一种树脂渗透硅酸盐复合材料及其制备与应用

    公开(公告)号:CN108578250A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810426620.X

    申请日:2018-05-07

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种树脂渗透硅酸盐复合材料,其由包括树脂和玻璃相硅酸盐的组分在固化剂的存在下经固化反应制得;其中,所述树脂包括双酚A双甲基丙烯酸缩水甘油酯和三缩四乙二醇二甲基丙烯酸酯。本发明还涉及一种树脂渗透硅酸盐复合材料的制备方法,其通过控制烧结温度和保温时间制备多孔陶瓷块体,然后通过真空毛细作用将树脂渗透到多孔陶瓷块体中,再经固化形成硅酸盐/树脂双重网络结构。本发明提供的树脂渗透硅酸盐复合材料兼具较高的力学性能和美学性能,在齿科修复应用方面具有巨大的开发潜力和广阔的市场前景。

    一种树脂渗透硅酸盐复合材料及其制备与应用

    公开(公告)号:CN108524291A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810425992.0

    申请日:2018-05-07

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种树脂渗透硅酸盐复合材料,其由包括树脂和玻璃相硅酸盐的组分在固化剂存在下经固化反应制得;其中,所述树脂为B组分树脂或A组分树脂和B组分树脂的混合物。本发明还涉及一种树脂渗透硅酸盐复合材料的制备方法,其采用冷等静压辅助树脂渗透,打开了陶瓷块体在烧结过程中产生的闭孔,使得制得的树脂渗透硅酸盐复合材料具有较高的透明性,因而具有良好的美学性能;同时该复合材料具有较高的弯曲强度,弯曲强度最高可达200MPa左右,可见光透过率可达48.9%以上。本发明提供的树脂渗透硅酸盐复合材料在齿科修复应用方面具有巨大的开发潜力和广阔的市场前景。

    一种可切削齿科复合树脂及其制备方法

    公开(公告)号:CN105078769B

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201510512246.1

    申请日:2015-08-19

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及一种可切削齿科复合树脂及其制备方法,属于可切削齿科修复用的复合材料。本发明所述的复合树脂包括32.4~49.8%的树脂基体、0.2~1.0%的引发剂和50~67%的经硅烷偶联剂改性的无机填料。其制备方法是用硅烷偶联剂对介孔二氧化硅和气相二氧化硅进行表面改性,然后将改性的介孔二氧化硅和气相二氧化硅按比例混合后压成陶瓷块体,再将陶瓷块体浸渗在含有引发剂的树脂基体中,将浸渗完成的陶瓷块体取出后热固化,即制得可切削齿科复合树脂。本发明的复合树脂透光性好,物理机械性能优良,原料易得且价格低廉,制备方法简单,适合于工业化生产,可用于可切削齿科修复用的复合材料。

    一种树脂渗透陶瓷复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106007802A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610349596.5

    申请日:2016-05-24

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供了一种树脂渗透陶瓷复合材料,由陶瓷坯体和渗透在所述陶瓷坯体多孔网络结构中的混合树脂固化而成,陶瓷坯体具有多孔的网络结构,陶瓷坯体包括氧化钇稳定的四方相氧化锆,混合树脂包括甲基丙烯酸酯类化合物的混合物和热固化剂。本发明提供的树脂渗透陶瓷复合材料以多孔的陶瓷网络结构和渗透在陶瓷网络结构中的树脂构成,以陶瓷作为基体,可以有效避免复合材料在固化过程中的体积变化,进而克服了传统颗粒增韧树脂基复合材料易于固化收缩,引入残余应力的缺陷;通过渗透的方式,混合树脂能够形成与陶瓷网络结构相贯穿的树脂网络结构,构成具有优异力学性能的陶瓷基复合材料。

    基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料及其制备与应用方法

    公开(公告)号:CN104009112B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410274020.8

    申请日:2014-06-18

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于材料科学领域,特别涉及一种基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料及其制备与应用方法。本发明基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料是通过在NiO纳米线的表面制备ZnO纳米棒阵列来获得的。具体的制备过程包括:利用静电纺丝法制备NiO纳米线、在NiO纳米线的表面种植ZnO晶种、利用水热法使得ZnO晶种发育生长、样品烧结。实验结果表明基于本发明基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料的紫外光传感器在波长为365nm、强度为400mW/cm2的紫外光的照射下具有很高的光响应电流,电流强度能够达到毫安等级(大约3.5mA)。同时其光响应电流的强度可以通过紫外光的强度来调节,证明其是一种具有广阔应用前景的新型紫外光传感器。

