公开(公告)号：CN109961434B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN201910254175.8

申请日：2019-03-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吴金建 ,  杨文 ,  梁富虎 ,  石光明

IPC: G06T7/00 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明公开了一种面向层级语义衰减的无参考图像质量评价方法，主要解决现有评价技术准确度低的问题。其实现方案是：1.用图像层级语义衰减构建图像质量衰减的评价指标；2.划分图像数据集为训练数据集和测试数据集；3.对训练集图像和测试集图像进行去均值与裁剪；4.设计面向层级语义衰减的网络模型；5.利用训练数据集和测试数据集对面向层级语义衰减的网络模型进行训练；6.对待评价图像进行去均值与裁剪后输入到已训练好的面向层级语义衰减的网络模型，得到图像质量评价值。本发明极大地提高了无参考图像质量评价的精度，可用于视频质量监控、图像筛选、图像优化。

公开(公告)号：CN106129118B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201610727532.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  于亮亮 ,  李路 ,  方冬 ,  杨文 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区以及环形隔离介质；环形漏极N+接触区包围环形N型漂移区，环形N型漂移区包围环形隔离介质，环形隔离介质隔离P‑well区，环形隔离介质处于P‑well区和N型漂移区之间，P‑well区与N型漂移区不相连且相互的间距为LP，本发明改善了直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与电场曲率效应的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

公开(公告)号：CN106449733B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201611046815.9

申请日：2016-11-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  齐钊 ,  杨文 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明属于电子科学与技术领域，主要用于静电泄放防护技术，具体的说是涉及一种用于ESD防护的无闩锁SCR。本发明提出SCR器件通过表面N+注入，降低了寄生PNP器件的电流放大系数，从而提高了器件的维持电压以防止闩锁效应的发生。另外，通过多个寄生PNP管对阳极电流的分流，优化了阳极的热分布，从而提高了器件的二次击穿电流。

公开(公告)号：CN106876473A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710272821.4

申请日：2017-04-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  齐钊 ,  杨文 ,  张波

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种用于高压ESD保护的高维持电流LDMOS结构，包括P型衬底、NWELL区、NP接触区、P型衬底表面的薄栅氧化层、多晶硅栅电极、P衬底表面注入的NP源极接触区、PP衬底、NTOP层，NTOP层左边缘与NP接触区右边缘的距离为D1，NTOP层右边缘与NWELL区右边缘的间距为D2，通过调整D1来调节器件的维持电流，通过调节D2来调节器件的触发电压，本发明提出LDMOS器件可以在工艺不改变的情况下通过NTOP层的位置来调节触发电压；NTOP层位置的改变一方面能够调整触发电压，另一方面可以提高维持电流从而避免闩锁效应；NTOP层的存在能够改变电流分布，提高器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性。