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公开(公告)号：CN118585814A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410734468.7
申请日：2024-06-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F18/214 , G06F18/25 , G06F18/2431 , G06N3/0895
Abstract: 本发明公开了一种基于融合特征网络ADDA的干扰背景下通信信号识别方法，属于通信信号识别技术领域。本发明方法包括：获取不同调制类型通信信号并进行预处理，构建源域和目标域样本数据集；构建包括特征提取网络模型和网络分类模型的预训练网络并通过带标签源域数据对其训练；基于预训练的特征提取网络模型构建生成对抗网络并训练；再基于特征提取网络模型和网络分类模型得到用于目标域的通信信号识别模型。本发明是一种半监督背景下提高目标域识别效果的方法，当目标域数据无标签且与训练集中的数据分布不一致时，不依赖目标域数据标签实现对目标域数据的有效识别；本发明有效解决了训练集数据无法覆盖实际情况、数据标签难获取甚至无法获取的问题。
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公开(公告)号：CN116612364A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310633460.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06V10/82 , G06N3/0475 , G06N3/094 , G06V10/774 , G06N3/0464 , G06V10/74 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开了一种基于信息最大化生成对抗网络的SAR图像目标生成方法，属于雷达技术领域。本发明用于生成高质量的SAR图像。本发明处理步骤包括：S1、获取SAR图像数据集，并进行预处理操作，构建训练集；S2、构建生成模型、判别模型和辅助网络Q，将生成模型、判别模型和辅助网络Q级联成基于信息最大化的生成对抗网络；S3、将SAR图像输入到模型中，对其进行训练，得到收敛的基于信息最大化的生成对抗网络；S4、生成SAR图像。本发明在相较于使用原始的InfoGAN模型生成SAR图像，在相同参数下生成的图像与真实图像具有更高相似度。
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公开(公告)号：CN113984184A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111254842.6
申请日：2021-10-27
Applicant: 陕西博纵电子科技有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: G01H11/06
Abstract: 本发明公开了一种基于超声换能器阵列的声场检测方法及系统，该方法包括：在待测声场中进行扫描运动，获取扫描运动的位置信号以及扫描运动过程中采集的待测声场中的声信号，并将采集的声信号转换为电信号；将采集的电信号进行多通道数据传输；根据多通道数据传输信号，分析声场检测信号并结合获取的定位信息，获得空间分布的声场幅值图和相位图。采用超声换能器阵列减少运动扫描检测的扫描维度，大幅度提高声场检测效率，结合多通道数据采集装置实现大量数据的并行处理，减少数据处理耗时，实现数据高速传输。
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公开(公告)号：CN110138351A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910353752.9
申请日：2019-04-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种CMOS宽带巴伦射频接收前端电路，属于射频集成电路技术领域。本发明前端电路包括低噪声跨导放大器、I/Q两路无源混频器、I/Q两路跨阻放大器、本振信号产生电路和反馈电路。其中低噪声跨导放大器通过三级放大单元，在末级输入输出端获得差分放大信号，实现了巴伦功能的内建，并且该有源巴伦体积小，便于集成；放大器使用电阻有源反馈结构作为输入级，使得接收电路具有宽带特征；输入端的电感器、低噪声跨导放大器的源随器和第一输入级的寄生电容构成谐振效果，进一步提升带宽，使得本发明工作频段覆盖1-12GHz。
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公开(公告)号：CN107352507B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710537216.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/36
Abstract: 本发明公开了一种Al‑InCl3‑(Ni‑Bi‑B)铝基复合制氢材料的制备方法，该材料由铝粉和添加物经机械球磨混合而成。添加物由为InCl3和Ni‑Bi‑B合金；其中，Ni‑Bi‑B合金是由NiCl2.6H2O和BiCl3溶解于溶剂后，加入NaBH4，通过化学还原法制得。所述铝基复合制氢材料制备方法包括：1）Ni‑Bi‑B合金的制备与干燥；2）按比例分别称取铝粉、InCl3和Ni‑Bi‑B加入球磨罐中，再按球料比，加入磨球，密封，罐中充入氩气保护；3）将球磨罐放入球磨机球磨，设定球磨转速,球磨时间；最后取出所制得的铝基复合材料。本发明具有以下优点：1、在中性溶液和室温的条件下，产氢量能达到1196.8mL/g，产氢率达到100%；2、成本低廉，工艺简单，是一种高效的制氢方法，且便于携带，能够随时制氢供氢，未来的发展及应用前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107338372B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710494703.8
