公开(公告)号：CN111599565B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202010486381.4

申请日：2020-06-01

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 ,  厦门钨业股份有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄佳莹 ,  黎国妃 ,  汤志辉 ,  黄清芳

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  B22F1/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物，其包含：第一组分：轻稀土元素LR，所述LR包括Nd；Ho，0～10mas％、且不为0；Cu，0.35～0.6mas％；C，0～0.32mas％；Ga，0～0.42mas％，且不为0；Co，0～0.5mas％；Al，0～0.5mas％；X，0.05～0.5mas％；B，0.9～1.05mas％；余量为Fe；第一组分不包括除Ho外的其他重稀土元素；第二组分：Dy和/或Tb，0.2～1mas％。本发明的钕铁硼磁体材料晶界连续性好，具有高剩磁、高矫顽力和良好的高温性能，且具有良好的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN111613405B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202010486884.1

申请日：2020-06-01

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 ,  厦门钨业股份有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄佳莹 ,  黎国妃 ,  汤志辉 ,  黄清芳

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  C22C38/06 ,  C22C38/16 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/32 ,  C22C38/30 ,  C22C38/28 ,  C22C38/26 ,  C22C38/24 ,  C22C38/22 ,  C22C38/20 ,  C22C33/02

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包含：第一组分：LR，LR包括Nd；Ho，0～10mas％、且不为0；Gd，0～5mas％；Dy，0～3mas％；Tb，0～3mas％；且Gd、Dy和Tb不同时为0；Cu，0.35～0.6mas％；C，0～0.32mas％；Ga，0～0.42mas％，且不为0；Co，0～0.5mas％；Al，0～0.5mas％；X，0.05～0.5mas％；B，0.9～1.05mas％；余量为Fe；第二组分：Dy和/或Tb，0.2～1mas％。该钕铁硼磁体材料具有高剩磁、高矫顽力、良好的高温性能和良好的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN111524672B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202010364133.2

申请日：2020-04-30

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 ,  厦门钨业股份有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄清芳 ,  黎国妃 ,  汤志辉 ,  黄佳莹

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  C22C38/06 ,  C22C38/04 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C38/14 ,  C22C38/12

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，钕铁硼磁体材料Ⅰ的原料组合物包含：R：29.5～32.5wt％；R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、Ho和Gd，且不包括Dy和/或Tb；R2包括Dy和/或Tb；Co：0～0.5wt％；B：0.9～1.05wt％；Cu：0～0.35wt％、且不为0；Ga：0～0.35wt％、且不为0；Al：0～0.5wt％；X：0.05～0.45wt％；X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；Fe：66～70wt％。磁体材料晶界连续性高，磁性能好。

公开(公告)号：CN111613405A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010486884.1

申请日：2020-06-01

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 ,  厦门钨业股份有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄佳莹 ,  黎国妃 ,  汤志辉 ,  黄清芳

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  C22C38/06 ,  C22C38/16 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/32 ,  C22C38/30 ,  C22C38/28 ,  C22C38/26 ,  C22C38/24 ,  C22C38/22 ,  C22C38/20 ,  C22C33/02

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包含：第一组分：LR，LR包括Nd；Ho，0～10mas％、且不为0；Gd，0～5mas％；Dy，0～3mas％；Tb，0～3mas％；且Gd、Dy和Tb不同时为0；Cu，0.35～0.6mas％；C，0～0.32mas％；Ga，0～0.42mas％，且不为0；Co，0～0.5mas％；Al，0～0.5mas％；X，0.05～0.5mas％；B，0.9～1.05mas％；余量为Fe；第二组分：Dy和/或Tb，0.2～1mas％。该钕铁硼磁体材料具有高剩磁、高矫顽力、良好的高温性能和良好的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN111599565A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN202010486381.4

申请日：2020-06-01

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 ,  厦门钨业股份有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄佳莹 ,  黎国妃 ,  汤志辉 ,  黄清芳

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  B22F1/00 ,  C22C33/02 ,  C22C38/00 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物，其包含：第一组分：轻稀土元素LR，所述LR包括Nd；Ho，0～10mas％、且不为0；Cu，0.35～0.6mas％；C，0～0.32mas％；Ga，0～0.42mas％，且不为0；Co，0～0.5mas％；Al，0～0.5mas％；X，0.05～0.5mas％；B，0.9～1.05mas％；余量为Fe；第一组分不包括除Ho外的其他重稀土元素；第二组分：Dy和/或Tb，0.2～1mas％。本发明的钕铁硼磁体材料晶界连续性好，具有高剩磁、高矫顽力和良好的高温性能，且具有良好的耐腐蚀性。

公开(公告)号：CN111524673A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010365875.7

申请日：2020-04-30

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 ,  厦门钨业股份有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄清芳 ,  黎国妃 ,  汤志辉 ,  黄佳莹

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  C22C38/06 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C38/12 ,  C22C38/14

