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公开(公告)号：CN107210205A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008033.8
申请日：2016-02-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B7/02 , B32B27/00 , C09D7/12 , C09D201/00 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: B32B7/02 , B32B27/00 , C09D7/40 , C09D201/00 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种树脂膜形成用复合片，其具有在支撑片上直接叠层有能够形成树脂膜的树脂膜形成用膜的结构，且满足下述要件(I)及(II)。要件(I)：将待与硅晶片贴合一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(α)贴合在硅晶片上之后，在23℃的环境中、拉伸速度300mm/分及拉伸角度180°的剥离条件(x)下测定的、将该树脂膜形成用膜从该硅晶片剥离所需要的剥离力(α1)为0.05～10.0N/25mm；要件(II)：在所述剥离条件(x)下测定的、将所述支撑片从与所述支撑片直接叠层一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(β)剥离所需要的剥离力(β1)是剥离力(α1)以上的值。
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公开(公告)号：CN112154536B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201980032659.6
申请日：2019-08-23
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/30
Abstract: 本发明提供一种图像清晰度为110以上的保护膜形成用膜(13)、及具备该保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片、以及检查方法及识别方法。本发明的保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆的被激光印字的背面，并用于带保护膜的半导体芯片的制造。
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公开(公告)号：CN109005667B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201780020935.8
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , B32B27/16 , C08J3/24 , C08J5/18 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性，在照射能量射线而制成保护膜时，保护膜的拉伸弹性模量为1×108Pa以上。保护膜形成用复合片具有支撑片、并在支撑片上具有该保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，保护膜与支撑片之间的粘着力为50～1500mN/25mm。
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公开(公告)号：CN108604542B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201780011276.1
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/00
Abstract: 本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。
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公开(公告)号：CN115141568A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210073715.4
申请日：2022-01-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J175/04 , C08G18/62 , C08G18/73 , C08G18/76 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种支撑片(10)，该支撑片(10)用于带树脂膜的芯片(901)的制造方法且在基材(11)上设置了粘着剂层(12)，粘着剂层(12)通过涂布含有具有羟基的丙烯酸树脂及异氰酸酯类交联剂的粘着剂组合物而形成，相对于所述丙烯酸树脂的1当量羟基，所述异氰酸酯类交联剂的掺合比例为0.07当量以上，所述异氰酸酯类交联剂含有甲苯二异氰酸酯及六亚甲基二异氰酸酯，相对于1质量份的甲苯二异氰酸酯，所述六亚甲基二异氰酸酯的掺合比例为0.3～4.0质量份。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115124743A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210072759.5
申请日：2022-01-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L75/14 , C08L33/00 , C08K3/36 , C09J7/24 , C09J7/38 , C09J133/00 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜，其为能量射线固化性的保护膜形成膜，所述保护膜形成膜含有不具有能量射线固化性基团的丙烯酸树脂(b)与无机填充材料(d)，所述丙烯酸树脂(b)的重均分子量为1100000以下，分散度大于3.0，在所述保护膜形成膜中，除所述无机填充材料(d)以外的成分的合计含量相对于所述无机填充材料(d)的含量的比例为40质量％以上。
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公开(公告)号：CN113980535A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111107427.8
申请日：2015-10-23
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09D133/14 , C09D163/02 , C09D7/61 , C09J7/40 , H01L21/683
Abstract: 本发明的保护膜形成膜含有紫外线固化性成分，该保护膜形成膜对波长375nm的光线的透射率为8％以上、对波长550nm的光线的透射率为12％以下。该保护膜形成膜可以进一步含有着色剂，上述着色剂可以为红色着色剂。
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公开(公告)号：CN113444271A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110312454.2
申请日：2021-03-24
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 小桥力也
Abstract: 通过将多片本实施方式的保护膜形成膜层叠，制作宽度4mm、厚度200±20μm的试验片，并保持所述试验片，以频率11Hz的拉伸模式、升温速度3℃/分钟的测定条件，测定所述试验片的储能模量，将所述试验片的温度为70℃时的储能模量设为E’70、将所述保护膜形成膜的波长380～780nm的光的反射率的最大值设为Rmax时，根据式：Y＝(log10E’70)2×Rmax算出的Y值为260以上，根据式：X＝(log10E’70)2算出的X值为33以上。
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公开(公告)号：CN113169126A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080125.0
申请日：2019-11-27
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 小桥力也
IPC: H01L23/00 , H01L21/301
Abstract: 本发明中，将具备支撑片(10)与形成在支撑片(10)的第一面(10a)上的保护膜形成用膜(13)的保护膜形成用复合片(101)的静电压的半衰期设为20秒以下。
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公开(公告)号：CN108350108B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201680062585.7
申请日：2016-10-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于在半导体晶片或半导体芯片的背面形成保护膜，该保护膜形成用膜含有能量线固化性化合物(B)、且具有以下特性：在通过照射能量线使该保护膜形成用膜固化而形成固化物时，该固化物的杨氏模量为500MPa以上，且断裂伸长率为8％以上。
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