申请日：2017-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种放电等离子烧结的铝基复合制氢材料的制备方法，该法由Al粉、Bi粉和碳材料球磨后，经放电等离子烧结（Spark Plasma Sintering，简称SPS烧结）而制成。这三种原料的质量比为2.85:0.09:0.06，其中碳材料分别为碳纳米管、石墨烯、氧化石墨烯、活性炭、石墨中的一种或多种。其制备方法包括以下步骤：1）球磨过程，称取Al粉、Bi粉和碳材料加入到球磨罐中，再加入磨球，密封后进行球磨；2）取出混合均匀的铝基复合制氢材料装入石墨模具放入SPS腔体中进行SPS烧结，制得所需材料。本发明具有以下优点：1.制备方法快速、节能、环保；2.通过SPS烧结来破除Al粉表面的氧化膜、促进Al‑H2O反应，提高其产氢性能；3.所得材料抗氧化性能好。因此，在便携式移动氢源等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109546969A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811268081.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体提供一种后畸变CMOS低噪声放大器，包括：输入级(ML1与MR1)、级联级(ML2与MR2)、后畸变消除级(M1aL与M1aR)及谐振负载，射频差分信号分别从输入级输入，经放大后的差分输出信号分别从级联级输出，畸变消除级即为工作在强反型区的NMOS晶体管，连接在级联级。本发明后畸变CMOS低噪声放大器能够显著提高LNA的线性度，并同时获得较高的增益，以及较低的噪声性能。
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公开(公告)号：CN105262443B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510771740.X
申请日：2015-11-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低噪声跨导放大器，具体为差分输入/输出结构，左、右两侧电路均包括两路互补共源级、包含互补源极跟随器和电阻的反馈级和负载级；差分射频输入信号进入到输入端口Vin+、Vin‑后，分别由左侧和右侧的两路NMOS/PMOS互补共源管转化为电流信号传递到输出节点IO+、IO‑；左、右两侧输出电流分别经过左、右负载级转化为差分输出电压信号，该差分输出电压信号经过左、右反馈级后转化为电流信号流入输入端口Vin+、Vin‑，实现输入阻抗匹配。前向通路和反馈通路均采用NMOS/PMOS晶体管互补对称结构实现电流复用和好的线性度，本发明可以在较宽的频带内显著提高跨导放大器的小信号和大信号线性度以及抗阻塞干扰的能力。
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公开(公告)号：CN106253854A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610630786.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/16
CPC classification number: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种具有本振相位失配补偿功能的混频器电路，包括：第一跨导输入级、第二跨导输入级、第一开关混频级、第二开关混频级、第一失配补偿级、第二失配补偿级、输出负载级、第一电感和第二电感；所述第一跨导输入级、第二跨导输入级接收RF电压信号，将RF电压信号转换为电流信号；第一开关混频级、第二开关混频级由本振信号LO控制，对电流信号进行周期性换向，将频率从射频变换到中频，完成频率变换；输出负载级，对高频信号进行滤波抑制，并将相应的中频电流信号转换为输出IF电压信号；第一失配补偿级、第二失配补偿级，对本振失配信号进行检测，来反馈补偿本振开关切换时间对电路性能的恶化。
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公开(公告)号：CN105305981A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510855712.6
申请日：2015-11-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种线性化宽带低噪声放大器，由两部分对称电路构成，两部分电路均包括：输入匹配级、共栅级、有源反馈级、负载级；该放大器为差分输入/输出结构，射频信号Vin+/‐输入后，经输入匹配宽带滤波，被共栅晶体管转化为电流信号，然后经过放大后在负载级转化为输出信号Vout+/‐；源极跟随器和反馈电容将输出信号Vout+/‐反馈到共栅晶体管的输入端；源极跟随器采用NMOS/PMOS互补结构来获得低的二阶、三阶扭曲分量，以减小对低噪放的非线性贡献；本发明在较宽的频带内显著提高放大器的线性度、维持小的噪声指数和功率消耗。
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