公开(公告)号：CN102842612A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210333215.6

申请日：2012-09-11

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  杨文韬 ,  李巍 ,  夏小军 ,  张灵霞 ,  李泽宏 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明是在传统IGBT器件结构的基础上，在器件MOS结构表面下分别引入P型埋岛和N型载流子存储层结构。在正向阻断时，P型埋岛所引入的电荷及附加电场可以削弱MOS结构下的尖峰电场，从而提高器件的耐压。在正向导通时，高的N型载流子存储层的掺杂浓度或厚度，抬高了空穴的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低器件的正向饱和压降并获得更好的正向导通压降和关断损耗的折中。所引入的P型埋岛和N型载流子存储层在P型基区形成之前通过离子注入和外延等工艺形成。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。

公开(公告)号：CN114602566A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210286290.5

申请日：2022-03-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张亚刚 ,  唐志强 ,  黄维东 ,  贡桑拉姆 ,  赵兴林 ,  赵麟 ,  刘艳霞 ,  李巍

IPC: B01L7/00 ,  B01L9/00 ,  G01K1/02

Abstract: 本发明公开了一种研究姆潘巴效应的实验设备，包括恒温冷却系统、固定支架系统、实时测温系统、数据处理系统；该实验设备具体实验方法，具体步骤：S1：容器装水固定，水浴加热到至初始温度T0；S2：恒温冷却槽温度设置为‑20℃；S3：将初始温度T0的容器，恒温冷却槽中冷却，观测水温的变化，直至结冰；S4：绘制初始温度T0水的冷却曲线；S5：重复步骤S1～S4绘制初始温度T1的水的冷却曲线，其中T1≠T0；S6：对比T1、T0冷却曲线，判断是否有姆潘巴效应产生。本发明提供的实验设备及相应实验方法破解了姆潘巴效应之谜，清晰地终结关于姆潘巴效应的困惑和争论，无论是科学研究本身，还是科学普及中培养科学思维，都具有十分重要的实用性和科学价值。

公开(公告)号：CN102832219B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210316186.2

申请日：2012-08-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  李长安 ,  张仁辉 ,  李巍 ,  张金平 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L27/098

Abstract: 一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器，属于半导体功率器件技术领域。包括集成在一起的一个结型场效应晶体管JFET和一个可调热敏电阻，可调热敏电阻一端与JFET源极相连，另一端与JFET的栅极相连。该发明的核心为可调的热敏电阻，可调热敏电阻可以通过激光切割等方式得到满足输出电流大小要求的阻值，在同一批次中得到不同类型产品。热敏电阻为正温度系数，工作情况下，温度增加，电阻增大，降低输出电流，保护了所应用系统的可靠性。本发明具有集成度高、输出电流稳定、输电流大小可调节、温度特性好的优点，可应用于LED照明等领域。

公开(公告)号：CN102810567A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210187444.1

申请日：2012-06-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  赵起越 ,  邓光敏 ,  李巍 ,  张蒙 ,  张灵霞 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS器件超结结构的外延区（3）中掺入深能级杂质（对N沟道器件而言，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件而言，掺入受主杂质In、Ti或Zn）。这些深能级施主杂质在常温下电离率比较低，可以忽略其对超结中柱区（4）掺杂浓度的贡献，因此不影响器件的静态电荷平衡。当器件正向导通并工作在大电流下时，随着器件温度升高，上述深能级杂质的电离率将得到大幅提高，相当于提高了外延区（3）的掺杂水平，有效缓解了由于载流子流过外延区（3）所造成的超结结构电荷失衡导致的器件雪崩击穿电压下降，提高了器件可工作的电流范围，扩大了器件的正向安全工作区。

公开(公告)号：CN102779847A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210248667.4

申请日：2012-07-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  李巍 ,  赵起越 ,  夏小军 ,  李长安 ,  张金平 ,  任敏 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种载流子存储的沟槽双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT基础上，在P-base区域6沟道末端用一层薄N+层结构21来取代牺牲的少量P-base区域，从而进一步提高载流子储存层与漂移区的电子浓度，在有效减小IGBT导通压降的同时却不影响器件的耐压值和关断特性，从而可以更好的改善导通损耗和关断损耗的折中关系。

公开(公告)号：CN102709317A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210186331.X

