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公开(公告)号：CN118019422A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410153460.1
申请日：2024-02-04
Applicant: 福州大学 , 广东聚华新型显示研究院
Abstract: 本发明涉及一种制备高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于，按照基板‑空穴注入层‑空穴传输层‑全彩发光层‑电子传输层‑金属电极的顺序制备所述全彩量子点发光二极管，其中全彩发光层的制备方法为：先将红色量子点利用LB‑TP的方法转印到基板上形成红色量子点横线条，再将绿色量子点利用LB‑TP的方法转印到基板上形成绿色量子点竖线条，而后将蓝色量子点旋涂到基板上，形成红绿蓝三种颜色规则排列的全彩发光层。该方法操作简易，产率高，适用于高分辨全彩量子点发光二极管的大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN116528632A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310554258.5
申请日：2023-05-17
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/155 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种离子液体改进蓝光硒化镉QLED空穴传输能力的方法，包括疏水性离子液体1‑丁基‑3‑甲基咪唑六氟化磷盐（BMIMPF6），量子点发光二极管器件。通过将一定量的BMIMPF6掺杂在传统的空穴传输材料聚[(9,9‑二辛基芴‑2,7‑二基)‑co‑(4,4′‑(N‑(4‑仲丁基苯基)二苯胺)]（TFB）中，与TFB溶液完全混合、相溶。本发明通过使用导电性良好的离子液体BMIMPF6掺杂在导电聚合物TFB中，使得蓝光QLED器件的开启电压、外量子效率与器件寿命都得到一定提升，解决了蓝光硒化镉器件高开启电压与低稳定性的问题。
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公开(公告)号：CN113512416B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110848617.9
申请日：2021-07-27
Abstract: 本发明公开了一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其是在以卤化锌为催化剂的条件下，将铟源与磷源经反应制成磷化铟核，然后掺入镓源以钝化磷化铟核内的缺陷，再在其表面包覆一层ZnS外壳，以提高量子点的稳定性以及发光效率，最后通过巯基类有机酸与量子点间强的结合力使其相互结合，进而制备出Ga掺杂的水溶性InP量子点。本发明制备的量子点不含Cd与Pb等重金属，对环境十分友好，并能溶于水，扩大了量子点的应用场景。
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公开(公告)号：CN112625681B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011585748.4
申请日：2020-12-29
Abstract: 本发明公开了一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED器件中的应用，本发明将铟源、磷源、碘化锌、油胺、硬脂酸锌、1‑十二硫醇、1‑十八烯置于50ml烧瓶中，在氮气的环境下,控制不同温度和反应时间分别形成InP核和ZnS外壳，进而得到发出纯蓝光的InP/ZnS量子点。本发明利用一锅法合成InP/ZnS量子点与传统的方法相比，简单更节省时间，且合成的量子点壳与核之间的晶格失配度更低，缺陷更少，具有更高的荧光量子效率，传统的方法合成的蓝色量子点发光峰波长大都为470nm以上，而本发明的量子点发光峰波长为470nm以下为纯蓝光，制备的QLED相对比镉系量子点具有无毒的优势，更有利于商业化。
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公开(公告)号：CN112510163A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011427013.9
申请日：2020-12-09
Abstract: 本发明涉及一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法。采用平面层状多膜层结构，包括基板、阴极层、电子传输层、LB膜修饰层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；其中，所述LB膜修饰层是利用LB拉膜机制备的有机聚合物薄膜，以LB膜修饰层对电子传输层/量子点发光层进行界面修饰。本发明LB膜修饰层是利用LB拉膜机制备的有机聚合物薄膜，其制备方法简单，聚合物分子有序排列，膜厚精准可控等优点，可以通过重复LB拉膜步骤实现对有机聚合物LB膜层数的控制。以这种高质量LB膜作为器件的界面修饰层，不仅可以精准限制电子注入进一步提高电荷平衡，还可以钝化界面处的缺陷提高辐射复合效率，从而有效提高量子点发光二极管的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108300455A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810084085.4
