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公开(公告)号：CN114512615A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111633250.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的基于有机‑金属离子螯合电子传输层的有机光电探测器，属于有机半导体薄膜光电探测器技术领域，包括自下而上依次设置的衬底、导电阴极、电子传输层、光活性层、空穴传输层和金属阳极；其中电子传输层含有N‑Sn键，通过将0.3wt％的PEIE溶液与15mg/ml的(Sn(CH3COO)2·4H2O溶液按照10：(1～10)的体积比混合，旋涂后经100～200℃热退火所得。电子传输层PEIE‑Sn具有较好的空气稳定性、对紫外不敏感，引入的Sn2+与PEIE中的N元素发生螯合，减少导电阴极的界面缺陷，优化器件的能级排列促进电子传输，抑制PEIE与光活性层材料之间的化学反应，提升器件性能。
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公开(公告)号：CN113270553A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110575986.5
申请日：2021-05-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有机光电探测器制备方法及制备的有机光电探测器，制备方法中先制备透明导电电极，然后制备第一电极修饰层，然后采用包括具有温度依赖性聚集行为的有机材料的活性层溶液制备活性层，活性层制备过程采用先加热旋涂后热退火处理的分布协同热处理方法，然后制备第二电极修饰层，最后蒸镀金属电极并封装获取光电探测器，有机光电探测器包括自下而上设置的基底、透明导电电极、第一电极修饰层、活性层、第二电极修饰层和金属电极；本发明能够调控活性层相分离尺度并优化其内部构形，保持厚膜器件低暗电流密度且提升器件光响应率和外量子效率EQE，进而提高器件比探测率D*。
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公开(公告)号：CN118175853A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410258521.0
申请日：2024-03-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于多层阴极界面层协同改性实现的柔性双模OPD及方法，包括柔性透明衬底、柔性透明电极、第一阴极修饰层、第二阴极修饰层、活性层、阳极修饰层以及金属电极。本发明通过对阴极界面层进行精细调控，使OPD在反向和正向偏置下，分别以光伏(PV)和光电倍增(PM)模式工作。引入第一阴极修饰层用于降低电极功函数，优化器件的能级排列，从而在反向偏置下获得优异的PV性能；同时引入具有丰富陷阱态的第二阴极修饰层(量子点)用于捕获光生空穴，导致能带弯曲从而在正向偏置下实现PM效应。本发明提供的柔性双模OPD不仅可以同时适应于强光和弱光的探测，而且为柔性光电器件的发展开辟新的道路。
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公开(公告)号：CN115988891A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310177423.X
申请日：2023-02-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全溶液法制备的纤维状有机光电探测器及制备方法，器件为包括从内到外依次同轴包裹的导电纤维基底、第一电极修饰层、有机光敏层、第二电极修饰层、外透明电极；各功能层均采用浸渍提拉法成膜，结合热退火工艺在纤维表面完成多层薄膜制备，其中各功能层所使用的溶剂为正交体系，不会干扰或破坏相邻薄膜。本发明简化了纤维状有机光电探测器的制备流程，在同一工艺平台即可完成所有功能层的制备，且适用于大多数有机光敏材料。通过调控浸渍提拉工艺的参数可获得不同特性的薄膜，进而可优化器件光电性能。
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公开(公告)号：CN115955849A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310045104.3
申请日：2023-01-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于有机半导体技术领域，具体为一种具有光伏/倍增双工作模式的有机光电二极管。包括自下而上依次层叠的透明基底层、第一透明导电电极、第一阻挡层、光敏层、第二阻挡层和第二电极；光敏层上表面具有用于俘获载流子的载流子陷阱；在正向偏压下，光敏层表面的载流子陷阱引起外电路载流子隧穿注入，使其以PM模式工作，此时外量子效率高，适用于弱光探测，避免了前置放大电路的使用。在反向偏压下，通过光敏层两侧的阻挡层阻止外电路载流子的隧穿注入，使其以PV模式工作，此时外量子效率有限，适用于强光探测，避免了高功耗造成的器件散热和击穿等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114195801B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111482921.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: C07D495/04 , C07D495/14 , C07F7/08 , C07D333/38 , C07D417/14 , C07D333/60 , C07D333/78 , H10K85/60
