-
公开(公告)号：CN101236320A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810008776.2
申请日：2008-01-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/13338 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F1/133784 , G02F1/134309 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134345 , G02F2001/136218 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G06F3/0412 , G06F3/044
Abstract: 本发明提供一种带输入功能的显示装置，其不需要复杂的系统而能够抑制噪声的影响。该带输入功能的显示装置具备：设有驱动液晶层(13)的像素电极(21)及共用电极(43)的元件基板(11)、经由液晶层(13)与元件基板(11)对置配置的对置基板(12)、在对置基板(12)的外面层叠的检测电极(15)及偏振片(17)、检测经由偏振片(17)在与检测电极(15)之间形成的静电电容的形成位置的检测装置，对置基板(12)具有形成于液晶层(13)侧且电位固定的屏蔽电极(52)。
-
公开(公告)号：CN101162687A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710180102.6
申请日：2007-10-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02691 , H01L21/67098
Abstract: 本发明提供一种能减轻对基板的热负荷，能进行大面积的基板的热处理的半导体装置的制造方法。此外，提高热处理温度的均一性，提高形成的半导体装置的特性。在基板上形成硅膜，在通过用以氢和氧的混合气体作为燃料的气体喷燃器(22)的火焰对该硅膜进行扫描，从而进行热处理的工序中，气体喷燃器(22)的火焰F为大致直线状。结果，热处理温度的均一性提高，减少硅膜的结晶率的偏移，能提高形成的半导体装置的特性。
-
公开(公告)号：CN1574368A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410044799.0
申请日：2004-05-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宇都宫纯夫
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/84 , H05B33/14
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/124 , H01L2221/68363 , H01L2224/32145 , H01L2224/83001
Abstract: 本发明提供一种最佳实现三维电路结构的薄膜电路装置。本发明的薄膜电路装置是层叠：第一薄膜电路层(21)和第二薄膜电路层(22)。该第一薄膜电路层包括：形成在基底层与保护层之间的第一薄膜电路和连接在第一薄膜电路并从基底层下表面一部分露出的下部连接电极(221)；该第二薄膜电路层包括：形成在基底层与保护层之间的第二薄膜电路、连接在第二薄膜电路并从保护层上表面一部分露出的上部连接电极(229)和连接在第二薄膜电路并从基底层下表面一部分露出的下部连接电极(221)。连接第一薄膜电路层(21)的下部连接电极(221)和第二薄膜电路层(22)的上部连接电极(229)来联动第一薄膜电路(21)和第二薄膜电路(22)。
-
公开(公告)号：CN105708434A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510931678.6
申请日：2015-12-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B5/0225
CPC classification number: A61B5/02108 , A61B5/02007 , A61B5/0261 , A61B5/681 , A61B5/7242
Abstract: 本发明涉及血压测量装置、电子设备以及血压测量方法。血压测量装置具备：发光部，其照射测定光；受光部，其接收测定光的反射透过光；以及运算部，其基于受光部的受光结果计算血流量以及容积脉搏波，并根据血流量和从容积脉搏波求出的血管阻力来计算血压。
-
公开(公告)号：CN102539022A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110402387.X
申请日：2011-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G01L1/04 , B25J13/085 , G01L1/20 , G01L1/205 , G01L5/161 , G01L5/228 , G06F3/0338 , G06F3/03547 , G06F3/0414 , Y10S901/46
Abstract: 本发明提供一种检测装置、电子设备以及机械手，能够快速地检测出外压的有无，并且能够高精度地检测出外压的方向和大小。该检测装置具有：检测部，其具有检测压力的有无的接触传感器(12)、和将压力的大小和方向进行分离的压力分量分离机构；以及控制部，其基于接触传感器(12)的检测结果，对压力分量分离机构的检测动作进行控制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100446268C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200410045314.X
申请日：2004-05-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种更薄的片状有机EL显示装置。有机EL显示装置包括：基板(51)，兼作阻止水分或氧等向内部透过的保护层与成膜的支撑层；层叠体，具有成膜于底层(13)之上且担负电路责任的薄膜电路层(20)、和担负有机EL发光体责任的有机EL发光层(30)；及粘接层(41)，粘接上述层叠体与上述基板，上述有机EL发光体向上述底层(13)侧发射发光光。由此，可以得到薄的有机EL显示装置。
-
公开(公告)号：CN101261378A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810083445.5
申请日：2008-03-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02F1/136213 , G09G3/3648 , G09G2300/0876 , G09G2330/06
Abstract: 本发明提供一种液晶装置及其驱动方法以及电子设备。在第一基板和第二基板的间隙中密封液晶。在夹着第一基板与液晶相反一侧的表面，形成用于根据静电电容的变化来检测接触的检测用电极。像素电极具有：液晶电容，其包括像素电极和对置电极及两者间的液晶；和蓄积电容，其包括第一电极和与像素电极连接的第二电极。像素电极与信号线在选择期间电连接，在经过选择期间后绝缘。在选择期间向信号线供给与正极性写入或负极性写入对应的电位(VD)。在经过执行了正极性写入的选择期间后，第一电极的电位上升，在经过执行了负极性写入的选择期间(H)后，第一电极的电位下降。由此，能以简单的结构抑制检测用电极所产生的噪声的影响。
-
公开(公告)号：CN101047123A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710087841.0
申请日：2007-03-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 在半导体薄膜的制造方法中，将设置有排列于表面的多个突起部(10)的单晶半导体基板(单晶硅基板2)、与表面堆积有半导体薄膜的透光性基板(4)，使相互的表面相对进行结合。对半导体薄膜实施热处理，使半导体薄膜熔融晶体化，在透光性基板(4)上以多个突起部(10)的每一个为起点，形成由多个近似单晶粒(晶体硅16)构成的类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)。将包括类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)的透光性基板(4)与单晶半导体基板(单晶硅基板2)分离。由此，提供可获得在透明的绝缘基板上控制了结晶方位的类似单晶半导体薄膜的半导体膜、半导体元件、半导体装置及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN1306618C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200410044799.0
申请日：2004-05-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宇都宫纯夫
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/84 , H05B33/14
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/124 , H01L2221/68363 , H01L2224/32145 , H01L2224/83001
Abstract: 本发明提供一种最佳实现三维电路结构的薄膜电路装置。其中薄膜电路装置，包括：具有耐热性的第一基板；形成在所述第一基板上，并由给予能量而产生剥离的剥离层和形成在所述剥离层上的绝缘性基底层；形成在所述基底层上的薄膜电路层；形成在所述薄膜电路层上的保护层；贯通所述基底层的一部分而连接所述剥离层，由剥离该剥离层而被露出，并进行外部电路与所述薄膜电路层之间连接的连接电极。
-
公开(公告)号：CN1667839A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510052686.X
申请日：2005-03-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L51/0013 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/19041
Abstract: 本发明目的在于提供一种简便地将被转印层在具有柔软性或挠性的转印体上剥离转印的技术。而且本发明目的也在于提供一种利用这种剥离转印技术制造半导体装置的方法以及用该方法制造的电子仪器。上述课题是通过包括以下被转印层的转印方法解决的，该方法是将在支持基板上形成的被转印层在具有柔软性或挠性的转印体上的转印方法，其中包括：在基板上形成被转印层的第一工序、将基板上形成的被转印层接合在固定于固定具上的具有柔软性或挠性的转印体上的第二工序、和将被转印层从基板上剥离转印在转印体上的第三工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.036 seconds)
