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公开(公告)号：CN101064510B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200710048903.7
申请日：2007-04-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03L7/197
Abstract: 本发明公开了一种低相位杂散频率合成方法及其应用。本发明一改现有技术的频率合成方法对于确定的输出频率，其合成方案的频率配置关系总是一定的状况，利用多重调节的频率合成方案任一输出频率都可能有多种频率配置关系这一特点，在确保得到输出频率的前提下，通过对输出信号的实测(可利用相噪自动测试系统进行测试)，选择频谱纯度尤其是杂散指标最好的频率配置关系，将其存入RAM/ROM中。实际使用频率合成器时以查表方式，从RAM/ROM中读出对应频率关系进行配置，以达到设计出高分辨率，低杂散低相噪的捷变频微波毫米波频率合成器的目的，从而提高微波毫米波频率合成器的性能，尤其是大大减小频率合成器杂散指标的调试难度。
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公开(公告)号：CN118232837A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410462132.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于运放电路的压控振荡器调频线性度校准电路，首先根据VCO的输入输出关系设计校准曲线，该校准曲线的目的在于让VCO的输入与输出呈现完全的线性相关；再根据校准曲线，设计电压源输出与参考信号之间的大小关系；然后通过电压比较器将参考信号与电压源输出进行比较，从而控制运算放大器输入，使得放大电路结构随参考信号的变化而变化，进而使得运算放大器的输出电压随参考信号变化而变化；最后通过输出电压决定VCO输出信号的频率，从而达到校正VCO的线性特性。
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公开(公告)号：CN118214415A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410284173.4
申请日：2024-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽覆盖低相噪低杂散锁相频率合成器，先通过高质量点频合成电路合成点频信号，并作为可调本振信号产生电路、高频参考信号产生电路和高性能宽带信号产生电路的输入；可调本振信号产生电路根据点频信号合成高频参考信号产生电路的环内混频所需的本振信号；高频参考信号产生电路根据点频信号生成高性能宽带信号产生电路的输入信号，最后在高性能宽带信号产生电路中将高质量点频合成电路与高频参考信号产生电路的输出进行混频，混频后的输出信号经过锁相环后得到宽覆盖低相噪低杂散信号。
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公开(公告)号：CN114157294A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111516820.2
申请日：2021-12-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种模拟鉴相器与数字鉴频器合作捕获的低相噪频率合成器，首先通过两个串联的倍频器将输入的参考信号倍频到所需频段，并且从不同倍频器的输出端获得所需的不同频段信号；频率合成时，多路选择器将模拟鉴相器锁相环路关闭，打开数字鉴频鉴相器锁相环路，将第一个倍频器输出的频段较低的信号以及压控振荡器的反馈信号输出送至数字鉴频鉴相器中进行初步的捕获，当进入模拟锁相环的锁相范围的时，多路选择器控制关闭数字鉴频鉴相器锁相环路，打开模拟鉴相器锁相环路，将第二个倍频器输出的频段较高的信号以及压控振荡器的反馈信号输出送至模拟鉴相器锁相环路中继续进行捕获并最终进入同步状态，从而获得高精度低相噪的锁相信号。
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公开(公告)号：CN113364712A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110545722.5
申请日：2021-05-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L25/03
Abstract: 本发明公开了一种基于DDPG网络的混合辐射源信号分离方法，首先采用K个信号测试天线对K个样本辐射源的辐射源信号样本进行采集，处理得到混合信号样本，将分离矩阵看作一个智能体，矩阵元素的加减看作动作，将信号的分离程度看作环境，对DDPG网络进行设计，然后采用混合信号样本对DDPG网络进行训练，在实际应用时，由每个信号测试天线得到K个辐射源的混合信号，将混合信号输入训练好的DDPG网络进行再次训练，得到信号分离结果。本发明通过引入DDPG网络，有效提高对混合信号分离的准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109327197B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201811429703.0
申请日：2018-11-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耗尽型GaN‑HEMT功放的控制电路，通过稳压芯片U1的电压转换实现对逻辑门芯片的供电，再经过稳压芯片U2实现GaN‑HEMT功放栅极控制电压的输出，从而使稳压芯片U2产生并输出反馈信号，该反馈信号与控制GaN‑HEMT功放开关的控制电压V_Ctrl共同决定逻辑门的状态，当两个信号同时有效的情况下，逻辑门的输出控制NMOS管Q1的导通信号，进而使PMOS管Q2随之导通，从而输出GaN‑HEMT功放的漏极电压，实现GaN‑HEMT功放的上电保护及开关控制。
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公开(公告)号：CN110247191A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910595256.4
申请日：2019-07-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种可控辐射零点的基片集成波导滤波缝隙天线，包括一个单层的基片集成波导腔体，沿着腔体中线的四个金属柱，一条长横缝和一个垂直的SMA连接器。四个金属柱将空腔分成两个TE110模式，横缝既产生辐射，又将其中一个TE110模谐振器分成两个半模谐振器，通过三个谐振器和槽之间的耦合实现带通滤波性能。辐射零点出现在距离腔的短壁约四分之一相位波长的频率处，通过改变横缝的位置，可以控制辐射零点的频率。
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公开(公告)号：CN109327197A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811429703.0
申请日：2018-11-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耗尽型GaN-HEMT功放的控制电路，通过稳压芯片U1的电压转换实现对逻辑门芯片的供电，再经过稳压芯片U2实现GaN-HEMT功放栅极控制电压的输出，从而使稳压芯片U2产生并输出反馈信号，该反馈信号与控制GaN-HEMT功放开关的控制电压V_Ctrl共同决定逻辑门的状态，当两个信号同时有效的情况下，逻辑门的输出控制NMOS管Q1的导通信号，进而使PMOS管Q2随之导通，从而输出GaN-HEMT功放的漏极电压，实现GaN-HEMT功放的上电保护及开关控制。
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公开(公告)号：CN107733431A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711130558.1
申请日：2017-11-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于环内混频锁相环电路结构的多路相参频率综合器，根据锁相环及直接数字频率合成器相关原理，通过直接数字频率合成器与集成压控振荡器的锁相环直接相连的结构产生环内混频锁相环电路的混频本振输入信号，实现多路环内混频锁相环电路混频本振信号线性扫频同步及系统输出信号频率大步进调节；同时，使用直接数字频率合成器与集成数字鉴相器直接相连的结构产生环内混频锁相环电路的鉴相输入信号，实现多路环内混频锁相环电路鉴相信号灵活配置及系统输出信号小步进调节；这样使系统输出的信号满足单路信号的性能指标以外，还具有多路信号的相位相关性及信号同步性的特点，具有一定的通用性。
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