申请日：2018-01-29
Applicant: 福州大学
CPC classification number: C09K11/665 , B41M1/30 , B41M5/00 , C09K11/025
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点的多彩聚合物复合薄膜及其制备方法，其是利用良性溶剂分别配制一定浓度含不同阴离子种类的钙钛矿前驱体溶液，然后在选好的聚合物薄膜上根据尺寸需求进行图案化，再通过喷墨打印的方式将含不同阴离子种类的钙钛矿前驱体溶液打印在聚合物薄膜上，经烘干或低温抽真空处理，使得聚合物薄膜中的良性溶剂蒸发，聚合物薄膜收缩，而制得所述多彩聚合物复合薄膜。本发明采用溶胀效应制备出具有高荧光效率、并能隔绝水氧的多彩聚合物复合薄膜，其大大提高了量子点复合薄膜的稳定性，且方法简单，适用于发光显示器件的制备。
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公开(公告)号：CN103641110A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310712919.9
申请日：2013-12-23
Applicant: 福州大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种利用感应加热制备石墨烯的方法，包括以下步骤：S01：提供一密闭的反应器，且该反应器的外壁绕有复数个感应器线圈，并将金属衬底放置于该反应器中；S02：在该反应器中通入非氧化性气体一预设时间后，向所述复数个感应器线圈两端口通入交流电；S03：当该金属衬底的温度达到一预设温度时，在所述非氧化性气体中通入含碳化合物气体作为碳源；S04：反应进行一预定时间后，停止通入该含碳化合物气体，同时关闭电流并继续通入所述非氧化性气体制冷至室温；S05：取出所述金属衬底。本发明利用感应加热制备石墨烯，加热及降温速度快，加热位置和面积可控，操作方便可实现石墨烯的大面积快速制备。
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公开(公告)号：CN119342985A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437195.6
申请日：2024-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/165 , H10K50/155 , H10K50/115 , H10K71/00 , H10K71/12 , H10K71/40
Abstract: 本发明涉及一种利用液晶分子调控QLED载流子平衡的方法，属于QLED显示领域。所述方法，包括在透明导电衬底的ITO层上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和金属阴极；将液晶分子掺入空穴传输层或电子传输层，通过液晶分子的电场响应与热响应特性，调控周围载流子的注入与传输，进而调控QLED载流子平衡，提高QLED器件性能。
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公开(公告)号：CN118843366A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410813192.1
申请日：2024-06-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于毛细效应驱动量子点自组装制备高分辨量子点发光二极管的方法，属于发光二极管等发光器件技术领域。按照基板‑空穴注入层‑空穴传输层‑发光层‑电子传输层‑金属电极的顺序制备高分辨率量子点发光二极管，其中发光层的制备方法为：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将量子点通过溶液法沉积到聚合物沟槽中，在毛细效应驱动下，量子点会向聚合物沟槽内壁移动并堆积成量子点条纹，将沉积有量子点阵列的聚合物衬底转印至基板后，将基板浸入热溶剂中以将聚合物去除，留下发光量子点阵列。本发明方法操作简易，产率高，适用于高分辨率量子点发光二极管的大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN118647247A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410773674.9
申请日：2024-06-17
Applicant: 福州大学
IPC: H10K71/18 , H10K50/115 , H10K50/86 , H10K50/18 , H10K59/35
Abstract: 本发明提供一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其全彩发光层通过以下方法进行制备：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将不发光的材料通过溶液法沉积到聚合物沟槽中形成条纹；然后通过溶液法沉积第一量子点至所述条纹之间的空隙中，接着将成型后的量子点纵向转印到基板上，之后将基板浸入热溶剂中将聚合物洗去，以留下被不发光条纹裹夹的第一量子点条纹；再用同样的方法横向转印制备第二量子点条纹；最后将第三量子点通过溶液法沉积到第一、第二量子点的交叉条纹的空白位置中，形成被不发光条纹阻隔的全彩量子点阵列。
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