序,使比可见光波长小的波长的2束激光束(B1、B2)交叉来产生干涉光、通过照射该干涉光来曝光上述感光膜;显影工序,显影曝光后的上述感光膜、在上述感光膜上呈现与上述干涉光的图案对应的形状;蚀刻工序,以显影后的上述感光膜为蚀刻掩膜进行蚀刻来加工上述被加工体。

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