公开(公告)号：CN110690329B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201910984757.1

申请日：2019-10-16

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  刘晔 ,  吴朝兴 ,  李典伦 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  王堃

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种单端电学接触、单端载流子注入的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的像素单元，每个像素单元自下而上依次包括像素下电极、μLED晶粒、绝缘层、以及像素上电极；其中μLED晶粒直接接触所述像素下电极，外部载流子通过所述像素下电极注入所述μLED晶粒，绝缘层使得外部载流子无法通过所述像素上电极注入μLED晶粒；所述μLED晶粒由施加在像素上电极、像素下电极之间的交变电场点亮。本发明规避了复杂的键合工艺，有望提高μLED发光与显示器件的市场竞争力。

公开(公告)号：CN111834503A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010535548.1

申请日：2020-06-12

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 郭太良 ,  吴朝兴 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  王堃 ,  刘晔

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/06 ,  G09F9/33 ,  G09G3/32 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种基于垂直纳米结构的纳米三极发光管，包括：衬底；一个或多个过渡层，阵列设置于衬底上，用于定向纳米半导体结构的生长；以及一个或多个纳米半导体结构，设置于对应的过渡层上；纳米半导体结构包括依次堆叠的第一半导体、第二半导体、第三半导体、发光体和第四半导体，过渡层邻接第一半导体或第四半导体，从第一半导体、第二半导体和第四半导体分别引出第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极；在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个设定功率可变输入信号，同时在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个固定电压，以使纳米三极发光管发光。该纳米三极发光管有利于降低驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。

公开(公告)号：CN110676284A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910984750.X

申请日：2019-10-16

Applicant: 福州大学

Inventor： 郭太良 ,  王堃 ,  吴朝兴 ,  李典伦 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  刘晔

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明涉及一种非电学接触、无外部载流子注入、无巨量转移的μLED发光与显示器件及其制备方法，包括一个以上的发光像素，每个发光像素自下至上依次包括像素下电极、下绝缘层、μLED晶粒、上绝缘层、以及像素上电极；其中上绝缘层与下绝缘层使得μLED晶粒与像素下电极、像素上电极之间无直接的电学接触，所述μLED晶粒由交变电场通过电磁耦合点亮。本发明中μLED晶粒与驱动电极无电学接触，因此可以简化μLED晶粒的结构，并且可以采用喷墨打印、丝网印刷、旋涂、刷涂、滚涂、化学自组装等方法设置μLED晶粒阵列，可避免巨量转移工艺以及μLED晶粒与驱动阵列的复杂键合工艺的使用，有效地缩短μLED器件的制作周期和降低制作成本，有望增强μLED的市场竞争力。