公开(公告)号：CN118019422A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410153460.1

申请日：2024-02-04

Applicant: 福州大学 ,  广东聚华新型显示研究院

Inventor： 杨开宇 ,  黄兴云 ,  李福山 ,  胡海龙 ,  林立华

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K50/17 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16 ,  H10K50/11 ,  H10K59/35

Abstract: 本发明涉及一种制备高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其特征在于，按照基板‑空穴注入层‑空穴传输层‑全彩发光层‑电子传输层‑金属电极的顺序制备所述全彩量子点发光二极管，其中全彩发光层的制备方法为：先将红色量子点利用LB‑TP的方法转印到基板上形成红色量子点横线条，再将绿色量子点利用LB‑TP的方法转印到基板上形成绿色量子点竖线条，而后将蓝色量子点旋涂到基板上，形成红绿蓝三种颜色规则排列的全彩发光层。该方法操作简易，产率高，适用于高分辨全彩量子点发光二极管的大规模产业化生产。

公开(公告)号：CN118843366A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410813192.1

申请日：2024-06-21

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨开宇 ,  黄兴云 ,  李福山 ,  胡海龙 ,  林立华

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/20 ,  H10K50/115 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种基于毛细效应驱动量子点自组装制备高分辨量子点发光二极管的方法，属于发光二极管等发光器件技术领域。按照基板‑空穴注入层‑空穴传输层‑发光层‑电子传输层‑金属电极的顺序制备高分辨率量子点发光二极管，其中发光层的制备方法为：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将量子点通过溶液法沉积到聚合物沟槽中，在毛细效应驱动下，量子点会向聚合物沟槽内壁移动并堆积成量子点条纹，将沉积有量子点阵列的聚合物衬底转印至基板后，将基板浸入热溶剂中以将聚合物去除，留下发光量子点阵列。本发明方法操作简易，产率高，适用于高分辨率量子点发光二极管的大规模产业化生产。

公开(公告)号：CN118647247A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410773674.9

申请日：2024-06-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 杨开宇 ,  黄兴云 ,  李福山 ,  胡海龙 ,  林立华

IPC: H10K71/18 ,  H10K50/115 ,  H10K50/86 ,  H10K50/18 ,  H10K59/35

Abstract: 本发明提供一种制备具有阻挡层的高分辨全彩量子点发光二极管的方法，其全彩发光层通过以下方法进行制备：首先通过热纳米压印聚合物形成条形沟槽，将不发光的材料通过溶液法沉积到聚合物沟槽中形成条纹；然后通过溶液法沉积第一量子点至所述条纹之间的空隙中，接着将成型后的量子点纵向转印到基板上，之后将基板浸入热溶剂中将聚合物洗去，以留下被不发光条纹裹夹的第一量子点条纹；再用同样的方法横向转印制备第二量子点条纹；最后将第三量子点通过溶液法沉积到第一、第二量子点的交叉条纹的空白位置中，形成被不发光条纹阻隔的全彩量子点阵列。