公开(公告)号：CN112701230A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011538453.1

申请日：2020-12-23

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 胡海龙 ,  李福山 ,  孟汀涛 ,  井继鹏 ,  高宏锦 ,  郭太良

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明属于电子传输层QLED制备技术领域，具体涉及一种干法转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法。先在辅助衬底上制备一层ZnO纳米薄膜，然后将预先制备的粘性弹性体PDMS贴合在ZnO薄膜上，利用弹性体PDMS的粘性吸附ZnO纳米薄膜，将PDMS/ZnO与辅助衬底分离。然后进行退火使PDMS印章粘性减弱，将PDMS/ZnO贴合到钙钛矿量子点发光层上并按压，ZnO纳米颗粒被转移至钙钛矿层上，最后将PDMS印章与ZnO层分离。本发明通过PDMS印章转移ZnO纳米薄膜至钙钛矿量子点发光层上作为电子传输层，不仅可以构建完美的异质界面，还可避免溶液加法中溶剂作用或真空工艺的热效应对钙钛矿量子点发光层的破坏。

公开(公告)号：CN112510163A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011427013.9

申请日：2020-12-09

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 李福山 ,  井继鹏 ,  胡海龙 ,  赵等临 ,  杨开宇 ,  郭太良

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法。采用平面层状多膜层结构，包括基板、阴极层、电子传输层、LB膜修饰层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；其中，所述LB膜修饰层是利用LB拉膜机制备的有机聚合物薄膜，以LB膜修饰层对电子传输层/量子点发光层进行界面修饰。本发明LB膜修饰层是利用LB拉膜机制备的有机聚合物薄膜，其制备方法简单，聚合物分子有序排列，膜厚精准可控等优点，可以通过重复LB拉膜步骤实现对有机聚合物LB膜层数的控制。以这种高质量LB膜作为器件的界面修饰层，不仅可以精准限制电子注入进一步提高电荷平衡，还可以钝化界面处的缺陷提高辐射复合效率，从而有效提高量子点发光二极管的性能。

公开(公告)号：CN112701230B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202011538453.1

申请日：2020-12-23

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 胡海龙 ,  李福山 ,  孟汀涛 ,  井继鹏 ,  高宏锦 ,  郭太良

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明属于电子传输层QLED制备技术领域，具体涉及一种干法转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法。先在辅助衬底上制备一层ZnO纳米薄膜，然后将预先制备的粘性弹性体PDMS贴合在ZnO薄膜上，利用弹性体PDMS的粘性吸附ZnO纳米薄膜，将PDMS/ZnO与辅助衬底分离。然后进行退火使PDMS印章粘性减弱，将PDMS/ZnO贴合到钙钛矿量子点发光层上并按压，ZnO纳米颗粒被转移至钙钛矿层上，最后将PDMS印章与ZnO层分离。本发明通过PDMS印章转移ZnO纳米薄膜至钙钛矿量子点发光层上作为电子传输层，不仅可以构建完美的异质界面，还可避免溶液加法中溶剂作用或真空工艺的热效应对钙钛矿量子点发光层的破坏。

公开(公告)号：CN113416546A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110676847.1

申请日：2021-06-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 李福山 ,  赵等临 ,  胡海龙 ,  郭太良 ,  井继鹏

IPC: C09K11/88

Abstract: 本发明提出一种基于朗缪尔技术的大面积有序量子点薄膜的制备方法，其先将量子点溶液分散液在朗缪尔槽中铺展成单层，再通过控制滑障对量子点的挤压形成大面积高度有序的薄膜，最后将薄膜转移至任意材料、任意尺寸的基板上。该方法具有制备成本低，薄膜排列整齐致密，薄膜厚度精确控制，易于大面积成膜，可沉积在任意基板上等优点。