Abstract: 本发明属于有机光电材料领域，具体涉及一种基于3‑烷氧基‑4‑氰基噻吩的近红外有机光电分子材料及其制备方法和应用。本发明将3‑烷氧基‑4‑氰基噻吩结构用于构筑近红外有机光电受体分子，其中烷氧基与中心单元部分形成强给电子共轭效应，氰基与末端单元形成强拉电子共轭效应，能够同时提升前者的给电子能力与后者的受电子能力。烷氧基与氰基用于修饰分子骨架结构，可以有效提升分子的介电常数，有利于光电过程中激子的解离，提高自由电荷的产生效率。且易溶于常见有机溶剂，以利于溶液旋涂法制备高质量薄膜。所制备的有机光电分子薄膜吸收光谱范围超过1.2μm，应用于有机光电探测器件，表现出优异的性能。
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公开(公告)号：CN113270500B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110533706.4
申请日：2021-05-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件，包括P型衬底、N型阱区、P型体区、栅氧化层、多晶硅栅、第一氧化层、第一N+接触区、第一P+接触区、漏极金属、第一型掺杂区、栅氧化层；本发明首先体区末端平齐或者超过多晶硅栅末端的设计降低了器件的Cgd，提高了器件的开关频率，另外还在漂移区上方引入了与源极相连的多晶硅场板，其不仅屏蔽了多晶硅栅对漂移区的影响，从而消除了传统多晶硅栅与漂移区交叠带来的Cgd，也使得器件对热载流子效应有较强的鲁棒性，最后本发明还在该多晶硅场板下方的漂移区表面引入额外的注入，很好地解决了由与源极相连的多晶硅场板带来的器件导通电阻增加的问题。
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公开(公告)号：CN115205760A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210966913.3
申请日：2022-08-11
Applicant: 杭州电子科技大学 , 中国电子科技集团公司电子科学研究院
IPC: G06V20/40 , G06V10/82 , G06V10/774 , G06N3/08 , G06N3/04 , G06F40/289
Abstract: 本发明提出一种基于深度局部自注意力网络的视频密集描述生成方法。本发明步骤如下：1、数据集预处理以及数据集的划分，使用训练好的行为识别网络对视频提取特征；2、构建视频结构化密集描述的序列，并构建该序列的文本特征；3、构建序列到序列建模的深度局部自注意力网络；4、通过反向传播算法对步骤(3)中的网络参数进行训练，直至整个网络模型收敛。本发明同时将密集视频描述中的事件定位与事件描述两个子任务联合建模为一个序列生成任务，将两个独立的子任务紧密联系在一起，起到相互促进的作用，相比于大部分两阶段方法模型没有过多的超参数需要手工调整，训练模型更加方便，性能有了进一步提升。
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公开(公告)号：CN115172594A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210698424.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于有机半导体技术领域，具体提供一种基于高温诱导界面陷阱的倍增型有机光电探测器，用以解决现有倍增型有机光电探测器响应速度低、工作电压高、工艺复杂的问题。本发明包括：从下往上依次层叠设置的基底、透明导电阴极、阴极修饰层、光敏层、阳极修饰层与阳极层；其中，光敏层经过高温热退火处理，使其上表面形成颗粒状缺陷形貌作为界面陷阱，使光生载流子在界面处受陷堆积，从而诱导界面能带弯曲和外电路电荷的隧穿注入，产生光电倍增效应，进而显著提高器件的外量子效率、提升探测器的探测性能；并且，该缺陷态形貌可通过热退火温度、退火时间、光敏层的厚度进行精细调控；另外，本发明制备工艺简单、成本低，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN111968974A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010888852.4
申请日：2020-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L21/8249
Abstract: 本发明提供一种可集成功率半导体器件及制造方法，能够在同一芯片上同时集成两类高压nLDMOS、一类高压pLDMOS、一类中压nLDMOS、一类中压pLDMOS以及低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件，各器件制作于P型衬底表面的P型外延层中，并通过P型外延层形成器件之间的自隔离；在中压器件下方的P型衬底和P型外延层之间具有N型埋层；本发明在器件的漂移区引入一个或多个第一型掺杂区和第二型掺杂区，该结构与传统RESURF结构相比，增加的掺杂区提供了额外的低阻导电路径，在保持高耐压的同时能够降低器件的导通电阻，并且体内第一型掺杂区和第二型掺杂区优化了器件的电流分布，增加了开态时的体内电流，提高了器件的可靠性，制造方法简单，工艺难度相对较低。
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