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公开(公告)号：CN109506808B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201811601602.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K11/22
Abstract: 一种具有单调和线性输出特性的SAW温度传感器及其设计方法，属于声表面波传感器技术领域。本发明通过在同一压电基片上设计两个除平行外位置任意的SAW谐振器并进行连接作为SAW温度传感器使用，在设计两个SAW谐振器的结构参数使得二者谐振频率满足TCF21f01＝TCF22f02，进而设计得到一种具有单调线性输出特性的SAW温度传感器。本发明提供的SAW温度传感器在测试时只需两个标定参数，并且其输出随温度变化呈现单调线性变化。相比传统SAW温度传感器，在实现全范围测温的同时明显简化了测试的标定过程，降低了计算复杂度。
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公开(公告)号：CN106501798B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201611245251.1
申请日：2016-12-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于微波测距技术领域，提供一种带有自校准功能的双探针微波叶尖间隙测试系统，用以克服现有系统中参考信号存在不足以及温度变化引起的谐振频率偏移导致测量误差增大的缺陷。本发明包括：功分器、检测电路、基准电路、数据处理模块，由功分器产生幅度和相位均相同的两路微波信号，分别输入检测电路和基准电路，分别产生检测信号和参考信号输入数据处理模块得到微波叶尖间隙。本发明通过设定固定间距的模拟叶片，检测电路与基准电路为完全对称电路结构，有效避免温度变化引起的谐振频率的偏移带来的影响；参考信号由基准电路产生，包含入射波经过环形器和探针产生的相移；即大大降低测量误差；实现自校准双探针微波叶尖间隙测试。
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公开(公告)号：CN108107383A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711390326.X
申请日：2017-12-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性材料与元器件技术领域，具体为一种线性各向异性磁阻传感器及其制备方法。本发明将互不连通的N个平行四边形磁阻条，互不连通的N‑1～N+1个平行四边形导电层，以互相交错的方式平铺设置于基片上同一水平面，磁阻条通过嵌入的导电层实现电连通；这使所有磁阻部分的电流方向相同且清晰，明显降低输出电信号的噪音；嵌入在磁阻条中的导电层不需要以厚度来实现改变电流方向的作用，降低了整个器件的厚度，提高了结构稳定性。最终本发明在保证电流偏置效果的前提下，实现了导电层更薄和输出信号噪音更少。
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公开(公告)号：CN103924204B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410171456.4
申请日：2014-04-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种在钛合金基片表面制备C轴取向氮化铝薄膜的方法，属于薄膜材料制备技术领域。首先对钛合金基片表面进行抛光，以尽量降低其表面粗糙度；然后采用磁控反应溅射在350～450℃的基片温度范围内预溅射一层氮化铝，待预溅射氮化铝厚度超过钛合金基片的表面粗糙度后，让钛合金基片自然降温至120～150℃并持续溅射沉积氮化铝直至氧化铝薄膜达到需要的厚度。本发明在钛合金基片表面成功制备出C轴取向的氮化铝薄膜，该薄膜具有高度的C轴取向、较低的表面粗糙度和良好的压电效应，从而为氮化铝薄膜型声表面波器件直接做在钛合金材料表面提供了材料基础，并为氮化铝薄膜型声表面波传感器在航空、航天领域的高可靠性应用提供了一种可能。
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公开(公告)号：CN104990625A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510342196.7
申请日：2015-06-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声表面波监测技术领域，提供一种谐振型声表面波传感器的无线测试电路，针对传统无线无源SAW传感器测试电路成本较高、检测速率慢、检测精度较的问题，本发明测试电路包括发射单元、接收单元、射频开关以及信号处理单元，其特性在于，所述发射单元包括依次连接的信号发生器和功率放大器，所述接收单元包括依次连接的低噪声放大器、功率探测器和低通滤波器，所述信号处理单元包括依次连接的A/D采集模块和数字信号处理器；发射单元和接收单元分别与射频开关连接，信号处理单元与接收单元连接。本发明能够有效简化电路结构、降低成本，同时有效提高检测电路的检测速率和检测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101667673B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910167733.3