申请日：2012-06-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 任敏 ,  张蒙 ,  魏进 ,  李巍 ,  李泽宏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 一种低开启电压二极管，属于半导体器件技术领域。本发明利用PN结二极管的耗尽区缩小与增大来控制二极管开启和关断，使得器件在很小的正向电压下就有电流通道。在小的正向电压下，阳极欧姆接触结构的引入就能使得器件在正向导通时产生正向电流；在阳极电压增加到能使得阳极肖特基结构打开时，又会增大正向电流；当所加阳极电压足以使得PN结也导通时，PN结的正向电流能使得二极管正向电流进一步增大。器件反向时，在很小的反向电压下夹断导电沟道，低掺杂的外延层可以承受增加的反向电压，阳极肖特基结构此时又能够帮助减小反向漏电流。采用本发明可以实现二极管低的开启电压，较大的正向电流，较小的反向漏电流和良好的反向恢复特性。

公开(公告)号：CN102214678A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110128037.9

申请日：2011-05-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  李泽宏 ,  李巍 ,  张波

IPC: H01L29/06

Abstract: 一种功率半导体器件的3D-RESURF结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明在功率半导体器件的结终端耐压区【即：与器件有源区相连的P型重掺杂区(12)和结终端远端的N型重掺杂电场截止环(17)之间的N层(16)】的顶部引入一层P型掺杂层(19)，内部引入若干P型掺杂环(21)；在P型掺杂层(19)中还可引入均匀分布的N型掺杂区(20)，在结终端结构中还可引入位于P型掺杂层(19)中并延伸入P型掺杂环(21)内部的介质凹槽。本发明能够提高器件结终端单位长度的耐压，缩小终端的面积，降低器件的正向导通损耗；表面相对于漂移区较高的掺杂浓度有助于减小界面电荷对终端击穿电压的不利影响，并提高终端抗钝化层界面电荷的能力。

公开(公告)号：CN102184950A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110118723.8

申请日：2011-05-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张金平 ,  李泽宏 ,  李巍 ,  安俊杰 ,  张波

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 一种具有空穴阻挡层的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统IGBT结构的基础上，在器件的N-漂移区内引入一到多层连续或不连续的N+空穴阻挡层，N+空穴阻挡层的引入有效的减缓了正向导通时N-漂移区内少子空穴向发射极的运动，增加了N-漂移区内空穴的浓度，使整个N-漂移区的电子和空穴浓度大大增加，优化了漂移区载流子浓度分布，增强了器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降，从而获得更好的正向导通压降和关断损耗之间的折衷。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。

公开(公告)号：CN116579389A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310516505.2

申请日：2023-05-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 顾实 ,  邓师旷 ,  李巍

IPC: G06N3/049 ,  G06N3/086 ,  G06F18/241

Abstract: 本发明公开了一种增强脉冲神经网络表达能力的方法，其是在脉冲神经网络中添加若干全局时域反向连接，用于在时域上拓展脉冲神经网络的拓扑结构；同时采用基于分数选择初始化的搜索框架，用于寻找脉冲神经网络空间中的最优全局时域反向连接。本发明通过对标准的脉冲神经网络添加若干全局时域反向连接，就能对模型在分类任务上的精度有很大的提升，提升了模型的表达能力；并且本发明通过设计基于分数选择初始化的搜索框架，还降低了搜索算法的时间开销。因此，本发明从全局角度上很好地提升了脉冲神经网络的性能。

公开(公告)号：CN102790077A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210304090.4

申请日：2012-08-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李泽宏 ,  赵起越 ,  李巍 ,  任敏 ,  张金平 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 一种绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过离子注入或杂质扩散方式在传统绝缘栅双极型晶体管的P+体区（6）中引入带有受主能级的深能级杂质（12）。在室温下，P+体区（6）中引入的深能级杂质（12）只有少部分电离，对器件正向导通工作的影响可以忽略。当器件内有大电流流过时，器件产生热损耗增大，深能级杂质（12）的电离率会随着器件温度的升高而增大，提高了IGBT器件中寄生NPNP晶闸管结构中NPN管基区有效掺杂浓度，降低了NPN管发射极注入效率γ，进而降低NPN管共基极放大系数αNPN，可避免因αNPN+αPNP≥1而使器件寄生的晶闸管开启，器件因失去栅控能力无法关断而最终烧毁的后果，最终达到增大器件的正向安全工作区，提高器件可靠性的目的。