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包含：第一组分：LR：13～31.5wt％；LR包括Nd；Ho：0～10wt％、且不为0；Gd：0～5wt％、且不为0；Dy和/或Tb：0～3wt％，且不为0；Cu：0～0.35wt％，且不为0；Ga：0～0.35wt％，且不为0；Al：0～0.5wt％；X：0.05～0.45wt％；Co：0～0.5wt％；B：0.9～1.05wt％；余量为Fe；第二组分：Dy和/或Tb：0.2～1wt％；总稀土含量为29.5～32.5wt％。该钕铁硼磁体材料具有高剩磁、高矫顽力和良好的高温性能。

公开(公告)号：CN111524672A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010364133.2

申请日：2020-04-30

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司 ,  厦门钨业股份有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄清芳 ,  黎国妃 ,  汤志辉 ,  黄佳莹

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02 ,  C22C38/06 ,  C22C38/04 ,  C22C38/10 ,  C22C38/16 ,  C22C38/14 ,  C22C38/12

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物、制备方法、应用，钕铁硼磁体材料Ⅰ的原料组合物包含：R：29.5～32.5wt％；R为稀土元素、且包括熔炼用稀土金属R1和晶界扩散用稀土金属R2，R2的含量为0.2～1wt％；R1包括Nd、Ho和Gd，且不包括Dy和/或Tb；R2包括Dy和/或Tb；Co：0～0.5wt％；B：0.9～1.05wt％；Cu：0～0.35wt％、且不为0；Ga：0～0.35wt％、且不为0；Al：0～0.5wt％；X：0.05～0.45wt％；X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；Fe：66～70wt％。磁体材料晶界连续性高，磁性能好。

公开(公告)号：CN110517838A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910760036.2

申请日：2019-08-16

Applicant: 厦门钨业股份有限公司 ,  福建省长汀金龙稀土有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄清芳 ,  黄佳莹 ,  蓝琴

IPC: H01F1/057 ,  H01F41/00 ,  H01F41/02 ,  C22C38/10 ,  C22C38/14 ,  C22C38/16

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼永磁材料及其原料组合物、制备方法和应用。该钕铁硼永磁材料包含下述组分：Nd 24.0～29.0％、RH 3.0～6.0％、Cu 0.1～0.3％、Co 1.0～4.0％、Ga 0.1～0.6％、Nb 0.3～0.5％、Ti 0.0～0.3％和B 0.90～1.02％，余量为Fe及不可避免的杂质，百分比是指在钕铁硼永磁材料中的重量百分比；RH为重稀土元素。本发明的钕铁硼永磁材料在Br≥1.29T、Hcj≥1933kA/m的条件下，实现了在20℃～100℃温度区间磁通温度系数α的绝对值≤0.085％/℃，性能优异，能够满足动力电机、计算机及电子产品等精密仪器的性能要求。

公开(公告)号：CN117334427A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311434761.3

申请日：2023-10-31

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司

Inventor： 汤志辉 ,  李可 ,  许德钦 ,  付刚 ,  谢志兴 ,  黄佳莹 ,  黎国妃 ,  李志刚 ,  王金磊

IPC: H01F1/057 ,  H01F7/02 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。本发明的钕铁硼磁体，包括沿垂直于取向方向依次分布的第一易退磁区、第一过渡区、非易退磁区、第二过渡区、第二易退磁区；所述第一易退磁区、所述第二易退磁区、所述非易退磁区、所述第一过渡区和所述第二过渡区均为矩形。本发明通过控制过渡区、易退磁区和非易退磁区中由扩散引入的Tb含量以及所有区域Dy含量的配合，能够减少由于过渡区Tb浓度梯度差造成的Tb跨区互扩散，在能够在保证钕铁硼磁体剩磁的前提下，降低钕铁硼磁体表磁和磁通的衰减，提升钕铁硼磁体的抗退磁能力，且本发明设置易退磁区、非易退磁区和过渡区均为矩形，能够提高钕铁硼磁体四角及长边的抗退磁能力。

公开(公告)号：CN112735717B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202011566067.3

申请日：2020-12-25

Applicant: 福建省长汀金龙稀土有限公司

Inventor： 王金磊 ,  黄清芳 ,  黎国妃 ,  兰秋连 ,  李可

IPC: H01F1/057 ,  H01F1/055 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法。该钕铁硼材料包含Re2Fe14B主相晶粒及其壳层、邻接Re2Fe14B主相晶粒的富Nd相和晶界三角区；Re2Fe14B主相晶粒中的Re包含Ho和/或Dy；壳层包含(Nd/Ho)2Fe14B、(Nd/Dy)2Fe14B和(Nd/Tb)2Fe14B中的一种或多种；壳层的厚度为0.1～1μm；晶界三角区包含Ho2O3、Ho2S3、Dy2O3和Dy2O3中的一种或多种；晶界三角区中的氧化物和/或硫化物占钕铁硼材料的质量百分含量为1～7％。本发明通过改善烧结钕铁硼磁体的晶界微观结构，使得后续晶界扩散后的钕铁硼材料的矫顽力大幅度提升，且能够有效增加扩散深度。