申请日：2009-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 该发明属于固体电子器件中的集成式微带铁氧体环行器，包括底部设有凹槽的介电质或半导体基片及设于凹槽内的高电导率金属块或接地膜，附着于基片上部的铁氧体膜片，紧贴于铁氧体膜片上的高电导率中心结及其匹配段，位于基片底面的高电导率接地膜。该环行器由于在基片底面增设了凹槽，并在凹槽内置入了与其相同体积的金属块或在其内表面覆盖接地膜，其有效磁导率张量k/μ得到大幅度提高，而结阻抗则大幅度降低，在相同性能的前提下与背景技术相比、环行器的体积、厚度则可有效降低；从而具有在确保铁氧体环行器的性能和可靠性的前提下，可有效减小其体积、厚度；实现小型化、平面化、便于微波电路的集成，促进单片微波集成电路发展等特点。
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公开(公告)号：CN101599364B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910059863.5
申请日：2009-07-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及钡铁氧体薄膜，尤其是c轴取向钡铁氧体薄膜的制备方法。首先将硝酸铁、硝酸钡溶于水和乙二醇的混合溶剂中，得到混合溶液A；然后取一定体积L的混合溶液A，并按0.05~0.20g/ml的比例加入PVP，溶解得到溶胶B；再将步骤2溶胶B旋涂于(001)晶向的蓝宝石基片上，形成薄膜C；再薄膜C进行干燥和热处理，即得到c轴取向钡铁氧体薄膜。本发明具有工艺流程简单、成本低，对生产设备要求不高的特点；并且可实现薄膜的成分的方便调节和膜层厚度的控制。本发明所制备的c轴取向钡铁氧体薄膜具有结构和性能上的各向异性，可用于磁记录介质材料、微波铁氧体器件中。
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公开(公告)号：CN1921164A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510021533.9
申请日：2005-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压控可调薄膜电感，它是在压电陶瓷基底上，制备包含磁性层的薄膜电感，利用压电陶瓷的逆压电效应和磁性薄膜的逆磁致伸缩效应，通过外加电压，调节压电陶瓷基底的形变，改变磁性薄膜的磁导率，最终实现薄膜电感值大小的调节。这种压控可调薄膜电感可广泛应用到移动通讯系统、T/R组件、GPS、滤波器组件、低噪声压控振荡器、网络阻抗匹配等系统。
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公开(公告)号：CN1624846A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200310111073.X
申请日：2003-12-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明提供的一种微波/射频微机械开关，它包括：锚位1，基底2，信号线5，悬臂梁6，接触金属层7，信号线8，外加磁场导线9，磁致伸缩层10，其特征是它还包括磁致伸缩层10；在基底2上为锚位1、外加磁场导线9以及信号线5和8平行排列；悬臂梁6的固定端在锚位1上，悬空部分位于外加磁场导线9以及信号线5和8正上方；磁悬臂梁6上为磁致伸缩层10；接触金属层7位于悬臂梁6悬空部分的正下方。本发明的磁致伸缩型微波/射频微机械开关具有驱动电压低、响应时间短的特点。
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公开(公告)号：CN118524766A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410566705.3
申请日：2024-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10N30/01 , H10N30/093 , H10N30/00
Abstract: 本发明提供一种柔性单晶压电薄膜结构制备方法，可应用于柔性压电器件的开发。制备方法包括以下步骤:将单晶压电材料与单晶硅采用等离子体活化后进行亲水性键合；采用机械减薄方式将键合后的单晶压电材料减薄；使用电化学沉积法在减薄后的单晶压电材料一侧沉积一层金属作为单晶压电薄膜材料的支撑衬底；利用碱溶液去除硅衬底；利用氢氟酸去除硅与单晶压电薄膜界面处的二氧化硅，最终获得柔性金属作为衬底的柔性单晶压电薄膜结构。本发明制备的柔性单晶压电薄膜由于衬底为柔性金属，可以耐受高温，采用的制备工艺成本低，易于规模化制备。本发明的方案为柔性压电传感器提供衬底支持。
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