公开(公告)号：CN109327197B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201811429703.0

申请日：2018-11-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 杨远望 ,  吴佳杰 ,  游长江 ,  江宇亭

IPC: H03F1/52 ,  H03F3/21

Abstract: 本发明公开了一种耗尽型GaN‑HEMT功放的控制电路，通过稳压芯片U1的电压转换实现对逻辑门芯片的供电，再经过稳压芯片U2实现GaN‑HEMT功放栅极控制电压的输出，从而使稳压芯片U2产生并输出反馈信号，该反馈信号与控制GaN‑HEMT功放开关的控制电压V_Ctrl共同决定逻辑门的状态，当两个信号同时有效的情况下，逻辑门的输出控制NMOS管Q1的导通信号，进而使PMOS管Q2随之导通，从而输出GaN‑HEMT功放的漏极电压，实现GaN‑HEMT功放的上电保护及开关控制。

公开(公告)号：CN109327197A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811429703.0

申请日：2018-11-28

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 杨远望 ,  吴佳杰 ,  游长江 ,  江宇亭

IPC: H03F1/52 ,  H03F3/21

Abstract: 本发明公开了一种耗尽型GaN-HEMT功放的控制电路，通过稳压芯片U1的电压转换实现对逻辑门芯片的供电，再经过稳压芯片U2实现GaN-HEMT功放栅极控制电压的输出，从而使稳压芯片U2产生并输出反馈信号，该反馈信号与控制GaN-HEMT功放开关的控制电压V_Ctrl共同决定逻辑门的状态，当两个信号同时有效的情况下，逻辑门的输出控制NMOS管Q1的导通信号，进而使PMOS管Q2随之导通，从而输出GaN-HEMT功放的漏极电压，实现GaN-HEMT功放的上电保护及开关控制。