    一种氧化物固体电解质材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN103117413B

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201310041349.5

    申请日:2013-02-01

    Abstract: 本发明公开了一种锂镧锆氧基氧化物固体电解质材料及其制备方法。所述固体电解质材料由基体材料和掺杂元素组成;所述基体材料为锂镧锆氧固体电解质,其化学式为Li7La3Zr2O12,所述掺杂元素选自下述至少一种:钙、锶、钡和锗,所述掺杂元素的质量不超过所述基体材料质量的15%。制备方法如下:将锂源化合物、镧源化合物、锆源化合物和掺杂元素化合物混匀后进行煅烧和烧结,得到所述锂镧锆氧基固体电解质材料。该材料可以在采用来源广泛的掺杂元素条件下、在较低的烧结温度和较短的烧结时间下制备锂镧锆氧基固体电解质材料,并且总的室温离子电导率均大于1×10-4S/cm,具有重要的应用价值。

    一种齿科用着色氧化锆陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103708830A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310636724.0

    申请日:2013-12-02

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种齿科用着色氧化锆陶瓷材料及其制备方法,包括如下步骤:(1)称取ZrO2、Pr6O11和Er2O3,采用球磨机进行球磨,干燥;(2)在干燥后的粉体中加入高分子粘结剂,进行造粒;(3)将造粒后的粉体进行干压成型;(4)将成型后的陶瓷块体进行冷等静压;(5)将冷等静压后的陶瓷块体进行烧结,得到齿科用着色氧化锆陶瓷。本发明提供的齿科用着色氧化锆陶瓷色泽接近自然牙齿,色度值分布可以覆盖整个比色板,颜色稳定性好。

    一种BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102643085A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201210108160.9

    申请日:2012-04-13

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法,其中,0≤x≤0.1;包括如下步骤:(1)按照BiCu1-xSeO中的化学计量比,称取Bi、Cu、Se和Bi2O3并进行混合得到混合物料;(2)将所述混合物料进行研磨得到前驱体粉末;(3)所述前驱体粉末经放电等离子烧结即得所述BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料。本发明提供的BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料;通过引入Cu缺陷,所得陶瓷材料既有较高电学性能,同时仍能保持住较低的热传输性能,具有很好的热电传输性能,是一类具有广阔应用前景的新型高温氧化物热电陶瓷材料。本发明的方法与普通的固相烧结相比,具有反应时间短,烧结温度低,同时合成工艺相对简单,可以一步合成BiCu1-xSeO基陶瓷样品。

    锂镧锆氧固体电解质材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN102280659A

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN201110182195.2

    申请日:2011-06-30

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种锂镧锆氧固体电解质材料。该材料的分子式如Li7+xLa3Zr2O12+0.5x所示,其中,-0.35≤x≤+0.35。所述锂镧锆氧固体电解质材料的结构为立方相的石榴石结构;所述锂镧锆氧固体电解质材料在室温下的总离子电导率大于1×10-4S/cm。该方法,包括如下步骤:将锂源化合物、镧源化合物和锆源化合物按照Li、La和Zr的摩尔比为(7+x)∶3∶2混匀后进行煅烧和烧结,得到所述锂镧锆氧固体电解质材料;其中,-0.35≤x≤+0.35。该材料可以在更低的锂含量条件下、在较低的烧结温度下制备锂镧锆氧固体电解质材料,并且总的室温离子电导率均能够大于1×10-4S/cm,具有重要的应用价值。

    磁电随机存储单元及具有该磁电随机存储单元的存储器

    公开(公告)号:CN101834271B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN201010116951.7

    申请日:2010-03-02

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有所述磁电随机存储单元的存储器包括:多个磁电随机存储单元;多个分别与所述磁电随机存储单元中的第一电极相连的访问晶体管;多个控制所述访问晶体管的字线;多个分别与所述磁电随机存储单元中的第二电极相连的第一板线;多个分别与访问晶体管相连的第一位线;多个分别与所述磁电随机存储单元中的铁磁固定层相连的第二位线;和多个分别与所述磁电随机存储单元中的铁磁自由层相连的第二板线。本发明实施例能够实现用电场写入信息数据,具有诸如非易失性、写入功耗低,存储密度高等优点。

Patent Agency Ranking