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公开(公告)号：CN115954375A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211676804.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请实施例提供了一种沟槽场效应晶体管及其制备方法，包括：第一导电类型的第一半导体层；第一导电类型的第一半导体层的上表面有沟槽；嵌入沟槽底部的第二导电类型的第二半导体层，以及，在沟槽的左右两外侧的第一导电类型的第一半导体层之上的两个第二导电类型的第四半导体层；分别嵌入两个第二导电类型的第二半导体层的上表面的两个第一导电类型的第三半导体层，以及，分别嵌入两个第二导电类型的第四半导体层的上表面的两个第一导电类型的第五半导体层；分别位于沟槽的左右两内侧的两个栅极。本申请实施例在沟槽底部增加半导体层，并去掉沟槽底部的部分栅极，可以降低结构电容栅极处的电场强度，增加通流，以此提高晶体管的可靠性和性能。
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公开(公告)号：CN112151521B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910561676.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种功率模块及电子设备，功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片，固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写，且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序，以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露，使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性，进而有效提高了功率模块的安全性能。
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公开(公告)号：CN115870166A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211679768.7
申请日：2022-12-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种导热硅脂涂抹工具及应用该工具的IGBT模块安装方法，涉及半导体器件技术领域。其中，一种导热硅脂涂抹工具，包括底座，所述底座一侧设有至少一根用于容纳导热硅脂的硅脂导管，所述硅脂导管远离底座的一端开口，且所述硅脂导管对应IGBT模块上需要涂抹导热硅脂的位置。以及一种IGBT模块安装方法，应用上述导热硅脂涂抹工具。基于本发明的技术方案，将导热硅脂涂抹在IGBT模块实际需要的位置，方便控制导热硅脂的用量，保证IGBT模块与散热器之间直接连接区域最大化，有效降低热阻，提高散热器对IGBT模块的散热效果，并延长IGBT模块的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112151521A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910561676.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种功率模块及电子设备，功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片，固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写，且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序，以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露，使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性，进而有效提高了功率模块的安全性能。
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公开(公告)号：CN111293171A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811505672.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的设计结构、产品结构及其制造方法，该设计结构包括：在所述IGBT芯片的沟槽设计上，在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方不设计沟槽(6)。本发明的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081661A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN119805144A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411827417.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的测试电路，智能功率模块包括驱动芯片和功率器件，测试电路包括信号发生模块、电源模块、可调负载模块和数据采集模块；驱动芯片，用于控制功率器件的工作状态；信号发生模块，用于根据预设工况需求信息，控制驱动芯片的输出状态；电源模块，用于根据预设电压需求信息，对功率器件提供母线电压；可调负载模块，用于根据预设负载需求信息，对功率器件提供负载；数据采集模块，用于采集功率器件的电压和电流。通过信号发生模块、电源模块和可调负载模块控制功率器件，并采集功率器件的电压和电流的方式，对智能功率模块测试，从而提高了测试效率并节省了开发周期。
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公开(公告)号：CN118688600A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411161753.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种IGBT模块监测的方法、装置、设备、介质及产品，应用于绝缘栅双极晶体管技术领域，包括：预置数据库，数据库存储多个特征点和IGBT模块中键合线的脱落数量的对应关系，特征点与导通电压、集电极电流、结温信息对应；获取IGBT模块中集电极至发射极的当前导通电压、当前集电极电流；预测IGBT模块的当前结温信息；在数据库中，确定当前导通电压、当前集电极电流，以及当前结温信息对应的当前特征点，并确定当前特征点对应的IGBT模块中键合线的脱落数量为IGBT模块中键合线的当前脱落数量。通过本发明实施例，实现了对IGBT模块中键合线的当前健康状况进行判断，提高IGBT模块在电力电子系统中的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN118425772A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410868085.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01R31/34
Abstract: 本发明实施例提供了一种无感电机的测试方法、装置、电子设备及介质，应用于电机技术领域，包括：响应于用户在可视化界面的操作，确定目标测试工况信息；目标测试工况信息包括环境配置信息、供电配置信息，以及启动模式配置信息；根据环境配置信息控制无感电机所在的模拟测试环境；在模拟测试环境下，根据供电配置信息控制对无感电机的供电，并根据启动模式配置信息控制无感电机的启动；获取无感电机在目标测试工况信息下的启动情况，并将在目标测试工况信息下的启动情况反馈至可视化界面，实现了对无感电机的启动性能的测试，通过对测试环境、供电、启动模式的控制模拟不同测试工况，提升了对无感电机启动测试的准确性。
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公开(公告)号：CN117650108A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311720938.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种功率模块与散热器结构，包括：功率模块和散热器；功率模块设置有沿第一方向相对设置的两个限位凹槽；散热器设置有沿第一方向相对设置的两个限位凸起，一个限位凸起嵌设于一个限位凹槽，以对功率模块进行横向限位；其中，限位凹槽或限位凸起其中之一设置有弹性卡接件，限位凹槽与限位凸起其中另一设置有卡槽，卡槽与弹性卡接件配合卡接，以对功率模块进行纵向限位。本申请实施例的功率模块与散热器结构通过对功率模块的横向和纵向的双重限位可以使功率模块可靠固定在散热器上，且安装过程简单便捷，不会对功率模块造成损坏，有利于提高功率模块的使用安全性。
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